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71. 发明申请

WO2006022860A2 A CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) APPARATUS USABLE IN THE MANUFACTURE OF SUPERCONDUCTING CONDUCTORS 审中-公开
标题翻译：超导体导体制造中使用的化学气相沉积（CVD）装置
公开(公告)号：WO2006022860A2
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/US2005/009561
申请日：2005-03-22
申请人： SUPERPOWER, INC. , LEE, Hee-Gyoun , SELVAMANICKAM, Venkat
发明人： LEE, Hee-Gyoun , SELVAMANICKAM, Venkat
IPC分类号： H01L39/24 , G01N27/407 , C23C16/54 , C23C16/40 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45572 , C23C16/408 , C23C16/4481 , C23C16/4557 , C23C16/545 , H01L39/2441 , Y10S505/726 , Y10T29/49014
摘要： A chemical vapor deposition (CVD) apparatus including a reactor, at least one substrate heater, at least one precursor supply system, at least one precursor injector, and at least one precursor composition monitor. The precursor supply system includes at least one precursor source, at least one a delivery mechanism including at least one assist vehicle, at least one vaporizer for vaporizing a precursor provided by at least the at least one precursor source, and at least one vehicle for transporting at least the vaporized precursor from the precursor supply to the precursor injector of the CVD apparatus.
摘要翻译：一种化学气相沉积（CVD）装置，包括反应器，至少一个基板加热器，至少一个前体供应系统，至少一个前体喷射器和至少一个前体组合物监测器。前体供应系统包括至少一个前体源，至少一个输送机构，其包括至少一个辅助载体，至少一个用于蒸发由至少一个前体源提供的前体的蒸发器，以及至少一个用于输送的载体至少从前体供应物蒸发的前体至CVD设备的前体注入器。

72. 发明申请

WO2005045913A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2005045913A1
公开(公告)日：2005-05-19
申请号：PCT/JP2004/016252
申请日：2004-11-02
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 野沢俊久 , 森田治 , 湯浅珠樹 , 小谷光司
发明人：大見忠弘 , 野沢俊久 , 森田治 , 湯浅珠樹 , 小谷光司
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32724
摘要： Disclosed is a plasma processing apparatus wherein the efficiency in cooling a process gas supply unit is improved, thereby suppressing temperature rise in the process gas supply unit. In a plasma processing apparatus, a process gas supply unit (30) is arranged between a substrate (12) to be processed which is placed on a supporting stage (13) and a microwave antenna (25). The process gas supply unit (30) comprises a plurality of first opening portions (32) for passing a plasma generated in a processing vessel (11), a plurality of second opening portions (34A) communicated with a process gas channel (34), and a cooling medium channel (33) for flowing a cooling medium containing a mist. The cooling medium channel (33) may be connected with a cooling medium circulating system.
摘要翻译：公开了一种等离子体处理装置，其中提高了处理气体供应单元的冷却效率，从而抑制了处理气体供应单元中的温度升高。在等离子体处理装置中，处理气体供给部（30）配置在放置在支撑台（13）的被处理基板（12）和微波天线（25）之间。处理气体供给单元（30）包括用于使在处理容器（11）中产生的等离子体通过的多个第一开口部（32），与处理气体通道（34）连通的多个第二开口部（34A）以及用于使含有雾的冷却介质流动的冷却介质通道（33）。冷却介质通道（33）可以与冷却介质循环系统连接。

