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31. 发明申请

WO2010005573A3 METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING A SOLAR CELL USING ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：使用大气压等离子体化学气相沉积法制造太阳能电池的方法和系统
公开(公告)号：WO2010005573A3
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：PCT/US2009004003
申请日：2009-07-08
申请人： TU CHAN ALBERT
发明人： TU CHAN ALBERT
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/042
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/4401 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1876 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： A process and system for producing a thin-film solar cell using atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition is disclosed. A plasma at substantially atmospheric pressure is used to deposit P-type layers, intrinsic layers and N-type layers to form one or more P-N junctions for use in a solar cell. The surface onto which a P-N junction is deposited may be prepared or cleaned using the plasma at substantially atmospheric pressure. Alternatively, the plasma at substantially atmospheric pressure may be used to deposit other layers of the solar cell such as conductive layers in contact with a P-N junction.
摘要翻译：公开了使用大气压等离子体化学气相沉积来制造薄膜太阳能电池的方法和系统。基本上在大气压下的等离子体用于沉积P型层，本征层和N型层以形成用于太阳能电池中的一个或多个P-N结。其上沉积P-N结的表面可以在基本大气压力下使用等离子体来制备或清洁。或者，基本大气压下的等离子体可用于沉积太阳能电池的其他层，例如与P-N结接触的导电层。

32. 发明申请

WO2009157084A1 真空処理装置および真空処理装置の運転方法审中-公开
标题翻译：真空加工装置和操作真空加工装置的方法
公开(公告)号：WO2009157084A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/JP2008/061728
申请日：2008-06-27
申请人：三菱重工業株式会社 , 笹川英四郎 , 榊正裕 , 上野茂一 , 川村啓介 , ▲高▼野暁巳
发明人：笹川英四郎 , 榊正裕 , 上野茂一 , 川村啓介 , ▲高▼野暁巳
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32862
摘要：　セルフクリーニングを行うタイミングを簡素に、かつ、汎用性を有するように設定でき、しかも、このタイミングを一層延長させることができ、生産効率を向上できる真空処理装置を提供することを目的とする。基板（４）に製膜処理を行う製膜室（１）内に、クリーニングガスを導入してセルフクリーニングを行うプラズマＣＶＤ装置（１００）であって、セルフクリーニングを行うタイミングは、製膜関連作業時間（Ｔｔ）とクリーニング関連作業時間（Ｔｃ）との和に占める製膜関連作業時間（Ｔｔ）の割合で示される製膜稼働時間割合（Ｐｓ）が、製膜処理量の増加に対して飽和している範囲で設定される。
摘要翻译：提供了一种真空处理装置，其能够以简单和多功能性设定进行自清洁的时机，并且还能够进一步延长该定时并提高生产效率。等离子体CVD装置（100）通过将清洁气体引入到在基板（4）上进行成膜处理的成膜室（1）中进行自清洁。在等离子体CVD装置（100）中，进行自清洁的时刻被设定在成膜操作时间百分比（Ps）相对于成膜通过量的增加而饱和的范围内，成膜操作时间表示成膜相关工作时间（Tt）与成膜相关工作时间（Tt）和清洁相关工作时间（Tc）之和的比率的百分比（Ps）。

33. 发明申请

WO2009141804A1 DEPOSITION METHOD 审中-公开
标题翻译：沉积方法
公开(公告)号：WO2009141804A1
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：PCT/IB2009/052144
申请日：2009-05-22
申请人： NXP B.V. , PAIK, Namwoong , JOERG, Jeffrey
发明人： PAIK, Namwoong , JOERG, Jeffrey
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/52 , C23C16/14
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C16/14 , C23C16/52
摘要： Gas phase nucleation conditions are controlled and/or mitigated during material deposition in semiconductor manufacturing processes. According to an example embodiment of the present invention, reaction by-product gases are monitored (e.g., 140, 160) and used to detect reactant gas conditions that promote gas phase nucleation. In some applications, an optical detection approach (e.g., 140, 142) is used to detect the presence of the reaction by-product gases, and relative amounts of the gases are used as an indicator of a ratio of reactant gases (e.g., 310, 340); the supply of reactant gases and/or other deposition conditions are correspondingly controlled (e.g., 130- 138, via 160).
摘要翻译：在半导体制造工艺中的材料沉积期间，气相成核条件被控制和/或减轻。根据本发明的示例性实施方案，监测反应副产物气体（例如，140,160），并用于检测促进气相成核的反应气体条件。在一些应用中，使用光学检测方法（例如，140,142）来检测反应副产物气体的存在，并且使用相对量的气体作为反应物气体比例的指标（例如，310 ，340）; 相应地控制反应气体的供应和/或其它沉积条件（例如，130-138，通过160）。

