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51. 发明申请

WO1990015070A1 VERY LARGE SCALE IMMOBILIZED PEPTIDE SYNTHESIS 审中-公开
标题翻译：非常大的规模固定肽合成
公开(公告)号：WO1990015070A1
公开(公告)日：1990-12-13
申请号：PCT/NL1990000081
申请日：1990-06-07
申请人： AFFYMAX TECHNOLOGIES N.V.
发明人： AFFYMAX TECHNOLOGIES N.V. , PIRRUNG, Michael, C. , READ, J., Leighton , FODOR, Stephen, P., A. , STRYER, Lubert
IPC分类号： C07K01/04
CPC分类号： C08G69/00 , B01J19/0046 , B01J2219/00315 , B01J2219/00432 , B01J2219/00434 , B01J2219/00436 , B01J2219/00459 , B01J2219/00468 , B01J2219/00475 , B01J2219/005 , B01J2219/00527 , B01J2219/00529 , B01J2219/00531 , B01J2219/00585 , B01J2219/0059 , B01J2219/00596 , B01J2219/00605 , B01J2219/00608 , B01J2219/0061 , B01J2219/00612 , B01J2219/00617 , B01J2219/00619 , B01J2219/00621 , B01J2219/00626 , B01J2219/00637 , B01J2219/00639 , B01J2219/00648 , B01J2219/00659 , B01J2219/00689 , B01J2219/00695 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B01L7/52 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C07B2200/11 , C07C229/14 , C07C229/16 , C07D263/44 , C07D317/62 , C07H19/04 , C07H19/10 , C07H21/00 , C07K1/04 , C07K1/042 , C07K1/045 , C07K1/047 , C07K1/062 , C07K7/06 , C07K17/06 , C07K17/14 , C12Q1/6809 , C12Q1/6816 , C12Q1/6837 , C12Q1/6874 , C40B40/06 , C40B40/10 , C40B60/14 , C40B80/00 , G01N15/1475 , G01N21/253 , G01N21/6428 , G01N21/6452 , G03F7/00 , G03F7/26 , G03F7/265 , G03F7/38 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , H01L25/50 , H01L2924/0002 , Y02P20/55 , Y10S435/961 , Y10S435/968 , Y10S435/969 , Y10S435/973 , Y10S436/807 , Y10S436/809 , Y10T428/31971 , Y10T436/2575 , H01L2924/00
摘要： A method and device for preparing desired sequences on a substrate at known locations. Known locations (10) of a substrate (2) are irradiated by way of a mask (8) so as to activate a material (4) for binding. The substrate is then exposed to a first material (12) for binding thereto. Second locations (14) are then irradiated through a mask and exposed to a second material (16). A variety of sequences may be formed through selective irradiation of the substrate followed by application of selected materials. A reactor system and fluorescence detection system are also disclosed.

52. 发明申请

WO2019005161A1 METHOD AND COMPOUND FOR CONTROLLING PATTERNING OF A RESIST MATERIAL 审中-公开
公开(公告)号：WO2019005161A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/US2017/040501
申请日：2017-06-30
申请人： INTEL CORPORATION , KRYSAK, Marie , BLACKWELL, James M. , THEOFANIS, Patrick , BRISTOL, Robert L.
发明人： KRYSAK, Marie , BLACKWELL, James M. , THEOFANIS, Patrick , BRISTOL, Robert L.
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0334 , G03F7/0042 , G03F7/38 , G03F7/405 , H01L21/0274 , H01L21/0332
摘要： Techniques and mechanisms for patterning a resist using a quencher to limit an irradiation-induced reaction. In an embodiment, the resist material includes nanoclusters and ligands which promote solubility of the nanoclusters. An inorganic molecule of the nanoclusters includes one of a transition metal element, a lanthanide element, an actinide element, or a main group element. Irradiation of the resist material initiates chemical reaction with the ligands, wherein the reaction results in larger structures begin formed with the inorganic nanoparticles. A compound disposed in or adjacent to the resist material provides a quencher which reacts with a by-product of the irradiation-induced reaction. The quencher prevents the by-product from continuing the irradiation-induced reaction in the resist material. In another embodiment, the by-product is one of an electron and a radical.

