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31. 发明申请

WO2009039815A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体本体
公开(公告)号：WO2009039815A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001447
申请日：2008-08-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , BADER, Stefan , HAHN, Berthold
发明人： ALBRECHT, Tony , BADER, Stefan , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) mit einer aktiven Schicht (2) zur Erzeugung von Strahlung einer ersten Wellenlänge (λ 1 ) und einer Reemissionsschicht (3), die eine Quantentopf Struktur (4) mit einer Quantenschichtstruktur (5) und einer Barriereschichtstruktur (6) aufweist, beschrieben. Die Reemissionsschicht ist zur Erzeugung von inkohärenter Strahlung einer zweiten Wellenlänge (λ 2 ) mittels Absorption der Strahlung der ersten Wellenlänge in der Barriereschichtstruktur vorgesehen.
摘要翻译：它是（1）具有的活性层的发射辐射的半导体主体（2），用于产生第一波长（λ1）和Reemissionsschicht（3）具有量子阱结构的辐射（4）具有量子层结构（5）和阻挡层的结构（ 6），如下所述。该Reemissionsschicht是用于制造由在阻挡层结构的第一波长的辐射的吸收的装置提供的第二波长（λ2）的非相干辐射。

32. 发明申请

WO2005004231A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造半导体芯片
公开(公告)号：WO2005004231A1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/DE2004/001329
申请日：2004-06-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUEDERL, Georg , HAHN, Berthold , HAERLE, Volker
发明人： BRUEDERL, Georg , HAHN, Berthold , HAERLE, Volker
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： B23K26/0057 , B23K26/0063 , B23K26/40 , B23K2203/172 , H01L21/76254 , H01L21/78 , H01L33/0079 , H01L33/0095
摘要： Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips, insbesondere von strahlungsemittierenden Halbleiterchips, mit jeweils mindestens einem epitaktisch hergestellten funktionellen Halbleiterschichtstapel, das folgende Verfahrensschritte umfaßt: - Bereitstellen eines Aufwachssubstratwafers (1), der im Wesentlichen Halbleitermaterial aus einem hinsichtlich Gitterparameter gleichen oder ähnlichen Halbleitermaterialsystem umfaßt wie dasjenige, auf dem eine Halbleiterschichtenfolge für die funktionellen Halbleiterschichtstapel basiert, - Ausbilden einer parallel zu einer Hauptfläche (100) des Aufwachssubstratwafers (1) liegende Trennzone (4) im Aufwachssubstratwafer (1), - Verbinden des Aufwachssubstratwafers (1) mit einem Hilfsträgerwafer (2), - Abtrennen eines aus Sicht der Trennzone (4) vom Hilfsträgerwafer (2) abgewandten Teiles (11) des Aufwachssubstratwafers (1) entlang der Trennzone (4), - Ausbilden einer Aufwachsfläche auf dem auf dem Hilfsträgerwafer (2) verbliebenen Teil (12) des Aufwachssubstratwafers für ein nachfolgendes epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge, - Epitaktisches Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge (5) auf die Aufwachsfläche, - Aufbringen eines Chipsubstratwafers auf die Halbleiter-schichtenfolge, - Abtrennen des Hilfsträgerwafers (2), und - Vereinzeln des Verbundes von Halbleiterschichtenfolge und Chipsubstratwafer (7) zu voneinander getrennten Halbleiterchips.
摘要翻译：制造多个半导体芯片，尤其是发射辐射的半导体芯片的方法，每个具有至少一个外延制造功能性半导体层堆叠，其包括以下步骤： - 提供在生长衬底晶片（1），其基本上半导体材料包括关于晶格参数等于或类似的半导体材料系统，例如该在其上的功能性半导体层堆叠中的半导体层序列基于， - 形成平行于生长衬底晶片的主表面（100）（1）位于分离区（4）在生长衬底（1）， - 将所述生长衬底晶片（1）与辅助载体晶片（2） - 从视图从所述载体晶片的分离区（4）的分离（2）的面向远离生长基底晶片的部分（11）（1）沿着所述分离区（4）， - 残留在基座晶片上形成在生长表面（2）烯用于半导体层序列的随后的外延生长中，生长衬底晶片的部分（12） - 外延生长半导体层序列（5）在生长表面上， - 将芯片衬底晶片的半导体层序列， - 分离所述基座晶片（2），以及 - 分离复合半导体层序列和芯片衬底晶片（7），以在半导体芯片分离。

