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31. 发明申请

WO2004015362A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EINE SCHMALE SCHNEIDE ODER SPITZE AUFWEISENDEN STRUKTUR UND MIT EINER SOLCHEN STRUKTUR VERSEHENER BIEGEBALKEN 审中-公开
标题翻译：一种用于生产窄，切割或峰分别具有结构和这样的结构中提供弯梁
公开(公告)号：WO2004015362A2
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：PCT/DE2003/002627
申请日：2003-08-04
申请人： UNIVERSITÄT KASSEL , ÖSTERSCHULZE, Egbert , KASSING, Rainer , GEORGIEV, Georgi
发明人： ÖSTERSCHULZE, Egbert , KASSING, Rainer , GEORGIEV, Georgi
IPC分类号： G01B7/34
CPC分类号： B81B1/008 , B81B2203/0118 , B81C1/00111 , G01Q70/10 , G01Q70/16
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer eine scharfe Spitze oder Schneide (20) aufweisenden Struktur (21) beschrieben. Ein Substrat (1), insbesondere ein Halbleitersubstrat, wird auf einer Oberfläche (2) mit wenigstens einer spitz zulaufenden, einen Spitzenabschnitt (4) und Seitenwände (5) aufweisenden Vertiefung (6) und zumindest im Bereich der Vertiefung (6) mit einer nachträglich aufgebrachten Schicht (7) versehen, und die Struktur (21) wird dann durch Abformung des Substrats (1) im Bereich der Vertiefung (6) erhalten. Erfindungsgemäss wird die Schicht (7) vor der Abformung im Bereich des Spitzenabschnitts (4) durch selektives Ätzen mit einer die Höhe der Vertiefung (6) vergrössernden Öffnung (10) versehen. Ausserdem wird ein nach diesem Verfahren hergestellter Biegebalken beschrieben.
摘要翻译：描述了一种用于尖点的制备或切削刃（20），其具有结构（21）的步骤。的基板（1），特别是半导体基板，在表面上（2），具有至少一个锥形，前端部（4）和侧壁（5），其具有凹部（6）和至少在所述凹部（6）与随后的区域中涂布层（7）被设置，然后在凹部（6）的区域中通过在衬底（1）的成型而得到的结构（21）。根据本发明，对由于选择性腐蚀提供在尖端部分（4）的区域中的印象之前，层（7）与一个放大凹部（6）的开口（10）的高度。另外，通过这种方法产生的光束偏转进行说明。

32. 发明申请

WO03027002A2 METHOD FOR THE PRODUCTION OF A MICROMECHANICAL STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：工艺微机械结构
公开(公告)号：WO03027002A2
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：PCT/DE0202111
申请日：2002-06-10
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , FISCHER FRANK , METZGER LARS
发明人： FISCHER FRANK , METZGER LARS
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00595 , B81B2203/0118 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132
摘要： The invention relates to a method for the production of a micromechanical structure, comprising the following steps: a micromechanical structure is provided with a first micromechanical structural element (MS) made of a first material and a second micromechanical structure element (OS) made of a second material; a gaseous etching medium (G) is conducted over the micromechanical structure, said etching medium (G) being constituted in such a way that it etches the second material selectively as opposed to the first material in a first temperature range above room temperature; the micromechanical structure is brought to the first temperature range for selective etching of the second material as opposed to the first material.
摘要翻译：本发明提供了一种用于制造包括以下步骤的微机械结构的方法，包括：提供具有第一材料的第一微机械结构元件（MS）和第二材料的第二微机械结构元件（OS）的微机械结构; 上的微机械结构传递的气态蚀刻介质（G），所述蚀刻介质（G）是具有这样的性质，它选择性地蚀刻在第一温度范围高于所述第一材料室温下所述第二材料制成; 以及使所述微机械结构在所述第一温度范围的第二材料的在所述第一材料的选择性蚀刻。