34. 发明申请

WO2009045217A1 PARASITIC PARTICLE SUPPRESSION IN THE GROWTH OF III-V NITRIDE FILMS USING MOCVD AND HVPE 审中-公开
标题翻译：使用MOCVD和HVPE在III-V硝酸盐膜生长过程中的PARASITIC颗粒抑制
公开(公告)号：WO2009045217A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/US2007/080460
申请日：2007-10-04
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , BOUR, David , SMITH, Jacob , NIJHAWAN, Sandeep , WASHINGTON, Lori , EAGLESHAM, David
发明人： BOUR, David , SMITH, Jacob , NIJHAWAN, Sandeep , WASHINGTON, Lori , EAGLESHAM, David
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/461
CPC分类号： H01L21/0262 , C23C16/301 , C23C16/4401 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254
摘要： A method of suppressing parasitic particle formation in a metal organic chemical vapor deposition process is described. The method may include providing a substrate to a reaction chamber, and introducing an organometallic precursor, a particle suppression compound and at least a second precursor to the reaction chamber. The second precursor reacts with the organometallic precursor to form a nucleation layer on the substrate. Also, a method of suppressing parasitic particle formation during formation of a III-V nitride layer is described. The method includes introducing a group III metal containing precursor to a reaction chamber. The group III metal precursor may include a halogen. A hydrogen halide gas and a nitrogen containing gas are also introduced to the reaction chamber. The nitrogen containing gas reacts with the group III metal precursor to form the III-V nitride layer on the substrate.
摘要翻译：描述了抑制金属有机化学气相沉积工艺中的寄生颗粒形成的方法。该方法可以包括向反应室提供底物，并将有机金属前体，颗粒抑制化合物和至少第二前体引入反应室。第二前驱体与有机金属前驱体反应以在基底上形成成核层。另外，描述了在形成III-V族氮化物层期间抑制寄生粒子形成的方法。该方法包括将含III族金属的前体引入反应室。 III族金属前体可以包括卤素。卤化氢气体和含氮气体也被引入反应室。含氮气体与III族金属前体反应以在衬底上形成III-V族氮化物层。

35. 发明申请

WO2009031419A1 真空処理システム审中-公开
标题翻译：真空加工系统
公开(公告)号：WO2009031419A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/JP2008/065038
申请日：2008-08-22
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 宮下哲也 , 多田憲倫
发明人：宮下哲也 , 多田憲倫
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/677
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/4401 , H01L21/67742
摘要：　真空処理システム（１）は、ウエハＷに対して真空下でＣＶＤ処理を行うＣＶＤ処理チャンバ（１２～１５）と、ウエハＷを搬入・搬出する搬入出口（３１）を有し、搬入出口（３１）を開閉可能なゲートバルブ（Ｇ）を介してＣＶＤ処理チャンバ（１２～１５）が接続され、ウエハＷを搬入出口（３１）を介してＣＶＤ処理チャンバ（１２～１５）に対し、搬入出する搬送機構（１６）を備え、その内部が真空状態に保持される搬送室（１１）と、搬入出口（３１）近傍に設けられ、ゲートバルブ（Ｇ）を開いて搬送室（１１）といずれかのＣＶＤ処理チャンバが連通した状態で、搬入出口（３１）を経由してそのＣＶＤ処理チャンバへパージガスを吐出するパージガス吐出部材（５１）とを具備する。
摘要翻译：真空处理系统（1）设置有CVD处理室（12-15），传送室（11）和净化气体排出构件（51）。在每个CVD处理室中，在真空状态下对晶片（W）进行CVD处理。传送室具有用于进出晶片（W）的输入/输出端口（31），并且CVD处理室（12-15）通过可以打开的闸阀（G）连接到传送室 /关闭进/出口（31）。传送室设置有传送机构（16），用于通过进/出端口（31）将晶圆（W）送入/离开CVD处理室（12-15），并且传送内部室保持在真空状态。吹扫气体排出构件设置在进出口（31）附近，用于通过输入/输出口（31）将清洗气体排放到CVD处理室中，其中闸阀（G ）打开，并且传送室（11）与CVD处理室中的一个连通。

