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31. 发明申请

WO2009120631A2 SURFACE CLEANING AND TEXTURING PROCESS FOR CRYSTALLINE SOLAR CELLS 审中-公开
标题翻译：晶体太阳能电池的表面清洁和纹理过程
公开(公告)号：WO2009120631A2
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/US2009/037968
申请日：2009-03-23
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , WIJEKOON, Kapila , MISHRA, Rohit , STEWART, Michael, P. , WEIDMAN, Timothy , PONNEKANTI, Hari , HOLTAM, Tristan, R.
发明人： WIJEKOON, Kapila , MISHRA, Rohit , STEWART, Michael, P. , WEIDMAN, Timothy , PONNEKANTI, Hari , HOLTAM, Tristan, R.
IPC分类号： H01L31/042 , H01L21/302
CPC分类号： H01L31/077 , H01L21/30608 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0392 , H01L31/0687 , H01L31/075 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02E10/548
摘要： Methods for surface texturing a crystalline silicon substrate are provided. In one embodiment, the method includes providing a crystalline silicon substrate, wetting the substrate with an alkaline solution comprising a wetting agent, and forming a textured surface with a structure having a depth about 1 µm to about 10 µm on the substrate. In another embodiment, a method of performing a substrate texture process includes providing crystalline silicon substrate, pre-cleaning the substrate in a HF aqueous solution, wetting the substrate with a KOH aqueous solution comprising polyethylene glycol (PEG) compound, and forming a textured surface with a structure having a depth about 3 µm to about 8 µm on the substrate.
摘要翻译：提供了表面纹理化晶体硅衬底的方法。在一个实施方案中，该方法包括提供晶体硅衬底，用包含润湿剂的碱性溶液润湿衬底，以及在衬底上形成具有约1μm至约10μm深度结构的织构化表面。在另一个实施例中，执行衬底纹理过程的方法包括提供晶体硅衬底，在HF水溶液中预清洗衬底，用包含聚乙二醇（PEG）化合物的KOH水溶液润湿衬底，并形成织构表面具有在基板上具有约3μm至约8μm的深度的结构。

32. 发明申请

WO2008132104A2 PHOTOVOLTAIC MODULE COMPRISING LAYER WITH CONDUCTING SPOTS 审中-公开
标题翻译：包含导电层的光伏组件
公开(公告)号：WO2008132104A2
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/EP2008/054896
申请日：2008-04-23
申请人： Helianthos B.V. , DUBBELDAM, Gerrit Cornelis , SPORTEL, Edwin Peter
发明人： DUBBELDAM, Gerrit Cornelis , SPORTEL, Edwin Peter
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1872 , H01L31/077 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： The invention pertains to a photovoltaic (PV) module comprising a plurality of cells, each cell containing a substrate, a transparent conductor layer, a photovoltaic layer, and a back-electrode layer, wherein the photovoltaic layer comprises at least one p-i-n or n-i-p silicon layer, characterized in that said silicon layer comprises 10 to 1000 conducting spots of recrystallized silicon per cm 2 , each having independently a surface or 10 to 2500 μm 2 . The PV module can be obtained by a method wherein the p-i-n or n-i-p silicon layer is locally heated whereby said silicon is transformed at these spots, after which the silicon at these spots is allowed to solidify in a transformed dtate.
摘要翻译：本发明涉及包括多个单元的光伏（PV）模块，每个单元包含基板，透明导体层，光伏层和背电极层，其中光伏层包括至少一个引脚或压区硅层，其特征在于，所述硅层包含10至1000个每cm 2重结晶的导电点，每个独立地具有表面或10至2500μm2的导电点。 PV模块可以通过其中局部加热p-i-n或n-i-p硅层的方法获得，由此所述硅在这些点被转化，之后使这些点处的硅在转化后的固化中固化。