53. 发明申请

WO2017208842A1 積層パターン形成基材及びタッチパネルの製造方法审中-公开
标题翻译：层压图案形成基板及触控面板的制造方法
公开(公告)号：WO2017208842A1
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：PCT/JP2017/018670
申请日：2017-05-18
申请人：東レ株式会社
发明人：水口　創 , 河野　友孝
IPC分类号： H01B13/00 , B32B7/02 , B32B27/18 , B32B27/26 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/38 , G03F7/40 , G06F3/041
CPC分类号： B32B7/02 , B32B27/18 , B32B27/26 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/38 , G03F7/40 , G06F3/041 , H01B13/00
摘要：基材Ａ、感光層Ｂ及び透明電極層Ｃの順に積層がされた積層体を、露光する、第一の露光工程と、前記積層体の表面に、感光性導電ペーストＤを塗布して感光性導電膜Ｄを得る、塗布工程と、前記感光性導電膜Ｄを、露光する、第二の露光工程と、前記積層体及び前記感光性導電膜Ｄを一括して現像して、透明電極パターンＣ及び導電パターンＤの積層パターンを得る、現像工程と、を備え、前記感光層Ｂは、感光性樹脂及び光重合開始剤を含有し、前記感光性導電ペーストＤは、導電性粒子、感光性樹脂及び光重合開始剤を含有する、積層パターン形成基材の製造方法。　未露光部の溶解除去における残渣発生を抑制でき、かつ、基材上に形成された導電パターンと感光性樹脂層との密着力を保持し、更には導電パターンと感光性樹脂層とのイオンマイグレーション耐性に優れる、積層パターン形成基材の製造方法を提供する。
摘要翻译：
基板A，以此顺序层压感光层B和层压体是在透明电极层C，并暴露，第一曝光步骤中，将层叠体的表面，感光导电涂敷糊剂D以获得感光性导电膜D，将感光性导电膜D曝光的第二曝光步骤，将层叠体和感光性导电膜D集中在一起的步骤显影以获得透明电极图案C和导电图案d的层压图案，包括：显影步骤，其中光敏层B含有光敏树脂和光聚合引发剂，其中，所述感光性导电膏d是，导电粒子，感光性树脂和光聚合引发剂。它可以抑制残留的渣発生产在溶解除去未曝光部分，并且，离子迁移保持形成在基板和感光性树脂层上的导体图案之间的粘附性的，并且进一步的导体图案和上述感光性树脂层提供一种耐久性优异的叠层图案形成基板的制造方法。

54. 发明申请

WO2017207452A1 GAP FILLING COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING COMPOSITION CONTAINING POLYMER 审中-公开
标题翻译：使用包含聚合物的组合物的间隙填充组合物和图案形成方法
公开(公告)号：WO2017207452A1
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：PCT/EP2017/062821
申请日：2017-05-29
申请人： AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S.A.R.L.
发明人： WANG, Xiaowei , NAGAHARA, Tatsuro
IPC分类号： G03F7/09 , G03F7/038 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/0043 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要： [Subject] There is provided a gap filling composition which can reduce pattern collapse and a pattern forming method using the composition. [Solution means] There is provided a gap filling composition including a polymer having a certain structure and an organic solvent. There is provided a pattern forming method using a certain polymer.
摘要翻译： [主题]提供了一种可以减少图案坍塌的间隙填充组合物以及使用该组合物的图案形成方法。 [解决手段]提供一种包含具有特定结构的聚合物和有机溶剂的间隙填充用组合物。提供了使用特定聚合物的图案形成方法。