73. 发明申请

WO2004085702A1 VERFAHREN ZUR ABSCHEIDUNG VON VERBINDUNGEN AUF EINEM SUBSTRAT MITTELS METALLORGANISCHER GASPHASENDEPOSITION 审中-公开
标题翻译：过程通过有机金属气体相沉积在基底上化合物分离
公开(公告)号：WO2004085702A1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/DE2004/000315
申请日：2004-02-20
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , HARDTDEGEN, Hilde , SCHMIDT, Roland , KALUZA, Nicoleta , WIRTZ, Konrad , MAKAROV, Yuri
发明人： HARDTDEGEN, Hilde , SCHMIDT, Roland , KALUZA, Nicoleta , WIRTZ, Konrad , MAKAROV, Yuri
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45514 , C23C16/301 , C23C16/306 , C23C16/4411 , C23C16/455 , C23C16/45572 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung von Verbindungen auf einem Substrat mittels metallorganischer Gasphasendeposition und einem ersten Gemisch aus mindestens einem Trägergas und mindestens einem Metallorganikum sowie einem zweiten Gemisch aus mindestens einem Trägergas und mindestens einer Gruppe V- oder Gruppe VI-Verbindung, wobei beide Gemische separat in eine MOCVD-Anlage geleitet werden. Das erste Gemisch aus mindestens einem Trägergas und mindestens einem Metallorganikum wird erfindungsgemäss zwischen dem Substrat und dem zweite Gemisch aus mindestens einem Trägergas und mindestens einer Gruppe Voder Gruppe VI-Verbindung in die Anlage eingeleitet. Dadurch wird vorteilhaft bewirkt, dass keine parasitäre Deposition an den Wänden der MOCVD-Anlage entstehen. Die Abscheidungsraten sind daher gegenüber verfahren aus dem bisherigen Stand der Technik erhöht.
摘要翻译：本发明涉及对化合物的衬底上通过有机金属气相沉积分离和至少一个载气的第一混合物与至少一种Metallorganikum和至少一个载气的第二混合物和至少一种第V族或VI族化合物的方法，其特征在于，两种混合物被分别传递到MOCVD装置。至少一个载气和至少一种Metallorganikum本发明的第一混合物的基底和至少一个载气的第二混合物，并在植物的至少一种第V族或VI族化合物之间引入。这有利地导致MOCVD系统的壁上没有寄生沉积形式。沉积速率是从现有技术的增加，因此相反的过程。

74. 发明申请

WO2002095086A1 冷却液による冷却機構および冷却機構を備えた処理装置审中-公开
标题翻译：冷却机冷却机构，冷却机构处理装置
公开(公告)号：WO2002095086A1
公开(公告)日：2002-11-28
申请号：PCT/JP2002/004808
申请日：2002-05-17
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 山崎幸一
发明人：山崎幸一
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4401 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , C23C16/52 , H01L21/67109 , H01L21/67248
摘要： A treatment device (22), comprising a shower head (36) for leading treatment gas into a treatment container (4), a heater (46) for raising the temperature of the shower head, main flow passages (50, 52, 54) for coolant (C) having cooling passages (50) passing the shower head, a bypass flow passage (56) connected to the main flow passages so as to bypass the shower head, and a coolant control system for controlling the flow of the coolant by stop valves (V1, V2, V3) and a valve controller (58) for controlling the stop valves, wherein the coolant control system controls the flow of the coolant so as to stop the flow of the coolant in the cooling passage (50) when the temperature of the shower head is increased and to flow the coolant to both the coolant flow passage (50) and the bypass flow passage (56) when the temperature of the shower head is lowered.
摘要翻译：一种处理装置（22），包括用于将处理气体引导到处理容器（4）中的喷头（36），用于提高喷淋头温度的加热器（46），主流路（50,52,54）对于具有通过喷淋头的冷却通道（50）的冷却剂（C），连接到主流路以旁路喷淋头的旁通流路（56），以及用于控制冷却剂流动的冷却剂控制系统截止阀（V1，V2，V3）和用于控制截止阀的阀控制器（58），其中冷却剂控制系统控制冷却剂的流动，以便在冷却通道（50）中停止冷却剂的流动，当喷淋头的温度降低时，淋浴喷头的温度增加并且使冷却剂流过冷却剂流路（50）和旁通流路（56）。