33. 发明申请

WO2006066544A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER DÜNNSCHICHTSOLARZELLE MIT MIKROKRISTALLINEM SILIZIUM SOWIE SCHICHTFOLGE 审中-公开
标题翻译：方法用于生产具有微晶硅和第二层影响的薄膜太阳能电池
公开(公告)号：WO2006066544A1
公开(公告)日：2006-06-29
申请号：PCT/DE2005/002237
申请日：2005-12-13
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , KLEIN, Stefan , MAI, Yaohua , FINGER, Friedhelm , CARIUS, Reinhard
发明人： KLEIN, Stefan , MAI, Yaohua , FINGER, Friedhelm , CARIUS, Reinhard
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/075
CPC分类号： H01L31/1824 , H01L31/03685 , H01L31/077 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle mit mikrokristallinem Silizium sowie eine Schichtfolge Erfindungsgemäß wird bei pin- oder nip-Dünnschichtsolarzellen auf die untere p- oder n- Schicht mit einem HWCVD-Verfahren eine mikrokristalline Siliziumschicht aufgetragen, bevor die mikrokristalline i-Schicht aufgetragen wird. Dadurch wird der Wirkungsgrad der Dünnschichtsolarzelle um bis zu 0,8% absolut erhöht.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造具有微结晶硅的薄膜太阳能电池和根据本发明的层序列在销施加硅层或夹持的薄膜太阳能电池的下部的p型或n型层上用HWCVD法中，微晶之前微晶i层施加是。薄膜太阳能电池的效率绝对增加高达0.8％。

34. 发明申请

WO2004066354A3 PHOTO-VOLTAIC CELLS INCLUDING SOLAR CELLS INCORPORATING SILVER-ALLOY REFLECTIVE AND/OR TRANSPARENT CONDUCTIVE SURFACES 审中-公开
标题翻译：含有银合金反射和/或透明导电表面的太阳能电池的光伏电池
公开(公告)号：WO2004066354A3
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：PCT/US2004001120
申请日：2004-01-16
申请人： TARGET TECHNOLOGY CO LLC , NEE HAN H
发明人： NEE HAN H
IPC分类号： H01L20060101 , H01L31/04 , H01L31/052 , H01L31/077
CPC分类号： H01L31/077 , H01L31/02167 , H01L31/022466 , H01L31/022491 , H01L31/02366 , H01L31/048 , H01L31/056 , H01L31/1884 , Y02E10/52
摘要： The current invention provides for the manufacture of solar cells with high sunlight to electricity conversion efficiencies by using improved silver-alloy thin films with a thickness in the range of 30 to 60 nanometers as a back reflector/conductor (1). The back reflector surface may be smooth or roughened depending on the design of the solar cell and the reflective surface. Silver-alloy thin film in the thickness range of 3 to 10 nanometers can be used to replace traditional transparent conductor such as indium oxide, indium tin oxide, zinc oxide, tin oxide etc. Elements that can be alloyed with silver to create alloys for use in the invention include, Pd, Cr, Zr, Pt, Au, Cu, Cd, B, In, Zn, Mg, Be, Ni, Ti, Si, Li, Al, Mn, Mo, W, Ga, Ge, Sn, and Sb. These alloys may be present in the silver-alloys in amounts ranging from 0.01 to 10.0 a/o percent.
摘要翻译：本发明通过使用厚度在30至60纳米范围内的改进的银合金薄膜作为后反射器/导体（1）来提供具有高阳光与电转换效率的太阳能电池的制造。取决于太阳能电池和反射表面的设计，后反射器表面可以是光滑的或粗糙的。可以使用厚度范围为3至10纳米的银合金薄膜来代替传统的透明导体，如氧化铟，氧化铟锡，氧化锌，氧化锡等。可与银合金制成合金的元素本发明包括Pd，Cr，Zr，Pt，Au，Cu，Cd，B，In，Zn，Mg，Be，Ni，Ti，Si，Li，Al，Mn，Mo，W，Ga，Ge，Sn ，和Sb。这些合金可以以0.01至10.0a / o的量存在于银合金中。