55. 发明申请

WO2016190261A1 レジストパターン塗布用組成物审中-公开
标题翻译：涂料抗蚀剂图案的组合物
公开(公告)号：WO2016190261A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：PCT/JP2016/065090
申请日：2016-05-20
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：柴山　亘 , 中島　誠 , 志垣　修平 , 谷口　博昭 , 坂本　力丸
IPC分类号： G03F7/40 , C08G77/26 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G77/04 , C08G77/26 , C08G77/70 , C09D183/04 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3081 , H01L21/3086
摘要：【課題】　レジストパターンに塗布しエッチング速度差を利用してパターンの反転を行うための組成物を提供する。【解決手段】　下記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分とを含むレジストパターンに塗布される組成物であり、（Ａ）成分：金属酸化物（ａ１）、ポリ酸（ａ２）、ポリ酸塩（ａ３）、加水分解性シラン（ａ４）、上記加水分解性シランの加水分解物（ａ５）、及び上記加水分解性シランの加水分解縮合物（ａ６）からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物と、（Ｂ）成分：水性溶媒とを含み、上記加水分解性シラン（ａ４）がアミノ基を有する有機基を含む加水分解性シラン（ｉ）、イオン性官能基を有する有機基を含む加水分解性シラン（ｉｉ）、ヒドロキシル基を有する有機基を含む加水分解性シラン（ｉｉｉ）、又はヒドロキシル基に変換可能な官能基を有する有機基を含む加水分解性シラン（ｉｖ）である該組成物。
摘要翻译： [问题]提供一种用于涂覆抗蚀剂图案的组合物，并使用蚀刻速率的差异来形成图案的相反。 [解决方案]应用于抗蚀剂图案并包含组分（A）和组分（B）的组合物。该组合物包括：成分（A），其为选自金属氧化物（a1），多酸（a2），多酸的盐（a3），可水解硅烷（a4），可水解硅烷的水解产物（a5）和可水解硅烷的水解缩合产物（a6）; 和作为水性溶剂的成分（B）。可水解硅烷（a4）是（i）包含具有氨基的有机基团的可水解硅烷，（ii）包含具有离子官能团的有机基团的可水解硅烷，（iii）包含有机物的可水解硅烷具有羟基的基团，或（iv）可水解硅烷，其包含具有可转化成羟基的官能团的有机基团。

56. 发明申请

WO2016158994A1 パターン形成方法、フォトマスクの製造方法及び電子デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：图案形成方法，光电子制造方法和电子装置制造方法
公开(公告)号：WO2016158994A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/JP2016/060222
申请日：2016-03-29
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：望月　英宏 , 平野　修史 , 高田　暁
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F1/76 , G03F7/004 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/0758 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/2037 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要：　感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布し、感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程と、複数の電子線を上記感活性光線性又は感放射線性膜に同時に照射する工程と、電子線照射後の上記感活性光線性又は感放射線性膜を現像する工程とを含むパターン形成方法を提供する。上記組成物は、樹脂（Ａ）、光酸発生剤（Ｂ）、及び、酸拡散制御剤（Ｃ）を含有し、下記式（１）で表される光酸発生剤（Ｂ）と酸拡散制御剤（Ｃ）のモル比（Ｑｐ）が０．３以上である。　Ｑｐ（モル比）＝酸拡散制御剤（Ｃ）／光酸発生剤（Ｂ）　（１）
摘要翻译：提供了一种图案形成方法，其包括将光敏感或辐射敏感性树脂组合物施加到基底上并形成光化学敏感或辐射敏感膜的步骤，同时照射光化学射线敏感性或辐射敏感性薄膜的步骤，具有多个电子束的敏感或辐射敏感膜，以及在电子束照射之后显影光化学敏感或辐射敏感膜的步骤。组合物含有树脂（A），光酸产生剂（B）和酸扩散控制剂（C），光酸产生剂（B）和酸扩散控制剂（C）之间的摩尔比（Qp）由下列式（1）为0. 3. Qp（摩尔比）=酸扩散控制器（C）/光酸产生剂（B）。