33. 发明申请

WO2013045190A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND ENTSPRECHENDER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和这样的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013045190A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/066699
申请日：2012-08-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , STAUSS, Peter
发明人： HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , STAUSS, Peter
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/12 , H01L21/20 , C23C14/06 , H01L33/22 , H01L33/32 , C30B23/06 , C30B29/40
CPC分类号： H01L33/007 , C23C14/0617 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungs form des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst mindestens die folgenden Schritte: - Bereitstellen eines Silizium-Aufwachssubstrats (1), - Erzeugen einer III-Nitrid-Pufferschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und - Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) über der Pufferschicht (3).
摘要翻译：在所述方法的至少一个执行的是，用于光电子半导体芯片（10），特别是发光二极管组的制造。该方法包括至少以下步骤： - 提供硅生长衬底（1）， - 通过溅射，和产生生长衬底（1）上的III族氮化物缓冲层（3） - 生长III族氮化物半导体层序列（2）具有在所述缓冲层（3）的有源层（2a）中。

34. 发明申请

WO2012119950A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法用于生产至少一个光电半导体器件
公开(公告)号：WO2012119950A1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：PCT/EP2012/053650
申请日：2012-03-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , LEBER, Andreas
发明人： HAHN, Berthold , LEBER, Andreas
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/42 , H01L33/08 , H01L25/075 , H01L33/62 , H01S5/02 , H01S5/42
CPC分类号： H01L33/64 , H01L33/005 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen eines Trägers (1), welcher eine erste Oberfläche (11) und eine der ersten Oberfläche (11) gegenüberliegende zweite Oberfläche (12) aufweist; b) Anordnen von zumindest einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) an der ersten Oberfläche (11) des Trägers (1), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (2) mit zumindest einem n-seitigen Bereich (21) und zumindest einem p-seitigen Bereich (24) gebildet ist, und mit dem n-seitigen Bereich (21) oder dem p-seitigen Bereich (24) auf der ersten Oberfläche (11) aufgebracht ist; c) Anordnen einer elektrisch isolierenden Umhüllung (3) auf freiliegende Stellen der Außenflächen (23) des Halbleiterchips (2) und der ersten Oberfläche (11) des Trägers ( 1 ); d) teilweises Entfernen der elektrisch isolierenden Umhüllung (3), wobei nach dem Entfernen zumindest eine dem Träger (1) abgewandte Hauptfläche (22) des optoelektronischen Halbleiterchips (2) zumindest stellenweise frei von der elektrisch isolierenden Umhüllung (3) ist.
摘要翻译：它是用于制造由下列步骤所指示的至少一个光电子半导体器件的方法：a）提供一个支撑件（1），包括11）和所述第一表面中的一个具有第一表面（）相对的第二表面（12）（11; b）将至少一个光电子半导体芯片（所述载体（1）中，所述第一表面（11）在2个），其中所述光电子半导体芯片（2）（具有至少一个n侧区域（21）和至少一个p侧区域24 ）被形成并且被施加（与n侧区域21）或所述第一表面上的p侧区域（24）（11）; C）设置在所述载体（1）的半导体芯片（2）和所述第一表面（11）的外表面（23）的露出点的电绝缘套（3）; D）部分地去除所述电绝缘护套（3），其中，移除至少一个支撑后（1）的面向至少远离光电子半导体芯片（2）的主表面（22）在空闲位置（电绝缘护套3）的。

35. 发明申请

WO2012100868A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：WO2012100868A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/EP2011/071526
申请日：2011-12-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , LINKOV, Alexander , MOOSBURGER, Jürgen , TAEGER, Sebastian , HAHN, Berthold
发明人： HÖPPEL, Lutz , LINKOV, Alexander , MOOSBURGER, Jürgen , TAEGER, Sebastian , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/501 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) angegeben, der eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) und eine Strahlungsaustrittsseite (1b) aufweist, und mit einer Konversionsschicht (2), die auf der Strahlungsaustrittsseite (1b) des Halbleiterschichtenstapels (1) angeordnet ist. Die Konversionsschicht (2) weist ein Matrixmaterial und Konverterpartikel auf, die geeignet sind, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht (1a) emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Das Matrixmaterial der Konversionsschicht (2) weist einen Brechungsindex auf, der an den Brechungsindex des Halbleiterschichtenstapels (1) angepasst ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.
摘要翻译：它是具有高于半导体层堆叠（1），具有用于产生辐射活性层（1a）和一个辐射出射侧上的开口的光电子半导体芯片（10）（1b）中，并用在辐射出射侧上的转换层（2）（图1b）的布置半导体层堆叠（1）。转换层（2）包括适于至少从有源层（1a）中成不同波长的辐射发射的光的一部分转换基质材料和颗粒转换器。转换层（2）的所述基质材料具有匹配于半导体层堆叠（1）的折射率的折射率。此外，被指定用于制造这样的半导体芯片（10）的方法。