35. 发明申请

WO2016074368A1 薄膜太阳能电池的制作方法及薄膜太阳能电池审中-公开
公开(公告)号：WO2016074368A1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：PCT/CN2015/073107
申请日：2015-02-15
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：任庆荣 , 王路 , 郭炜
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0368
CPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/03921 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/208 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：一种薄膜太阳能电池的制作方法及薄膜太阳能电池，所述方法包括：在衬底（101）上形成第一电极（102）；在所述第一电极（102）上形成N型掺杂层（103）和本征半导体薄膜（104）；对所述本征半导体薄膜（104）进行离子注入，并使用准分子激光退火(ELA)工艺对离子注入后的本征半导体薄膜（104）进行活化处理，从而在本征半导体薄膜（104）的上层形成P型掺杂层（1042）；在所述P型掺杂层（1042）上形成第二电极（105）。

36. 发明申请

WO2015092397A1 PHOTOVOLTAIC DEVICE COMPRISING A METAL HALIDE PEROVSKITE AND A PASSIVATING AGENT 审中-公开
标题翻译：包含金属卤化物和钝化剂的光伏器件
公开(公告)号：WO2015092397A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：PCT/GB2014/053735
申请日：2014-12-17
申请人： ISIS INNOVATION LIMITED
发明人： SNAITH, Henry J. , ABATE, Antonio , NOEL, Nakita K
IPC分类号： H01L51/42 , H01G9/20 , H01L51/46
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/032 , H01L31/077 , H01L31/1868 , H01L51/0032 , H01L51/4213 , H01L51/4226 , H01L51/448 , H01L2251/306 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： The present invention relates to devices comprising metal halide perovskites and organic passivating agents. In particular, the invention relates to photovoltaic and optoelectronic devices comprising passivated metal halide perovskites. The device according to the invention comprises: (a)a metal halide perovskite; and (b) a passivating agent which is an organic compound; wherein molecules of the passivating agent are chemically bonded to anions or cations in the metal halide perovskite. The invention also provides aprocess for producing a photovoltaic device, which photovoltaic device comprises: (a) a metal halide perovskite; and (b) a passivating agent which is an organic compound; wherein molecules of the passivating agent are chemically bonded to anions or cations in the metal halide perovskite, wherein theprocess comprises treating a metal halide perovskitewith a passivating agent, which passivating agent is an organic compound and is suitable for chemically bonding to anions or cations in the metal halide perovskite.
摘要翻译：本发明涉及包含金属卤化物钙钛矿和有机钝化剂的装置。特别地，本发明涉及包含钝化金属卤化物钙钛矿的光伏和光电器件。根据本发明的装置包括：（a）金属卤化物钙钛矿; 和（b）作为有机化合物的钝化剂; 其中钝化剂的分子化学键合到金属卤化物钙钛矿中的阴离子或阳离子。本发明还提供了一种用于生产光伏器件的方法，该光伏器件包括：（a）金属卤化物钙钛矿; 和（b）作为有机化合物的钝化剂; 其中钝化剂的分子化学键合在金属卤化物钙钛矿中的阴离子或阳离子上，其中该方法包括处理钝化剂为钝化剂的金属卤化物，该钝化剂为有机化合物，并且适用于化学键合阴离子或阳离子金属卤化物钙钛矿。

