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    • 52. 发明申请
    • 基板処理システム及び基板処理システムの表示方法
    • 基板处理系统和基板处理系统的指示方法
    • WO2013047127A1
    • 2013-04-04
    • PCT/JP2012/072588
    • 2012-09-05
    • 株式会社日立国際電気中野 稔斎藤 剛
    • 中野 稔斎藤 剛
    • H01L21/02G05B19/418
    • H01L21/67288H01L21/67276Y02P90/14Y02P90/18
    • 基板処理装置に接続される付帯設備を把握し、付帯設備をメンテナンスする作業にかかる負荷を軽減する。基板処理装置と、前記基板処理装置に関連し、前記基板処理装置と直接又は間接的に接続される付帯設備と、前記付帯設備から収集される前記付帯設備に関する情報を少なくとも格納する記憶装置と、前記記憶装置に格納された情報に基づいて、前記基板処理装置及び前記付帯設備の接続関係を表示する表示装置を備える。前記付帯設備は、ガスボンベが配置されるシリンダーキャビネット及びガス及び熱を排気する排気装置であり、前記表示装置は、前記基板処理装置及び前記シリンダーキャビネットの接続関係並びに前記基板処理装置及び前記排気装置の接続関係を連結させて表示する。
    • 根据本发明,减少了与用于保持连接到基板处理装置的辅助设备的操作以及维护辅助设备有关的负载。 本发明包括基板处理装置; 所述辅助设备与所述基板处理装置相关,并且直接或间接地连接到所述基板处理装置; 存储装置,其至少容纳与辅助设备收集的辅助设备有关的信息; 以及显示装置,其基于容纳在存储装置中的信息显示基板处理装置和辅助设备之间的连接关系。 辅助设备是排出气体和热量的排气系统和气瓶所在的气缸柜,显示装置显示基板处理装置与气缸柜之间的连接关系,以及基板处理装置 和排气系统相互连接。
    • 54. 发明申请
    • ETCH PROCESS CONTROL USING OPTICAL METROLOGY AND SENSOR DEVICES
    • 使用光学计量学和传感器器件的ETCH过程控制
    • WO2012112959A1
    • 2012-08-23
    • PCT/US2012/025746
    • 2012-02-17
    • TOKYO ELECTRON LIMITEDMADRIAGA, ManuelTIAN, Xinkang
    • MADRIAGA, ManuelTIAN, Xinkang
    • C23F1/00H01L21/302
    • H01L21/67069H01J37/32935H01L21/67253H01L21/67276H01L22/12H01L22/20
    • Provided is a method and system for controlling a fabrication cluster for processing of a substrate in an etch process, the fabrication cluster having equipment settings and process parameters. A correlation of etch stage measurements to actual etch stage data is developed, the etch stage measurements comprising measurements using two or more optical metrology devices and an etch sensor device. An etch stage value is extracted using the developed correlation and the etch stage measurement. If the etch stage measurement objectives are not met, the metrology devices are modified, a different etch sensor device is selected, the etch stage measurements are enhanced, and/or the correlation algorithm is refined. The steps are iterated until the etch stage measurement objectives are met. The extracted etch stage value is used to adjust an equipment setting and/or process parameter of the fabrication cluster.
    • 提供了一种用于在蚀刻工艺中控制用于处理衬底的制造簇的方法和系统,该制造集群具有设备设置和工艺参数。 开发了蚀刻阶段测量与实际蚀刻阶段数据的相关性,蚀刻阶段测量包括使用两个或更多个光学测量装置和蚀刻传感器装置的测量。 使用显影的相关和蚀刻阶段测量提取蚀刻阶段值。 如果不满足蚀刻阶段测量目标,则对测量装置进行修改,选择不同的蚀刻传感器装置,增强蚀刻阶段测量值和/或相关性算法。 重复这些步骤直到满足蚀刻阶段测量目标。 提取的蚀刻阶段值用于调整制造集群的设备设置和/或过程参数。
    • 56. 发明申请
    • 基板処理システム及び群管理装置
    • 基板加工系统和组管理装置
    • WO2011099458A1
    • 2011-08-18
    • PCT/JP2011/052567
    • 2011-02-08
    • 株式会社日立国際電気小山 良崇岩倉 裕幸城宝 泰宏
    • 小山 良崇岩倉 裕幸城宝 泰宏
    • H01L21/02
    • G05B19/41875G05B2219/32221G05B2219/45031H01L21/67109H01L21/67276H01L21/67769Y02P90/22
    •  基板を処理する基板処理装置と、基板処理装置に接続される群管理装置と、備える基板処理システムであって、群管理装置は、基板処理の進行状況又は基板処理装置の状態を示すモニタデータを基板処理装置から受信する通信手段と、通信手段が受信したモニタデータを生産情報データに関連づけて読み出し可能に格納するデータベース部と、データベース部からモニタデータ及び生産情報データを読み出し、モニタデータを基に代表値データを生成し、モニタデータ、生産情報データ、及び代表値データを含むファイルを作成して読み出し可能に格納するファイルアーカイブ部と、所定の検索条件の入力を受けつけてファイルを検索し、検索条件に合致する前記ファイルに格納されているデータを表示手段に表示するデータ検索部と、を備える。
    • 公开了一种基板处理系统,其具有处理基板的基板处理装置,以及与基板处理装置连接的组管理装置,其中,组管理装置设置有:从基板处理接收的通信装置 设备监视指示衬底处理的进行状态的数据或衬底处理装置的状态; 数据库单元,其将由通信装置接收的监视数据与生产信息数据相关联并且可读地存储; 从数据库单元读取监视数据和生产信息数据的文件归档单元,基于监视数据生成代表值数据,并且生成并可读地存储包含监视数据,生产信息数据和代表的文件 价值数据; 以及数据搜索单元,其接收预定搜索条件的输入,搜索文件,并且在显示装置上显示存储在上述文件中的与搜索条件匹配的数据。