33. 发明申请

WO0244033A3 MEMS DEVICE WITH INTEGRAL PACKAGING 审中-公开
标题翻译：具有整体封装的MEMS器件
公开(公告)号：WO0244033A3
公开(公告)日：2002-12-12
申请号：PCT/US0145132
申请日：2001-11-29
申请人： MICROASSEMBLY TECHNOLOGIES INC
发明人： COHN MICHAEL B , XU JI-HAI
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/00 , B81C1/00 , H01H59/00 , H01H57/00
CPC分类号： H01H59/0009 , B81B7/0077 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2207/093 , B81C1/00301 , B81C1/00357 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01H2059/0018 , H01H2059/0072
摘要： A MEMS device (400) and method of making same is disclosed. In one embodiment, a micro-switch includes a base assembly (220) comprising a movable structure (230) bearing a contact pad (234). The base assembly (220) is wafer-scale bonded to a lid assembly (202) comprising an activator (210), and a signal path. The movable structure (230) moves within a sealed cavity (238) formed during the bonding process. The signal path includes an input line (300) and an output line (302) separated by a gap (308), which prevent signals from propagating through the micro-switch (400) when the switch (400) is deactivated. In operation, a signal is launched into the signal path. When the micro-switch (400) is activated, a force (402) is established by the actuator (210), which pulls a portion of the movable structure (230) upwards towards the gap (308) in the signal path, until the contact pad (234) bridges the gap between the input line (300) and output line (302), allowing the signal to propagate through the micro-switch (400). Prior to bonding, the MEMS structures are annealed on a first wafer and the conductive traces and other metals are annealed on a second wafer to allow each wafer to be processed separately using different processes, e.g., different annealing temperatures.
摘要翻译：公开了一种MEMS器件（400）及其制造方法。在一个实施例中，微型开关包括基部组件（220），其包括承载接触垫（234）的可移动结构（230）。基座组件（220）被晶片刻度地结合到包括激活器（210）的盖组件（202）和信号路径。可移动结构（230）在接合过程中形成的密封空腔（238）内移动。信号路径包括输入线（300）和由间隙（308）分开的输出线（302），当开关（400）被停用时，该线路防止信号通过微型开关（400）传播。在操作中，信号被发送到信号路径中。当微动开关（400）被激活时，致动器（210）建立力（402），致动器（210）将可移动结构（230）的一部分朝向信号路径中的间隙（308）向上拉动，直到接触焊盘（234）桥接输入线（300）和输出线（302）之间的间隙，允许信号传播通过微型开关（400）。在结合之前，MEMS结构在第一晶片上退火，并且导电迹线和其它金属在第二晶片上进行退火，以允许使用不同工艺（例如不同的退火温度）分别对每个晶片进行加工。

34. 发明申请

WO0042231A9 POLYCRYSTALLINE SILICON GERMANIUM FILMS FOR FORMING MICRO-ELECTROMECHANICAL SYSTEMS 审中-公开
标题翻译：用于形成微机电系统的多晶硅锗薄膜
公开(公告)号：WO0042231A9
公开(公告)日：2001-10-25
申请号：PCT/US0000964
申请日：2000-01-14
申请人： UNIV CALIFORNIA , FRANKE ANDREA , HOWE ROGER T , KING TSU JAE
发明人： FRANKE ANDREA , HOWE ROGER T , KING TSU-JAE
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , H01L21/3205 , H01L21/8238 , H01L23/52 , H01L27/092 , H03H9/24 , H01L31/0312 , C25D5/02 , H01L29/73 , H01L8/227
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2203/0118 , B81C2201/0109 , B81C2203/0735 , Y10S438/933
摘要： This invention relates to micro-electromechanical systems using silicon-germanium films. The invention features a process for forming a micro-electromechanical system on a substrate. This process includes depositing a sacrificial layer of silicon-germanium onto the substrate; depositing a structural layer of silicon-germanium onto the sacrificial layer, where the germanium content of the sacrificial layer is greater than the germanium content of the structural layer; and removing a portion of the sacrificial layer. A MEMS resonator (105) as seen in figure 1B can be produced by the present invention.
摘要翻译：本发明涉及使用硅锗膜的微机电系统。本发明的特征在于用于在衬底上形成微机电系统的过程。该工艺包括在衬底上沉积牺牲硅锗层; 在牺牲层上沉积硅锗结构层，其中牺牲层的锗含量大于结构层的锗含量; 并去除牺牲层的一部分。如图1B所示的MEMS谐振器（105）可以由本发明制造。