36. 发明申请

WO2008040315A2 LEUCHTDIODENANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLCHEN 审中-公开
标题翻译： LED和用于制备这种
公开(公告)号：WO2008040315A2
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/DE2007/001733
申请日：2007-09-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SORG, Jörg Erich , GRUBER, Stefan , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
发明人： SORG, Jörg Erich , GRUBER, Stefan , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/50 , H01L33/62
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L33/0079 , H01L33/508 , H01L33/62 , H01L2224/24226 , H01L2224/24998 , H01L2224/48091 , H01L2224/76155 , H01L2224/82039 , H01L2224/82102 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Leuchtdiodenanordnung mit einer Mehrzahl von Halbleiterchips, die dazu vorgesehen sind, von ihrer Vorderseite (101) elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und die mit ihrer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite (102) auf einer ersten Hauptfläche (201) eines gemeinsamen Trägerkörpers (2) befestigt sind wobei die Halbleiterchips aus je einem substratlosen Halbleiterschichtstapel (1) bestehen und ohne Hilfsträger an dem gemeinsamen Trägerkörper befestigt sind, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Leuchtdiodenanordnung.
摘要翻译：本发明涉及一种具有多个半导体芯片，其被设置成从电磁辐射的其前侧（101），用于发出光的发光二极管阵列，将其相反它们在共同的支撑体的第一主表面（201）正面背面（102）（2 ）固定虽然有半导体芯片（一个衬底的半导体层堆叠体1）和被固定到公共支撑体无副载波，以及用于制造这样的发光二极管装置的方法。

37. 发明申请

WO2007076743A1 LUMINESZENZDIODENCHIP MIT STROMAUFWEITUNGSSCHICHT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译： LED芯片MIT电流扩展层FOR和方法及其
公开(公告)号：WO2007076743A1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/DE2006/002046
申请日：2006-11-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , WIRTH, Ralph , ALBRECHT, Tony , AHLSTEDT, Magnus , ILLEK, Stefan , STREUBEL, Klaus
发明人： HAHN, Berthold , WIRTH, Ralph , ALBRECHT, Tony , AHLSTEDT, Magnus , ILLEK, Stefan , STREUBEL, Klaus
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/42
摘要： Es wird ein Lumineszenzdiodenchip angegeben, der mindestens ein Strombarriere aufweist. Die Strombarriere ist geeignet, die Erzeugung der Strahlung in einem von dem elektrischen Anschlusskörper lateral bedeckten Bereich durch eine verringerte Stromdichte selektiv zu verhindern oder zu verringern. Die Stromaufweitungsschicht enthält mindestens ein TCO (Transparent Conductive Oxide). In einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist mindestens eine Strombarriere enthalten, die Material der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge, Material der Stromaufweitungsschicht und/oder eine Grenzfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Stromaufweitungsschicht aufweist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有至少一个流动屏障的LED芯片。电流阻挡适于防止辐射的产生以横向通过所述电连接器本体部分覆盖的减小的电流密度选择性或减小。电流扩展层包括至少一个TCO（透明导电氧化物）。在特别优选的实施方案中，包括至少一个电流阻挡层，其包括外延半导体层序列的材料，所述电流扩展层材料和/或半导体层序列和所述电流扩展层之间的界面。还提供了用于制造LED芯片的方法。

38. 发明申请

WO2013045181A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013045181A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/066459
申请日：2012-08-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas
发明人： HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22 , H01L21/02
CPC分类号： H01L33/145 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), Erzeugen einer III-Nitrid-Nukleationsschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) auf die oder über der Nukleationsschicht (3), wobei ein Material des Aufwachssubstrats (1) von einem Material der Nukleationsschicht (3) und/oder der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden ist.
摘要翻译：在所述方法的至少一个实施例是，对于光电子半导体芯片（10），特别是发光二极管组的制造。该方法包括以下步骤：提供一生长衬底（1），通过溅射，和生长III族氮化物半导体层序列制备生长衬底（1）上的III族氮化物成核层（3）（2）与活性层（2A ），其中所述生长衬底（1）（从成核层（3）的材料，和/或半导体层序列2）的材料为上或上方成核层不同（3）。

