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1. 发明申请

WO2004014785A2 VERFAHREN UND HERSTELLUNG WENIGSTENS EINER KLEINEN ÖFFNUNG IN EINER SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT UND DAMIT HERGESTELLTE BAUELEMENTE 审中-公开
标题翻译：方法和制造至少一个小口，在A层在基底上，从而生产的部件
公开(公告)号：WO2004014785A2
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：PCT/DE2003/002626
申请日：2003-08-04
申请人： UNIVERSITÄT KASSEL , ÖSTERSCHULZE, Egbert , KASSING, Rainer , GEORGIEV, Georgi
发明人： ÖSTERSCHULZE, Egbert , KASSING, Rainer , GEORGIEV, Georgi
IPC分类号： B81C
CPC分类号： G01Q70/16 , B81B2201/047 , B81C1/00087 , B81C2201/0132 , G01Q40/02 , G01Q60/22 , Y10T428/24273 , Y10T428/24479
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung wenigstens einer kleinen Öffnung (10) in einer Schicht auf einem Substrat (1), insbesondere einem Halbleitersubstrat, beschrieben. Das Substrat (1) wird auf der Oberseite (2) mit wenigstens einer spitz zulaufenden, einen Spitzenabschnitt (4) und Seitenwände (5) aufweisenden Vertiefung (6) versehen, und die Oberseite (2) des Substrats (1) wird zumindest im Bereich der Vertiefung (6) mit einer Schicht (7) aus einem ätzbaren Material belegt. Erfindungsgemäss wird die Öffnung (10) mittels eines auf das Material der Schicht (7) abgestimmten, anisotropen Plasma-Ätzverfahrens von der Oberseite (2) her durch selektives Öffnen der Schicht (7) hergestellt, indem das Material, die Ätzgase und die Ätzparameter so gewählt werden, daß sich im Bereich eines dem Spitzenabschnitt (4) des Substrats (1) aufliegenden Spitzenabschnitts (9) der Schicht (7) eine grössere Ätzrate als im Bereich von den Seitenwänden (5) des Substrats (1) aufliegenden Seitenwänden (8) der Schicht (7) ergibt. Ausserdem werden nach diesem Verfahren hergestellte Kalibrierstandards, Biegebalken und andere Bauelemente beschrieben (Fig. 1).
摘要翻译：描述了一种用于制造在一个层的至少一个小开口（10）的基板（1）上，特别是在半导体衬底的方法。在基板（1）被设置在上侧（2），具有至少一个锥形，前端部（4）和侧壁（5），其具有凹部（6）和所述顶部（2）的基板（1）是至少在该区域凹部（6）所占据的可蚀刻材料制成的层（7）。根据本发明，通过选择性地打开所述层（2）的前匹配由顶部的层（7），各向异性等离子体蚀刻的材料的装置的开口（10）（7）由所述材料制成，蚀刻气体和蚀刻参数作为被选择为使得在所述前端部的区域（4）上的前端部分的衬底（1）静止的（9）的层（7）具有更大的蚀刻速率比在侧壁的区域（5）的基板放置（1）的侧壁（8）获得层（7）。此外，校准标准通过这种方法制备，弯曲梁以及其它成分进行说明（图1）。

2. 发明申请

WO2004015362A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EINE SCHMALE SCHNEIDE ODER SPITZE AUFWEISENDEN STRUKTUR UND MIT EINER SOLCHEN STRUKTUR VERSEHENER BIEGEBALKEN 审中-公开
标题翻译：一种用于生产窄，切割或峰分别具有结构和这样的结构中提供弯梁
公开(公告)号：WO2004015362A2
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：PCT/DE2003/002627
申请日：2003-08-04
申请人： UNIVERSITÄT KASSEL , ÖSTERSCHULZE, Egbert , KASSING, Rainer , GEORGIEV, Georgi
发明人： ÖSTERSCHULZE, Egbert , KASSING, Rainer , GEORGIEV, Georgi
IPC分类号： G01B7/34
CPC分类号： B81B1/008 , B81B2203/0118 , B81C1/00111 , G01Q70/10 , G01Q70/16
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer eine scharfe Spitze oder Schneide (20) aufweisenden Struktur (21) beschrieben. Ein Substrat (1), insbesondere ein Halbleitersubstrat, wird auf einer Oberfläche (2) mit wenigstens einer spitz zulaufenden, einen Spitzenabschnitt (4) und Seitenwände (5) aufweisenden Vertiefung (6) und zumindest im Bereich der Vertiefung (6) mit einer nachträglich aufgebrachten Schicht (7) versehen, und die Struktur (21) wird dann durch Abformung des Substrats (1) im Bereich der Vertiefung (6) erhalten. Erfindungsgemäss wird die Schicht (7) vor der Abformung im Bereich des Spitzenabschnitts (4) durch selektives Ätzen mit einer die Höhe der Vertiefung (6) vergrössernden Öffnung (10) versehen. Ausserdem wird ein nach diesem Verfahren hergestellter Biegebalken beschrieben.
摘要翻译：描述了一种用于尖点的制备或切削刃（20），其具有结构（21）的步骤。的基板（1），特别是半导体基板，在表面上（2），具有至少一个锥形，前端部（4）和侧壁（5），其具有凹部（6）和至少在所述凹部（6）与随后的区域中涂布层（7）被设置，然后在凹部（6）的区域中通过在衬底（1）的成型而得到的结构（21）。根据本发明，对由于选择性腐蚀提供在尖端部分（4）的区域中的印象之前，层（7）与一个放大凹部（6）的开口（10）的高度。另外，通过这种方法产生的光束偏转进行说明。

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