75. 发明申请

WO2002063065A1 成膜装置审中-公开
标题翻译：电影制作装置
公开(公告)号：WO2002063065A1
公开(公告)日：2002-08-15
申请号：PCT/JP2002/001110
申请日：2002-02-08
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 河西繁 , 掛川崇
发明人：河西繁 , 掛川崇
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4557 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , H01J37/3244 , H01L21/28556
摘要： A film forming device, characterized by comprising a treatment container specifying a chamber, a loading table installed in the chamber and allowing a treated substrate to be loaded thereon, a shower head installed opposite to the loading table and having a large number of gas discharge holes, a gas feeding mechanism for feeding treatment gas into the chamber through the shower head, and a shower head temperature control means for controlling the temperature of the shower head.
摘要翻译：一种成膜装置，其特征在于，包括：指定室的处理容器;安装在所述室中的载置台，并且处理的基板被装载在其上;安装在所述装载台相对的并具有大量排气孔的喷淋头用于通过喷淋头将处理气体供给到室内的气体供给机构，以及用于控制喷淋头温度的喷淋头温度控制装置。

76. 发明申请

WO02023964A1 PROCESSING CHAMBER WITH MULTI-LAYER BRAZED LID 审中-公开
标题翻译：加工室与多层BRAZED LID
公开(公告)号：WO02023964A1
公开(公告)日：2002-03-21
申请号：PCT/US2001/029219
申请日：2001-09-12
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/00 , H05K5/06 , H05K7/12
CPC分类号： C23C16/4557 , C23C16/4411 , C23C16/45519 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , H01L21/67017
摘要： In one embodiment of the present invention, an integral lid assembly (10) for sealing a substrate processing chamber includes first (16) and third (12) plates fixedly fused to a second plate (14) positioned therebetween. The first and second plates define a coolant passage (110) or channel therein, and the second and third plates define a gas delivery channel(s) (146, 148) therein. The first plate has a substantially planar surface for coupling to a processing chamber, and the third plate has a substantially planar surface for coupling to a microwave generation device or a remote plasma clean device (106). In this manner, the lid assembly is compact in size, and facilitates the mounting of a microwave device closer to the chamber than for bulkier lid assemblies. In another embodiment, gas passages (232) through the brazed lid assembly (200) are coupled to the processing chamber (310), and are configured to provide the desired gas distribution thereto for exemplary processes.
摘要翻译：在本发明的一个实施例中，用于密封衬底处理室的一体式盖组件（10）包括固定地熔合到位于它们之间的第二板（14）的第一（16）和第三（12）板。第一和第二板在其中限定冷却剂通道（110）或通道，并且第二和第三板在其中限定一个或多个气体输送通道（146,148）。第一板具有用于耦合到处理室的基本平坦的表面，并且第三板具有用于耦合到微波产生装置或远程等离子体清洁装置（106）的基本平坦的表面。以这种方式，盖子组件的尺寸是紧凑的，并且有助于将微波装置安装到比腔体组件更靠近室的位置。在另一个实施例中，穿过钎焊盖组件（200）的气体通道（232）联接到处理室（310），并且被配置成为其提供所需的气体分布以用于示例性过程。

77. 发明申请

WO00015868A1 HIGH RATE SILICON DEPOSITION METHOD AT LOW PRESSURES 审中-公开
标题翻译：低压下的高速硅沉积方法
公开(公告)号：WO00015868A1
公开(公告)日：2000-03-23
申请号：PCT/US1999/021200
申请日：1999-09-15
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45502 , C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/45572 , C23C16/458 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要： A method for high rate silicon deposition at low pressures, including a method of operating a CVD reactor (56) having a high degree of temperature and gas flow uniformity, the method of operation providing a combination of water temperature, gas flow and chamber pressure. According to the method, a substrate (60) is placed in a vacuum chamber wherein a reactant gas is provided at a high velocity in parallel with the substrate via a plurality of temperature controlled gas injectors (64) providing a condition wherein the deposition rate is only limited by the rate of delivery of unreacted gas to the substrate surface and the rate or removal of reaction byproducts. The combination of process conditions moves the reaction at the wafer surface into the regime where the deposition rate exceeds the crystallization rate, resulting in very small crystal growth and therefore a very smooth polysilicon film with a surface roughness on the order of 5-7 nm for films 2500 angstroms thick.
摘要翻译：一种在低压下高速硅沉积的方法，包括操作具有高温度和气流均匀性的CVD反应器（56）的方法，该操作方法提供了水温，气流和室压力的组合。根据该方法，将基板（60）放置在真空室中，其中通过多个温度控制气体注入器（64）以高速与基板平行地提供反应气体，其中提供了沉积速率为仅受未反应气体向基体表面的输送速率和反应副产物的速率或除去的限制。工艺条件的组合将晶片表面的反应转移到沉积速率超过结晶速率的状态，导致非常小的晶体生长，因此具有非常平滑的多晶硅膜，表面粗糙度为5-7nm量级薄膜2500埃厚。