35. 发明申请

WO0042231A2 POLYCRYSTALLINE SILICON GERMANIUM FILMS FOR FORMING MICRO-ELECTROMECHANICAL SYSTEMS 审中-公开
标题翻译：用于形成微电子系统的多晶硅硅胶薄膜
公开(公告)号：WO0042231A2
公开(公告)日：2000-07-20
申请号：PCT/US0000964
申请日：2000-01-14
申请人： UNIV CALIFORNIA , FRANKE ANDREA , HOWE ROGER T , KING TSU JAE
发明人： FRANKE ANDREA , HOWE ROGER T , KING TSU-JAE
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , H01L21/3205 , H01L21/8238 , H01L23/52 , H01L27/092 , H03H9/24 , C23C
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2203/0118 , B81C2201/0109 , B81C2203/0735 , Y10S438/933
摘要： This invention relates to micro-electromechanical systems using silicon-germanium films. The invention features a process for forming a micro-electromechanical system on a substrate. This process includes depositing a sacrificial layer of silicon-germanium onto the substrate; depositing a structural layer of silicon-germanium onto the sacrificial layer, where the germanium content of the sacrificial layer is greater than the germanium content of the structural layer; and removing a portion of the sacrificial layer. A MEMS resonator (105) as seen in figure 1B can be produced by the present invention.
摘要翻译：本发明涉及使用硅 - 锗膜的微机电系统。本发明的特征在于在基板上形成微机电系统的方法。该方法包括在衬底上沉积硅 - 锗的牺牲层; 在牺牲层上沉积硅 - 锗的结构层，其中牺牲层的锗含量大于结构层的锗含量; 以及去除牺牲层的一部分。通过本发明可以制造如图1B所示的MEMS谐振器（105）。

36. 发明申请

WO2017049278A1 PLATE SPRING 审中-公开
标题翻译：板弹簧
公开(公告)号：WO2017049278A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/US2016/052461
申请日：2016-09-19
申请人： VESPER TECHNOLOGIES INC.
发明人： LITTRELL, Robert J.
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/00
CPC分类号： B81B3/0048 , B81B2201/0257 , B81B2203/0118 , B81B2203/0163 , H04R17/02 , H04R17/025 , H04R31/00 , H04R2201/003 , H04R2410/03
摘要： A transducer and method for processing a MEMS transducer. In one aspect, the MEMS transducer includes a first plate and a second plate. The MEMS transducer can also include a spring substantially between the first plate and the second plate, the spring including first and second spring arms dimensioned to decrease vertical deflection mismatch between the first and second plates, relative to vertical deflection mismatch of the first and second plates independent of the spring.
摘要翻译：一种用于处理MEMS换能器的换能器和方法。在一个方面，MEMS换能器包括第一板和第二板。 MEMS换能器还可以包括基本上在第一板和第二板之间的弹簧，弹簧包括第一和第二弹簧臂，其尺寸被设计成相对于第一和第二板的垂直偏转失配而减小第一和第二板之间的垂直偏转失配独立于春天。

37. 发明申请

WO2016209207A1 INTEGRATING MEMS STRUCTURES WITH INTERCONNECTS AND VIAS 审中-公开
标题翻译：用互连和VIAS集成MEMS结构
公开(公告)号：WO2016209207A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：PCT/US2015/037024
申请日：2015-06-22
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： LIN, Kevin Lai , PAWASHE, Chytra , KIM, Raseong , YOUNG, Ian A. , SINGH, Kanwal Jit , BRISTOL, Robert L.
IPC分类号： B81B7/02 , H01L21/8238
CPC分类号： B81B7/007 , B81B2203/0118 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81B2207/094 , B81C1/00246 , B81C1/00301 , B81C2201/0109 , B81C2201/014 , B81C2203/0714 , B81C2203/0742 , B81C2203/0771
摘要： A conductive layer is deposited into a trench in a sacrificial layer on a substrate. An etch stop layer is deposited over the conductive layer. The sacrificial layer is removed to form a gap. In one embodiment, a beam is over a substrate. An interconnect is on the beam. An etch stop layer is over the beam. A gap is between the beam and the etch stop layer.
摘要翻译：将导电层沉积在衬底上的牺牲层中的沟槽中。蚀刻停止层沉积在导电层上。去除牺牲层以形成间隙。在一个实施例中，光束在衬底上。横梁上有互连。蚀刻停止层在光束上。在光束和蚀刻停止层之间存在间隙。