36. 发明申请

WO2008045972A3 PRECURSOR DELIVERY SYSTEM 审中-公开
标题翻译：先驱交付系统
公开(公告)号：WO2008045972A3
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/US2007081005
申请日：2007-10-10
申请人： ASM INC
发明人： FONDURULIA KYLE , SHERO ERIC , VERGHESE MOHITH E , WHITE CARL L
IPC分类号： C23C16/448
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/4401 , C23C16/4402
摘要： A precursor source vessel (100) comprises a vessel body (104), a passage (145) within the vessel body (104), and a valve (108, 110, 210) attached to a surface of the body (104). An internal chamber (111) is adapted to contain a chemical reactant, and the passage (145) extends from outside the body (104) to the chamber (111). The valve (108, 110, 210) regulates flow through the passage (145). The vessel (100) has inlet and outlet valves (108, 110), and optionally a vent valve (210) for venting internal gas. An external gas panel (97) can include at least one valve (182) fluidly interposed between the outlet valve (110) and a substrate reaction chamber (162). Gas panel valves (182) can each be positioned along a plane that is generally parallel to, and no more than about 10.0 cm from, a flat surface of the vessel (100). Filters (130) in a vessel Hd (106) or wall filter gas flow through the vessel's valves (108, 110, 210). A quick-connection assembly (102) allows fast and easy connection of the vessel (100) to a gas panel (97).
摘要翻译：前体源容器（100）包括容器主体（104），容器主体（104）内的通道（145）以及附接到主体（104）的表面的阀（108,110,210）。内室（111）适于容纳化学反应物，并且通道（145）从主体（104）的外部延伸到室（111）。阀（108,110,210）调节通过通道（145）的流量。容器（100）具有入口阀和出口阀（108,110），并且可选地具有用于排出内部气体的排气阀（210）。外部气体面板（97）可以包括流体地介于出口阀（110）和基底反应室（162）之间的至少一个阀（182）。气体面板阀（182）可各自沿着与容器（100）的平坦表面大致平行且不超过约10.0cm的平面定位。容器Hd（106）中的过滤器（130）或壁式过滤器气体流过容器的阀（108,110,210）。快速连接组件（102）允许容器（100）快速且容易地连接到气体面板（97）。

37. 发明申请

WO2008018760A1 METHOD AND APPARATUS FOR PREPARATION OF GRANULAR POLYSILICON 审中-公开
标题翻译：用于制备颗粒聚硅氧烷的方法和装置
公开(公告)号：WO2008018760A1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：PCT/KR2007/003827
申请日：2007-08-09
申请人： KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY , KIM, Hee Young , YOON, Kyung Koo , PARK, Yong Ki , CHOI, Won Choon
发明人： KIM, Hee Young , YOON, Kyung Koo , PARK, Yong Ki , CHOI, Won Choon
IPC分类号： C30B29/06 , C30B25/00
CPC分类号： C01B33/027 , C23C16/24 , C23C16/4401 , C23C16/442
摘要： A process for preparing granular polysilicon using a fluidized bed reactor is disclosed. The upper and lower spaces of the bed are defined as a reaction zone and a heating zone, respectively, with the height of the reaction gas outlet being selected as the reference height. The invention maximizes the reactor productivity by sufficiently providing the heat required and stably maintaining the reaction temperature in the reaction zone, without impairing the mechanical stability of the fluidized bed reactor. This is achieved through electrical resistance heating in the heating zone where an internal heater is installed in a space in between the reaction gas supplying means and the inner wall of the reactor tube, thereby heating the fluidizing gas and the silicon particles in the heating zone. The heat generated in the heating zone is transferred to the reaction zone by supplying the fluidizing gas at such a rate that the silicon particles can be intermixed between the reaction zone and the heating zone in a continuous, fluidized state.
摘要翻译：公开了一种使用流化床反应器制备颗粒状多晶硅的方法。床的上部和下部空间分别被定义为反应区和加热区，反应气体出口的高度被选为参考高度。本发明通过充分提供所需的热量并稳定地维持反应区域中的反应温度，而不损害流化床反应器的机械稳定性，使反应器生产率最大化。这是通过加热区域中的电阻加热来实现的，其中内部加热器安装在反应气体供给装置和反应器管的内壁之间的空间中，从而加热流化气体和加热区域中的硅颗粒。通过以使得硅颗粒能够以连续流化状态在反应区和加热区之间混合的速率供给流化气体，将加热区中产生的热转移到反应区。

