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1. 发明申请

WO2009157084A1 真空処理装置および真空処理装置の運転方法审中-公开
标题翻译：真空加工装置和操作真空加工装置的方法
公开(公告)号：WO2009157084A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/JP2008/061728
申请日：2008-06-27
申请人：三菱重工業株式会社 , 笹川英四郎 , 榊正裕 , 上野茂一 , 川村啓介 , ▲高▼野暁巳
发明人：笹川英四郎 , 榊正裕 , 上野茂一 , 川村啓介 , ▲高▼野暁巳
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32862
摘要：　セルフクリーニングを行うタイミングを簡素に、かつ、汎用性を有するように設定でき、しかも、このタイミングを一層延長させることができ、生産効率を向上できる真空処理装置を提供することを目的とする。基板（４）に製膜処理を行う製膜室（１）内に、クリーニングガスを導入してセルフクリーニングを行うプラズマＣＶＤ装置（１００）であって、セルフクリーニングを行うタイミングは、製膜関連作業時間（Ｔｔ）とクリーニング関連作業時間（Ｔｃ）との和に占める製膜関連作業時間（Ｔｔ）の割合で示される製膜稼働時間割合（Ｐｓ）が、製膜処理量の増加に対して飽和している範囲で設定される。
摘要翻译：提供了一种真空处理装置，其能够以简单和多功能性设定进行自清洁的时机，并且还能够进一步延长该定时并提高生产效率。等离子体CVD装置（100）通过将清洁气体引入到在基板（4）上进行成膜处理的成膜室（1）中进行自清洁。在等离子体CVD装置（100）中，进行自清洁的时刻被设定在成膜操作时间百分比（Ps）相对于成膜通过量的增加而饱和的范围内，成膜操作时间表示成膜相关工作时间（Tt）与成膜相关工作时间（Tt）和清洁相关工作时间（Tc）之和的比率的百分比（Ps）。

2. 发明申请

WO2008029476A1 太陽電池パネル及び太陽電池パネルの製造方法审中-公开
标题翻译：太阳能电池板及制造太阳能电池板的方法
公开(公告)号：WO2008029476A1
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：PCT/JP2006/317846
申请日：2006-09-08
申请人：三菱重工業株式会社 , 笹川英四郎 , 小鍛冶聡司 , 小川和彦 , 堀岡竜治
发明人：笹川英四郎 , 小鍛冶聡司 , 小川和彦 , 堀岡竜治
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/046 , H01L31/0463 , Y02E10/50
摘要：　太陽電池パネルは、基板１と複数の発電セル５とを具備する。基板１は、第１辺１ａと第２辺１ｂと第３辺１ｃと第４辺１ｄとを有する。複数の発電セル５は、基板１上に設けられ、第１辺１ａに沿って並び、互いに直列に接続されている。複数の発電セル５は、第１辺１ａの近傍で第１辺１ａに沿う第１溝１５ａと、第２辺１ｂの近傍で第２辺１ｂに沿う第２溝１５ｂとを有し、第３辺１ｃの近傍で第３辺１ｃに沿う溝及び第４辺１ｄの近傍で第４辺１ｄに沿う溝は有さない。第１溝１５ａ及び第２溝１５ｂは、複数の発電セル５の表面から基板１の表面に向けて形成され、基板１の端に達しないように第３辺１ｃ及び第４辺１ｄの近傍まで伸びている。
摘要翻译：太阳能电池板设置有基板（1）和多个发电单元（5）。基板（1）设置有第一侧（1a），第二侧（1b），第三侧（1c）和第四侧（1d）。发电单元（5）沿着第一侧（1a）布置在基板（1）上并串联连接。发电单元（5）在第一侧（1a）附近具有沿着第一侧（1a）的第一槽（15a）和沿着第二侧（1b）的第二槽（15b）第二侧（1b）的附近，并且在第三侧（1c）附近沿着第三侧（1c）设置槽，在第三侧附近设有沿着第四侧（1d）的槽第四面（1d）。第一槽（15a）和第二槽（15b）从发电单元（5）的表面朝向基板（1）的表面形成，并且延伸到第三侧（1c）附近，并且第四面（1d）不到达基板（1）的端部。

3. 发明申请

WO2004040629A1 プラズマ化学蒸着装置における高周波プラズマの大面積均一化方法及び装置审中-公开
标题翻译：在等离子体活化CVD系统中制备均匀高频等离子体的方法和系统
公开(公告)号：WO2004040629A1
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/JP2002/011208
申请日：2002-10-29
申请人：三菱重工業株式会社 , 川村啓介 , 高野暁巳 , 真島浩 , 高塚汎 , 山内康弘 , 竹内良昭 , 笹川英四郎
发明人：川村啓介 , 高野暁巳 , 真島浩 , 高塚汎 , 山内康弘 , 竹内良昭 , 笹川英四郎
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32174 , C23C16/509 , H01J37/32082
摘要： A system for making uniform the plasma generating conditions over a large area in a plasma-activated CVD system utilizing very high frequency (VHF). The system comprises first and second power supply sections disposed at the opposite end parts of a discharge electrode in the plasma-activated CVD system, wherein a cycle for supplying high frequency power of the same frequency and a cycle for supplying high frequency power of different frequency are conducted alternately at the first and second power supply sections such that the plasma generating conditions become uniform over a large area when viewed on time average due to plasma of different generating conditions in each cycle.
摘要翻译：一种利用非常高频（VHF）在等离子体激活的CVD系统中在大面积上均匀等离子体产生条件的系统。该系统包括设置在等离子体激活CVD系统中的放电电极的相对端部处的第一和第二电源部分，其中提供相同频率的高频功率的周期和用于提供不同频率的高频功率的周期在第一和第二电源部分交替地传导，使得等离子体产生条件在由于每个周期中不同发生条件的等离子体的时间平均观察而在大面积上变得均匀。