37. 发明申请

WO2014034677A1 光起電力素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：光伏元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2014034677A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：PCT/JP2013/072899
申请日：2013-08-27
申请人：三菱電機株式会社
发明人：綿引　達郎 , 檜座　秀一 , 佐藤　剛彦
IPC分类号： H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/022475 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：　ｎ型シリコン基板１の第１主面１Ａ、側面１Ｃおよび第２主面１Ｂの周縁部には、第１の非晶質シリコンｉ層２および非晶質シリコンｐ層４を備えている。一方、第１主面１Ａおよび側面１Ｃに第１のＩＴＯ層６を有し、第２主面１Ｂ上に第２の非晶質シリコンｉ層３および非晶質シリコンｎ層５を備え、その上に周縁部を残し、ｎ型シリコン基板１よりも小面積の第２のＩＴＯ層７を有している。そして、第２主面１Ｂ上の周縁部には、第１の非晶質シリコンｉ層２、非晶質シリコンｐ層４、第２の非晶質シリコンｉ層３、非晶質シリコンｎ層５をこの順に積層された構造を有する。従って追加のプロセスなしで第１および第２のＩＴＯ層６，７の分離が可能となり、リーク電流を防ぐことができる。そして、端部においてもそれぞれの膜の順序を確保し、電荷の流れを正常に維持することで、集電効果を発揮し電池機能を発揮せしめ得るようにし有効面積を最大にする。
摘要翻译：在第一主表面（1A），侧表面（1C）和第二主表面（1B）的周缘部分上设置有第一非晶硅i层（2）和非晶硅p层（4） n型硅衬底（1）。第一主表面（1A）和侧表面（1C）具有第一ITO层（6），第二非晶硅i层（3）和非晶硅n层（5），设置在第二主表面），除了周边部分之外，具有比n型硅衬底（1）的表面积小的第二ITO层（7）。第二主表面（1B）的周边部分具有以下顺序层叠第一非晶硅i层（2），非晶硅p层（4），第二非晶硅i层（3）和非晶硅n层（5）。以这种方式，可以防止泄漏电流，同时允许分离第一和第二ITO层（6,7）而没有任何额外的工艺。扩大有效表面积，以便通过在端部处确保膜的顺序来实现集电效应和电池功能，并保持正确的负载流。

38. 发明申请

WO2013102731A2 METHOD FOR THE LOW-TEMPERATURE PRODUCTION OF RADIAL-JUNCTION SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, RADIAL JUNCTION DEVICE, AND SOLAR CELL INCLUDING RADIAL-JUNCTION NANOSTRUCTURES 审中-公开
标题翻译：径向连接半导体纳米结构的低温生产方法，径向接合装置和包括径向结构纳米结构的太阳能电池
公开(公告)号：WO2013102731A2
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：PCT/FR2013050005
申请日：2013-01-03
申请人： TOTAL SA , CENTRE NAT RECH SCIENT , ECOLE POLYTECH
发明人： YU LINWEI , ROCA I CABARROCAS PERE
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L31/182 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02422 , H01L21/02472 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/167 , H01L29/24 , H01L31/035227 , H01L31/035272 , H01L31/035281 , H01L31/075 , H01L31/077 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： The present invention relates to a method for the low-temperature production of radial electronic junction semiconductor nanostructures on a substrate (2), including the steps of: a) forming metal aggregates (2) on said substrate (2), said metal aggregates being capable of electronically doping a first semiconductor material; b) growing, in the vapor phase, doped semiconductor nanowires (1) in the presence of one or more non-dopant precursor gases of said first semiconductor material, the substrate (2) being heated to a temperature at which said metal aggregates are in the liquid phase, the growth of the doped semiconductor nanowires (1) in the vapor phase being catalyzed by said metal aggregates (3); c) rendering the residual metal aggregates (3) inactive; and d) the chemical vapor deposition, in the presence of one or more precursor gases and a dopant gas, of at least one thin film of a second semiconductor material so as to form at least one radial electronic junction nanostructure between said nanowire and said at least one doped thin film. The invention also relates to a solar cell including a plurality of radial electronic junction nanostructures produced according to the invention.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在基片（2）上低温生产径向电子结半导体纳米结构的方法，包括以下步骤：a）在所述基片（2）上形成金属聚集体（2），所述金属聚集体为能够电子掺杂第一半导体材料; b）在气相中，在所述第一半导体材料的一种或多种非掺杂剂前体气体的存在下，在所述蒸气相中生长掺杂的半导体纳米线（1），将所述衬底（2）加热到所述金属聚集体处于液相中，所述气相中的掺杂半导体纳米线（1）的生长由所述金属聚集体（3）催化; c）使残余金属聚集体（3）不起作用; 以及d）在一种或多种前体气体和掺杂剂气体的存在下，化学气相沉积至少一种第二半导体材料的薄膜，以便在所述纳米线和所述第二半导体材料之间形成至少一个径向电子结纳米结构至少一个掺杂的薄膜。本发明还涉及包括根据本发明生产的多个径向电子结纳米结构的太阳能电池。