38. 发明申请

WO2007016592A3 GAS MANIFOLD VALVE CLUSTER 审中-公开
标题翻译：气体歧管阀组
公开(公告)号：WO2007016592A3
公开(公告)日：2007-10-04
申请号：PCT/US2006030000
申请日：2006-07-31
申请人： AVIZA TECH INC , BERCAW CRAIG , COSSENTINE DAN , YAO JACK CHIHCHIEH , LO TOMMY , DEDONTNEY JAY BRIAN , BARTHOLOMEW LAWERENCE D , CHATHAM III ROBERT HOOD
发明人： BERCAW CRAIG , COSSENTINE DAN , YAO JACK CHIHCHIEH , LO TOMMY , DEDONTNEY JAY BRIAN , BARTHOLOMEW LAWERENCE D , CHATHAM III ROBERT HOOD
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , H01L21/6719 , H01L21/67751
摘要： The present invention relates generally to a deposition apparatus for semiconductor processing. More specifically, embodiments of the present invention relate to a gas manifold valve cluster and deposition apparatus. In some embodiments of the present invention a gas manifold valve cluster and system are provided that promotes reduced length and volumes of gas lines that will be exposed to atmosphere during cleaning which minimizes the time required to perform process chamber maintenance and therefore increase the productivity of the process chamber. In other embodiments a gas manifold valve cluster and ALD deposition apparatus are provided.
摘要翻译：本发明一般涉及用于半导体处理的沉积设备。更具体地，本发明的实施例涉及一种气体歧管阀组和沉积装置。在本发明的一些实施例中，提供了一种气体歧管阀组和系统，其促进在清洁过程中将暴露于大气中的气体管线的减小的长度和体积，这使得进行处理室维护所需的时间最小化并因此提高了生产率处理室。在其他实施例中，提供了气体歧管阀组和ALD沉积装置。

39. 发明申请

WO2007033832A3 DEVICE AND METHOD FOR CONTINUOUS CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION UNDER ATMOSPHERIC PRESSURE AND USE THEREOF 审中-公开
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR连续分离常压下气相和它们的用途
公开(公告)号：WO2007033832A3
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：PCT/EP2006009228
申请日：2006-09-22
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , REBER STEFAN , HURRLE ALBERT , SCHILLINGER NORBERT
发明人： REBER STEFAN , HURRLE ALBERT , SCHILLINGER NORBERT
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/453 , C23C16/455 , C23C16/45502 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/4583 , C23C16/54 , C23C16/545
摘要： The invention relates to a device and a method for continuous chemical vapour deposition onto substrates under atmospheric pressure. The device is based around a reaction chamber and the substrates are guided along the open sides of said chamber. The substrates are subsequently coated on the side that faces the interior of the chamber.
摘要翻译：本发明涉及一种装置和用于根据在基板上大气压连续化学气相沉积的方法。在这种情况下，设备是基于一个反应室，衬底沿其开口侧，其可以由在侧面向基板的腔室内部侧的各自的涂层引导。

40. 发明申请

WO2006019565A3 METHOD AND SYSTEM FOR COATING INTERNAL SURFACES OF PREFABRICATED PROCESS PIPING IN THE FIELD 审中-公开
标题翻译：用于涂装现场预制工艺管道内表面的方法和系统
公开(公告)号：WO2006019565A3
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：PCT/US2005023906
申请日：2005-07-06
申请人： SUB ONE TECHNOLOGY INC , BOARDMAN WILLIAM JOHN , TUDHOPE ANDREW WILLIAM , MERCADO RAUL DONATE
发明人： BOARDMAN WILLIAM JOHN , TUDHOPE ANDREW WILLIAM , MERCADO RAUL DONATE
IPC分类号： C23C16/00 , C23C14/34
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/4401 , C23C16/503 , C23C16/505
摘要： The coating of internal surfaces of a workpiece is achieved by connecting a bias voltage (20 and 47) such that the workpiece functions as a cathode and by connecting an anode (22 and 24) at each opening of the workpiece. A source gas (16 and 18) is introduced at an entrance opening, while a vacuum source (32) is connected at an exit opening. Pressure within the workpiece is monitored (34) and the resulting pressure information is used for maintaining a condition that exhibits the hollow cathode effect. Optionally, a pre-cleaning (52) may be provided by introducing a hydrocarbon mixture and applying a negative bias to the workpiece, so as to sputter contaminants from the workpiece using argon gas (16). Argon gas may also be introduced during the coating processing to re-sputter the coating, thereby improving uniformity along the length of the workpiece. The coating may be a diamond-like carbon material having properties which are determined by controlling ion bombardment energy.
摘要翻译：通过连接偏置电压（20和47）使得工件用作阴极并且通过在工件的每个开口处连接阳极（22和24）来实现工件的内表面的涂层。源气体（16和18）在入口处被引入，而真空源（32）在出口处连接。监测工件内的压力（34），并将所得的压力信息用于保持呈现空心阴极效应的状态。可选地，可以通过引入烃混合物并向工件施加负偏压来提供预清洁（52），以便使用氩气（16）从工件溅射污染物。也可以在涂覆处理期间引入氩气以重新溅射涂层，从而提高沿工件长度的均匀性。涂层可以是具有通过控制离子轰击能确定的性质的类金刚石碳材料。

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