38. 发明申请

WO2015199721A1 MAGNETIC NANOMECHANICAL DEVICES FOR STICTION COMPENSATION 审中-公开
标题翻译：用于补偿的磁性纳米器件
公开(公告)号：WO2015199721A1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：PCT/US2014/044594
申请日：2014-06-27
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： MUNOZ, Jorge A. , NIKONOV, Dmitri E. , KUHN, Kelin J. , THEOFANIS, Patrick , PAWASHE, Chytra , LIN, Kevin , KIM, Seiyon
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B82B1/005 , B81B3/0016 , B81B7/02 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B82B1/002 , B82B3/0023 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01H1/0094 , H01H1/54 , H01H59/0009 , H01L29/66227 , H01L29/82 , H01L29/84 , Y10S977/732 , Y10S977/838 , Y10S977/888 , Y10S977/938
摘要： Nanoelectromechanical (NEMS) devices having nanomagnets for an improved range of operating voltages and improved control of dimensions of a cantilever are described. For example, in an embodiment, a nanoelectromechanical (NEMS) device includes a substrate layer, a first magnetic layer disposed above the substrate layer, a first dielectric layer disposed above the first magnetic layer, a second dielectric disposed above the first dielectric layer, and a cantilever disposed above the second dielectric layer. The cantilever bends from a first position to a second position towards the substrate layer when a voltage is applied to the cantilever.
摘要翻译：描述了具有改进的工作电压范围的纳米磁体和改进的悬臂尺寸控制的纳米机电（NEMS）装置。例如，在一个实施例中，纳米机电（NEMS）器件包括衬底层，设置在衬底层上方的第一磁性层，设置在第一磁性层上方的第一介电层，设置在第一介电层上方的第二电介质，以及布置在第二介电层上方的悬臂。当向悬臂施加电压时，悬臂从第一位置弯曲到第二位置朝向衬底层。

39. 发明申请

WO2015120991A9 ATOMIC FORCE MICROSCOPE MEASURING DEVICE 审中-公开
标题翻译：原子力显微镜测量装置
公开(公告)号：WO2015120991A9
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/EP2015000349
申请日：2015-02-17
申请人： UNIVERSITÄT BASEL , ETH ZÜRICH
发明人： MARTINEZ-MARTIN DAVID , MUELLER DANIEL J , MARTIN SASCHA , GERBER CHRISTOPH
IPC分类号： G02B21/00 , G01N21/64 , G01Q30/02 , G02B21/16
CPC分类号： G01Q30/025 , B81B3/0029 , B81B2201/0214 , B81B2201/047 , B81B2203/0118 , G01G9/00 , G01N21/6458 , G01N21/65 , G01N2021/6441 , G01N2201/06113 , G01Q10/045 , G02B21/0088 , G02B21/16 , G02B21/24 , G02B21/26 , G02B21/32
摘要： Atomic force microscope measuring device comprising a micro-cantilever and an intensity modulated laser exciting the cantilever, wherein the measuring device comprises an optical microscope, in particular a fluorescence microscope, a confocal microscope, a fluorescence energy transfer (FRET) microscope, a DIC and/or phase contrast microscope, all of those in particular construed as an inverted microscope.
摘要翻译：包括微悬臂梁和激发该悬臂梁的强度调制激光器的原子力显微镜测量装置，其中该测量装置包括光学显微镜，特别是荧光显微镜，共焦显微镜，荧光能量转移（FRET）显微镜，DIC和 /或相差显微镜，所有这些特别被解释为倒置显微镜。

40. 发明申请

WO2015120991A1 ATOMIC FORCE MICROSCOPE MEASURING DEVICE 审中-公开
标题翻译：原子力显微镜测量装置
公开(公告)号：WO2015120991A1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：PCT/EP2015/000349
申请日：2015-02-17
申请人： UNIVERSITÄT BASEL , ETH ZÜRICH
发明人： MARTINEZ-MARTIN, David , MUELLER, Daniel J. , MARTIN, Sascha , GERBER, Christoph
IPC分类号： G02B21/00 , G02B21/16 , G01Q30/02 , G01N21/64
CPC分类号： G01Q30/025 , B81B3/0029 , B81B2201/0214 , B81B2201/047 , B81B2203/0118 , G01G9/00 , G01N21/6458 , G01N21/65 , G01N2021/6441 , G01N2201/06113 , G01Q10/045 , G02B21/0088 , G02B21/16 , G02B21/24 , G02B21/26 , G02B21/32
摘要： Atomic force microscope measuring device comprising a micro-cantilever and an intensity modulated laser exciting the cantilever, wherein the measuring device comprises an optical microscope, in particular a fluorescence microscope, a confocal microscope, a fluorescence energy transfer (FRET) microscope, a DIC and/or phase contrast microscope, all of those in particular construed as an inverted microscope.
摘要翻译：原子力显微镜测量装置，包括微悬臂和激发悬臂的强度调制激光器，其中测量装置包括光学显微镜，特别是荧光显微镜，共聚焦显微镜，荧光能量转移（FRET）显微镜，DIC和 /或相差显微镜，所有这些都特别解释为倒置显微镜。

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