78. 发明申请

WO99042636A1 CVD REACTOR AND USE THEREOF 审中-公开
标题翻译： CVD反应器及其用途
公开(公告)号：WO99042636A1
公开(公告)日：1999-08-26
申请号：PCT/DE1999/000455
申请日：1999-02-18
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4557 , C23C16/45565 , C23C16/45572
摘要： The invention relates to a CVD reactor comprising the following: a reactor housing with a lid; a heated susceptor (wafer holder) which is located in the reactor housing and on which at least one wafer can be positioned; a central fluid inlet through which especially tempered CVD media etc., enter the reactor; and a fluid outlet which is positioned on the periphery of the reactor housing and through which the admitted media exit. The invention is characterised in that the fluid outlet is approximately disk-shaped with a number of outlet openings for the CVD media, etc., and is arranged between the susceptor (wafer holder) and the reactor lid in such a way that it is heated by radiation from said susceptor (wafer holder) and is hereby set at a temperature between the temperature of the susceptor (wafer holder) and that of the reactor lid. This ensures that the CVD media are tempered when they enter.
摘要翻译：公开了一种具有带有盖子的反应器壳体中的CVD反应器中; 设置在反应器壳体加热的基座（晶片支撑）在其上的晶片可以至少被设置的汽缸; 一个中央流体入口等通过在反应器中的特定强化CVD媒体，和设置在反应器壳体的外周的流体出口进入，并通过出口，嵌入式媒体。本发明的特征在于，所述流体出口是大致与用于CVD媒体等多个出口开口的圆盘的形状，并且所述基座（晶片支撑）和反应器盖之间被布置成使得所述流体出口（通过辐射从基座晶片支撑）的混合物加热，并且因此（在基座晶片支撑的温度之间的温度）和反应器盖来调整，通过输入CVD媒体等回火。

79. 发明申请

WO2017216290A1 RÉACTEUR DE FABRICATION DE NANOSTRUCTURES PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR 审中-公开
标题翻译：用化学气相沉积法制造纳米结构的反应器
公开(公告)号：WO2017216290A1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：PCT/EP2017/064668
申请日：2017-06-15
申请人： THALES , ECOLE POLYTECHNIQUE , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , UNIVERSITÉ CLAUDE BERNARD LYON 1
发明人： LEGAGNEUX, Pierre , MAZELLIER, Jean-Paul , GANGLOFF, Laurent , PURCELL, Stephen , COJOCARU, Costel-Sorin
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/26 , C23C16/44 , C23C16/455 , B82Y40/00
CPC分类号： C23C16/04 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C23C16/26 , C23C16/44 , C23C16/45572 , C23C16/45591
摘要： Il est proposé un réacteur (10) de fabrication de nanostructures (15) sur un substrat (20) par dépôt chimique en phase vapeur, le réacteur (10) comportant : - une enceinte (35) délimitant une chambre (65), - un organe d'injection (40) propre à injecter au moins un gaz (G) dans la chambre (65), - une électrode (50) agencée pour être traversée par un premier flux (F1) du gaz circulant depuis l'organe d'injection (40) jusqu'au substrat (20), l'électrode (50) présentant une première face (75) et une deuxième face (80) en regard du substrat (20), l'électrode (50) délimitant une pluralité d'ouvertures (85) traversant l'électrode (50), chaque ouverture (85) présentant un diamètre inférieur ou égal à une distance (d) entre le substrat (20) et la deuxième face (80), et - un générateur (55) propre à imposer un champ électrique entre l'électrode (50) et le substrat (20).
摘要翻译：
建议＆oacute; 在化学气相基底（20）上的纳米结构制造反应器（10），所述反应器（10）包括： - 外壳（35），其限制腔室（65）， - 清洁的注射构件（40）; 将至少一种气体（G）注入所述腔室（65）中， - 电极（50），所述电极（50）布置成被从所述注入构件流动的所述气体的第一流（F1）穿过（20），所述电极（50）具有与所述衬底（20）相对的第一面（75）和第二面（80），所述衬底（20）所述电极（50）限制多个电极; 穿过电极（50）的开口（85），每个开口（85）具有小于或等于的直径基底（20）和第二面（80）之间的距离（d），以及清洁发生器（55）; 在电极（50）和基板（20）之间施加电场。