39. 发明申请

WO2011009821A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEUCHTMITTELS UND LEUCHTMITTEL 审中-公开
标题翻译：用于生产灯泡和灯具
公开(公告)号：WO2011009821A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/EP2010/060345
申请日：2010-07-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , MAUTE, Markus , HERRMANN, Siegfried
发明人： HAHN, Berthold , MAUTE, Markus , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L25/16 , F21K99/00 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/50
CPC分类号： H01L25/167 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels angegeben, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen einer Vielzahl von Leuchtdioden (4), wobei jede Leuchtdiode einen strahlungsdurchlässigen Träger (44) und zumindest zwei räumlich voneinander getrennte Halbleiterkörper (41, 42, 43) aufweist, jeder Halbleiterkörper (41, 42, 43) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, die Halbleiterkörper (41, 42, 43) getrennt voneinander ansteuerbar sind und die Halbleiterkörper (41, 42, 43) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) auf dem strahlungsdurchlässigen Träger (44) angeordnet sind, Bereitstellen eines Chip-Verbundes (1) aus CMOS-Chips (10), wobei jeder CMOS-Chip (10) an seiner Oberseite (10a) zumindest zwei Anschlussstellen (2) aufweist, Verbinden zumindest einer der Leuchtdioden (4) mit einem der CMOS-Chips (10), wobei die Leuchtdiode (4) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) an der Oberseite (10a) des CMOS-Chips (10) angeordnet wird und jeder Halbleiterkörper (41, 42, 43) der Leuchtdiode mit einer Anschlussstelle (2) des CMOS-Chips (10) verbunden wird.
摘要翻译：本发明提供一种方法用于生产荧光物质的方法，包括以下步骤：提供多个发光二极管（4），其中每个发光二极管，包括每一个辐射透射的支撑件（44）和至少两个空间上分离的半导体基体（41，42，43）半导体主体（41，42，43）被设置用于在所述辐射透射支座的顶部（44a）上产生电磁辐射，所述半导体主体（41，42，43）彼此独立地控制，和半导体本体（41，42，43）（44 有）（在辐射透射的支撑件44）被布置，提供了一个芯片复合材料（1）制成的CMOS芯片（10），每个CMOS芯片（10）（在其顶部侧10 a）至少两个连接点（2），连接的发光二极管（4）配有一个CMOS芯片（10）的至少一个，其中所述发光二极管（4）在透射辐射的支撑件（44）的顶部的顶部（44A）（10A ）CMOS芯片（10）的设置，并且每个具有CMOS芯片（2）的结发光二极管的半导体本体（41，42，43）的（10）连接。

40. 发明申请

WO2010034277A1 LED-MODUL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译： LED模块，并且method
公开(公告)号：WO2010034277A1
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/DE2009/001207
申请日：2009-08-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BOGNER, Georg , HAHN, Berthold , HERRMANN, Siegfried
发明人： BOGNER, Georg , HAHN, Berthold , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05K3/3442 , H01L2924/00
摘要： Auf einer Oberseite eines Substrates (4) ist mindestens ein Schichtstapel (1) einer substratlosen LED angeordnet. Kontaktflächen befinden sich an einer Seitenfläche (14) des Substrates (4), die an die Oberseite angrenzt. Anschlüsse der LED sind über Anschlussleitungen (10, 20) mit den Kontaktflächen verbunden. Die Kontaktflächen können insbesondere durch Leiterschichten (6) in Lötkehlen (5) an vertikalen Kanten des Substrates (4) gebildet sein. Zur Herstellung können in einem oberseitig mit LEDs versehenen Wafer Durchkontaktierungen gebildet werden, die nach dem Zerteilen des Wafers metallisierte Lötkehlen an seitlichen Kanten der Substrate (4) bilden.
摘要翻译：上的基板的上表面（4）是至少一种层堆叠（1）的无基材LED布置。接触表面位于所述衬底（4）相邻的顶端的侧表面（14）。 LED的端子经由连接到接触表面的连接线（10，20）。可以特别是在基板的垂直边缘被形成为通过在焊接圆角（5）的导体层（6）的接触面（4）。用于制造镀通孔可以在设置有LED的晶片的上侧晶片的金属化焊脚的在基板（4）的横向边缘的分割后形成来形成。

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