57. 发明申请

WO2016140000A1 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び感活性光線性又は感放射線性膜审中-公开
标题翻译：活性光敏或辐射敏感性树脂组合物和主动感光或辐射敏感膜
公开(公告)号：WO2016140000A1
公开(公告)日：2016-09-09
申请号：PCT/JP2016/052885
申请日：2016-02-01
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：西尾　亮 , 古谷　創 , 白川　三千紘 , 渋谷　明規
IPC分类号： G03F7/039 , C08F20/28 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/30 , G03F7/38
CPC分类号： C08F20/28 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/30 , G03F7/38
摘要：　溶解コントラストが高く、現像液の極性に依存することなくラフネスの小さい良好なパターンを提供することができ、更にはブリッジ欠陥が発現しにくい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を含む感活性光線性又は感放射線性膜を提供すること。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）酸の作用により分解し極性基を生じる酸分解性基として、少なくとも下記一般式（１）で表される酸分解性基を含む樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有する。式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に置換基を表し、Ｌ１は（ｎ+１）価の連結基を表し、Ｘは架橋性反応基を示し、ｎは１以上の整数を表し、＊は、樹脂（Ａ）の主鎖との結合位置を表す。Ｒ１、Ｒ２及びＬ１から選択される２つは互いに連結して環を形成してもよい。但し、Ｌ１は、多環式脂肪族基、及び、－Ｃ（ＣＦ３）２－のいずれでもなく、また、Ｌ１がＲ１及びＲ２のいずれかと環を形成する場合、形成される環は、多環式脂肪族基ではない。
摘要翻译：提供：具有高溶解度对比度并且能够形成具有低粗糙度的良好图案而不依赖于显影液的极性并且不易发生桥接缺陷的主动光敏或辐射敏感性树脂组合物。以及含有该组合物的活性的光敏感或者辐射敏感性膜。该活性的光敏性或辐射敏感性树脂组合物含有（A）含有作为酸分解基团的树脂，该基团通过酸的作用而分解并产生极性基团，至少含有通式（1）和（B）通过活性光或辐射的照射产生酸的化合物。在该式中，R 1和R 2各自独立地表示取代基; L1表示（n + 1）价连接基团; X表示可交联的反应性基团; n表示1以上的整数，和*表示与树脂（A）的主链的结合位置。选自R1，R2和L1中的两个部分可以结合在一起形成环。在L1不是多环脂族基团且-C（CF 3）2和L 1与R 1或R 2一起形成环的情况下，如此形成的环不是多环脂族基团。

58. 发明申请

WO2016086236A3 TWO-STEP PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：两步光敏剂组合物和方法
公开(公告)号：WO2016086236A3
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：PCT/US2015065691
申请日：2015-12-15
申请人： ROBINSON ALEX PHILLIP GRAHAM , FROMMHOLD ANDREAS , BROWN ALLEN , LADA TOM
发明人： ROBINSON ALEX PHILLIP GRAHAM , FROMMHOLD ANDREAS , BROWN ALLEN , LADA TOM
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/16
CPC分类号： G03F7/38 , A61B5/042 , A61B5/065 , A61B5/6852 , A61B5/7221 , A61B34/20 , A61B2505/03 , A61B2505/05 , A61M25/01 , A61M2025/0166 , A61M2205/13 , A61M2205/18 , A61M2205/50 , A61M2210/125 , A61M2230/005 , A61M2230/04 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0384 , G03F7/0392 , G03F7/2024 , G06F17/18 , Y02E10/549
摘要： The present disclosure relates to novel two-step photoresist compositions and processes. The processes involve removing acid-labile groups in step one and crosslinking the remaining material with themselves or added crosslinking systems in step two. The incorporation of a multistep pathway in the resist catalytic chain increases the chemical gradient in areas receiving a low dose of irradiation, effectively acting as a built in dose depend quencher- analog and thus enhancing chemical gradient and thus resolution. The photoresist compositions and the methods are ideal for fine pattern processing using, for example, ultraviolet radiation, beyond extreme ultraviolet radiation, extreme ultraviolet radiation, X-rays and charged particle rays. Dual functionality photosensitive compositions and methods are also disclosed.
摘要翻译：本公开涉及新颖的两步光致抗蚀剂组合物和方法。该方法涉及在步骤1中除去酸不稳定基团，并在步骤2中将剩余材料与其本身或交联体系交联。在抗蚀剂催化链中掺入多步路径增加了接受低剂量照射的区域中的化学梯度，有效地作为内建的剂量依赖性猝灭剂类似物起作用，从而增强了化学梯度并由此提高了分辨率。光致抗蚀剂组合物和方法对于使用例如紫外辐射，超远紫外辐射，远紫外辐射，X射线和带电粒子射线之外的精细图案处理是理想的。双功能性光敏组合物和方法也被公开。