80. 发明申请

WO2015147295A1 ハードコート層付高分子基板およびその製造方法审中-公开
标题翻译：具有硬涂层的聚合物基材和这种聚合物基材的制造方法
公开(公告)号：WO2015147295A1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：PCT/JP2015/059760
申请日：2015-03-27
申请人：帝人株式会社 , 月島機械株式会社
发明人：金　辰一郎 , 浴中　達矢 , 岸本　浩 , 森田　夢 , 菅　武宏 , 尾形　聡 , 中込　真人
IPC分类号： B32B9/00 , C23C16/42
CPC分类号： C08J7/045 , B05D3/0254 , B05D7/02 , C08J7/047 , C08J7/123 , C08J2369/00 , C08J2433/08 , C08J2483/04 , C09D183/04 , C23C16/02 , C23C16/0254 , C23C16/0272 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/50 , C23C16/5096 , C23C16/56 , C23C18/122 , C23C18/1233 , C23C18/1254 , H01J37/32091 , C08K3/36
摘要：　高い耐環境性と高度な耐磨耗性を兼ね備えたハードコート層付高分子基板を実現する。　厚み１～２０ｍｍの高分子基板（６０）、およびその表面上のハードコート層（７０、８０）を具備しているハードコート層付高分子基板を提供する。ここで、このハードコート層付高分子基板では、ハードコート層（７０、８０）が、高分子基板の表面上に積層されており、有機珪素化合物の加水分解縮合物を主成分として含み、かつ厚みが０．１～２０μｍである、下地硬化層（７０）と、高分子基板と反対側で下地硬化層に直接に接しており、有機珪素化合物のＰＥ－ＣＶＤ法によって形成され、かつ下記（ａ）～（ｃ）のすべての要件を満たす、酸化珪素層（８０）とを具備してなる：（ａ）酸化珪素層の膜厚が３．５～９．０μｍの範囲にあること、（ｂ）最大荷重１ｍＮ条件でのナノインデンテーション測定による酸化珪素層の表面の最大押し込み深さが、１５０ｎｍ以下であること、及び（ｃ）酸化珪素層が積層されている面が凹となる押し込み変位を与えるハードコート層付高分子基板の３点曲げ試験において、酸化珪素層の限界圧縮率Ｋの値が０．９７５以下であること。
摘要翻译：本发明实现了具有硬涂层的聚合物基材，该聚合物基材兼具高耐环境性和高耐磨性。本发明提供一种具有硬涂层的聚合物基材，其包含厚度为1-20mm的聚合物基材（60）和形成在基材表面上的硬涂层（70,80）。在具有硬涂层的聚合物基材中，硬涂层（70,80）包括：基材固化层（70），其层压在聚合物基材的表面上，其以主要成分为主要成分，含有有机硅的水解缩合物化合物，厚度为0.1-20μm; 和通过有机硅化合物PE-CVD法形成的与聚合物基板相反的一侧与基底固化层直接接触的氧化硅层（80），满足条件（a） - （c ）。（a）氧化硅层的膜厚在3.5〜9.0μm的范围内。（b）在1mN的最大负载条件下，根据纳米压痕测量，氧化硅层表面的最大压入深度不超过150nm。（c）在具有赋予压痕位移的硬涂层的聚合物基板的三点弯曲试验中，氧化硅层的临界压缩率K的值不大于0.975，层压氧化硅层被压制。

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