4. 发明申请

WO2012017717A1 真空処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：真空加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2012017717A1
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：PCT/JP2011/060625
申请日：2011-05-09
申请人：三菱重工業株式会社 , 中尾禎子 , 笹川英四郎 , 竹内良昭 , 宮園直之 , 大坪栄一郎
发明人：中尾　禎子 , 笹川　英四郎 , 竹内　良昭 , 宮園　直之 , 大坪　栄一郎
IPC分类号： C23C16/509 , H01L21/205 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/4412 , C23C16/4557 , C23C16/45578 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01J37/32229 , H01L31/1804 , H01L31/1816 , H01L31/1824 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　リッジ電極及び基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定したプラズマ処理が行える真空処理装置を提供する。プラズマが生成される排気側リッジ電極（２１ａ）及び基板側リッジ電極（２１ｂ）を有するリッジ導波管からなる放電室（２）と、高周波電力を方形導波管の基本伝送モードであるＴＥモードに変換して放電室（２）に伝送し、排気側リッジ電極（２１ａ）及び基板側リッジ電極（２１ｂ）の間にプラズマを発生させる一対の変換器と、基板側リッジ電極（２１ｂ）の外面側に設置されて温度を均等に加熱する均熱温調器（４０）と、排気側リッジ電極（２１ａ）の外面側に設置されてプラズマ処理が施される基板（Ｓ）の板厚方向の熱流束を制御する熱吸収温調ユニット（５０）とを有し、基板（Ｓ）を排気側リッジ電極（２１ａ）及び基板側リッジ電極（２１ｂ）の間に設置してプラズマ処理を施す。
摘要翻译：提供一种能够抑制脊电极和基板的热变形的真空处理装置，并且即使是大的基板也能够进行稳定的等离子体处理。该装置具有：由其中产生等离子体的脊形波导构成的放电室（2），具有放气侧脊电极（21a）和基板侧脊电极（21b）; 一对转换器，其通过将高频功率的模式转换为TE模式（即，矩形波导的基本传输模式）将高频电力传输到放电室（2），并且使得在空气之间产生等离子体 - 释放侧脊电极（21a）和基板侧脊电极（21b）; 均匀加热温度控制器（40），其设置在基板侧脊电极（21b）的外表面侧，并且进行均匀加热; 以及吸热温度控制单元（50），其设置在所述排气侧脊电极（21a）的外表面侧，并将基板（S）的厚度方向的热流量控制为被等离子体处理。基板（S）配置在放气侧隆起电极（21a）和基板侧隆起电极（21b）之间，对基板进行等离子体处理。

5. 发明申请

WO2009119124A1 光電変換装置审中-公开
标题翻译：光电转换器件
公开(公告)号：WO2009119124A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/050094
申请日：2009-01-07
申请人：三菱重工業株式会社 , 呉屋真之 , 笹川英四郎 , 真島浩 , 坂井智嗣
发明人：呉屋真之 , 笹川英四郎 , 真島浩 , 坂井智嗣
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/077 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要：　高変換効率を有し、量産性に優れた大面積光電変換装置を提供する。基板（１）上に結晶質シリコン層を含む光電変換層（３）を形成した光電変換装置（１００）であって、結晶質シリコン層が結晶質シリコンｉ層（４２）を有し、結晶質シリコンｉ層（４２）における非晶質シリコン相のラマンピーク強度に対する結晶質シリコン相のラマンピーク強度の比であるラマンピーク比の平均値が４以上８以下、ラマンピーク比の標準偏差が１以上３以下、かつ、ラマンピーク比が４以下となる領域の割合が０％以上１５％以下で表される基板面内分布を有する。基板（１）の光電変換層（３）を形成した面の大きさが１ｍ角以上であり、結晶質シリコンｉ層（４２）におけるラマンピーク比の平均値が５以上８以下、ラマンピーク比の標準偏差が１以上３以下、かつ、ラマンピーク比が４以下となる領域の割合が０％以上１０％以下で表される基板面内分布を有する光電変換装置（１００）。
摘要翻译：提供了一种具有高转换效率和优异的批量生产效率的大面积光电转换装置。光电转换装置（100）包括含有在基板（1）上形成的结晶硅酮层的光电转换层（3）。光电转换装置（100）在基板中具有如下分布：结晶硅酮层具有晶体硅i层（42）; 晶体硅酮相的拉曼峰强度的拉曼峰值的比值相对于结晶性硅酮i层（42）中的非晶硅相的拉曼峰强度的平均值为4以上，不大于拉曼峰值比的标准偏差不小于1且不大于3; 并且拉曼峰值比不大于4的区域的比率不小于0％且不大于15％。基板（1）中的光电转换层（3）的尺寸不小于1m×1μm。结晶硅氧烷i层（42）中的拉曼峰值比的平均值不小于5且不大于8.拉曼峰值比的标准偏差不小于1且不大于3.比率的拉曼峰值比不大于4的区域不小于0％且不大于10％。

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