59. 发明申请

WO2016086236A2 TWO-STEP PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：两步光电组合物和方法
公开(公告)号：WO2016086236A2
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：PCT/US2015/065691
申请日：2015-12-15
申请人： ROBINSON, Alex Phillip Graham , FROMMHOLD, Andreas , BROWN, Allen , LADA, Tom
发明人： ROBINSON, Alex Phillip Graham , FROMMHOLD, Andreas , BROWN, Allen , LADA, Tom
IPC分类号： G03F7/038
CPC分类号： G03F7/38 , A61B5/042 , A61B5/065 , A61B5/6852 , A61B5/7221 , A61B34/20 , A61B2505/03 , A61B2505/05 , A61M25/01 , A61M2025/0166 , A61M2205/13 , A61M2205/18 , A61M2205/50 , A61M2210/125 , A61M2230/005 , A61M2230/04 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0384 , G03F7/0392 , G03F7/2024 , G06F17/18 , Y02E10/549
摘要： The present disclosure relates to novel two-step photoresist compositions and processes. The processes involve removing acid-labile groups in step one and crosslinking the remaining material with themselves or added crosslinking systems in step two. The incorporation of a multistep pathway in the resist catalytic chain increases the chemical gradient in areas receiving a low dose of irradiation, effectively acting as a built in dose depend quencher- analog and thus enhancing chemical gradient and thus resolution. The photoresist compositions and the methods are ideal for fine pattern processing using, for example, ultraviolet radiation, beyond extreme ultraviolet radiation, extreme ultraviolet radiation, X-rays and charged particle rays. Dual functionality photosensitive compositions and methods are also disclosed.
摘要翻译：本发明涉及新的两步光刻胶组合物和方法。所述方法包括在步骤1中除去酸不稳定基团，并在第二步中与其自身交联剩余的材料或加入交联体系。在抗蚀剂催化链中结合多步途径增加了接受低剂量照射的区域的化学梯度，有效地作为内置的剂量依赖猝灭剂类似物，从而增强了化学梯度，从而提高了分辨率。光致抗蚀剂组合物和方法对于使用例如紫外线辐射，超过极紫外辐射，极紫外辐射，X射线和带电粒子射线的精细图案处理是理想的。还公开了双功能光敏组合物和方法。

60. 发明申请

WO2016052365A1 パターン形成方法、レジストパターン、及び、電子デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：图案形成方法，电阻图案和用于制造电子器件的方法
公开(公告)号：WO2016052365A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/JP2015/077227
申请日：2015-09-28
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：丹呉　直紘 , 山本　慶 , 井上　尚紀 , 白川　三千紘 , 後藤　研由
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/32 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F2220/283 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/327 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/0276
摘要：　本発明は、ＤＯＦが良好なパターン形成方法、上記パターン形成方法により形成されたレジストパターン、及び、上記パターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。本発明のパターン形成方法は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を、基板上に塗布して、レジスト膜を形成する工程ａと、上記レジスト膜上に上層膜形成用組成物を塗布することにより、上記レジスト膜上に上層膜を形成する工程ｂと、上記上層膜が形成された上記レジスト膜を露光する工程ｃと、上記露光された上記レジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してパターンを形成する工程ｄと、を備えるパターン形成方法あって、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、分子量が８７０以下である活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する。
摘要翻译：本发明的目的是提供：具有优异DOF的图案形成方法; 由所述图案形成方法形成的抗蚀剂图案; 以及涉及所述图案形成方法的电子设备制造方法。该图案形成方法包括：步骤a，用于将有源射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物涂布在基材上并形成抗蚀剂膜; 通过在抗蚀剂膜上施加上层成膜组合物在抗蚀剂膜上形成上层膜的步骤b; 用于使其上形成有上层膜的抗蚀剂膜曝光的步骤c; 以及用于利用包含有机溶剂的显影液显影曝光的抗蚀剂膜并形成图案的步骤d。活性射线敏感或辐射敏感性树脂组合物包括分子量为870以下的化合物，并且通过照射活性射线或辐射而产生酸。

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