39. 发明申请

WO2012054368A3 HETEROJUNCTION SOLAR CELL INCORPORATING VERTICALLY-ALIGNED NANOWIRES 审中-公开
标题翻译：异位对称太阳能电池与垂直对准的纳米管
公开(公告)号：WO2012054368A3
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/US2011056508
申请日：2011-10-17
申请人： UT BATTELLE LLC , QU JUN , BESMANN THEODORE M , DAI SHENG , ZHANG XIAOGUANG
发明人： QU JUN , BESMANN THEODORE M , DAI SHENG , ZHANG XIAOGUANG
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/0747 , H01L31/077
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0284 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： A low-cost method is provided for forming a photovoltaic device, which is a high-performance nanostructured multijunction cell. The multiple P-N junctions or P-I-N junctions are contiguously joined to form a single contiguous P-N junction or a single contiguous P-I-N junction. The photovoltaic device integrates vertically-aligned semiconductor nanowires including a doped semiconductor material with a thin silicon layer having an opposite type of doping. This novel hybrid cell can provide a higher efficiency than conventional photovoltaic devices through the combination of the enhanced photon absorptance, reduced contact resistance, and short carrier transport paths in the nanowires. Room temperature processes or low temperature processes such as plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and electrochemical processes can be employed for fabrication of this photovoltaic device in a low-cost, scalable, and energy-efficient manner.
摘要翻译：提供了一种用于形成作为高性能纳米结构多结单元的光伏器件的低成本方法。多个P-N结或P-I-N结连续连接以形成单个连续的P-N结或单个连续的P-I-N结。光伏器件将包括掺杂半导体材料的垂直对准的半导体纳米线与具有相反类型掺杂的薄硅层集成。这种新颖的混合电池可以通过增强的光子吸收率，降低的接触电阻和纳米线中的短载流子传输路径的组合来提供比常规光伏器件更高的效率。室温过程或低温过程如等离子体增强化学气相沉积（PECVD）和电化学过程可用于以低成本，可扩展和节能的方式制造该光伏器件。

40. 发明申请

WO2012028717A1 IMPROVED A-SI:H ABSORBER LAYER FOR A-SI SINGLE- AND MULTIJUNCTION THIN FILM SILICON SOLAR CELLS 审中-公开
标题翻译：改进的A-SI：吸收层用于A-SI单片和多层薄膜硅太阳能电池
公开(公告)号：WO2012028717A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/065202
申请日：2011-09-02
申请人： OERLIKON SOLAR AG, TRUEBBACH , FECIORU-MORARIU, Marian
发明人： FECIORU-MORARIU, Marian
IPC分类号： H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/20 , H01L31/075
CPC分类号： H01L31/06875 , H01L31/03762 , H01L31/03767 , H01L31/03921 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： In order to improve a thin film solar cell with an amorphous silicon absorber layer being in single or in tandem configuration, the addressed absorber layer of a- Si:H is manufactured by plasma enhanced vapor deposition in an RF-SiH 4 plasma, wherein the deposition is performed at at least one of at the process pressure below 0.5mbar and of at an RF power density below 370W/14000cm 2 .
摘要翻译：为了改进具有单一或串联配置的非晶硅吸收层的薄膜太阳能电池，通过在RF-SiH 4等离子体中的等离子体增强气相沉积制造a-Si：H的寻址吸收层，其中沉积在低于0.5mbar的处理压力和低于370W / 14000cm 2的RF功率密度下的至少一个进行。

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