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31. 发明申请

WO2005013005A1 パターン描画方法、及びパターン描画装置审中-公开
标题翻译：图案绘图方法和图案绘图装置
公开(公告)号：WO2005013005A1
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/JP2004/011387
申请日：2004-08-02
申请人：ボールセミコンダクターインク. , 大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70275 , G03F7/70041
摘要：マイクロレンズを用いたパターン描画装置において、微小な設計グリッドに対応させるためのグレースケールの算出が容易にするために、紫外光源から生成されるパルスから次のパルスまでの時間内に基板を移動させる距離を、スポット間隔より短く、且つ、スポット間隔から１つのスポットの直径を差し引いた長さよりも長くする。パルスごとにスキャンさせていくと、スキャン方向に関しては、次第にスポットがつながっていき、連続的な線が描かれる。一方、スキャン方向と直交する方向に関しては、離散的な直線となるため、この方向に関しては１回のスキャンが終わったら、スポット径以下の距離だけステップ移動すればよい。
摘要翻译：使用微透镜的图案绘制装置。衬底在从紫外光源产生的脉冲到下一个脉冲的持续时间内移动。移动距离比点间隔短，并且长于从点间隔减去光斑直径的差异，以便于计算用于适应微设计网格的灰度级。在扫描每个脉冲输出后，点沿扫描方向连接，从而绘制连续的线。在垂直于扫描方向的方向上，绘制离散线。因此，在一次扫描结束之后，进行等于点直径或更小的阶梯移动的垂直方向。

32. 发明申请

WO2004112238A1 低雑音増幅器审中-公开
标题翻译：低噪声放大器
公开(公告)号：WO2004112238A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008217
申请日：2004-06-11
申请人：株式会社豊田自動織機 , 新潟精密株式会社 , 大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
发明人：大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
IPC分类号： H03F1/26
CPC分类号： H01L21/82385 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/785 , H03F1/26 , H03F2200/372 , H03G1/0029 , H03G1/007
摘要：　ＭＩＳトランジスタを有し、雑音を低レベルに抑えて入力信号を増幅する低雑音増幅器を前提とし、上記ＭＩＳトランジスタは、第１の結晶面を主面として有する半導体基板と、該半導体基板の一部として形成され、上記第１の結晶面とは異なった第２の結晶面により画成された１対の側壁面と、上記第２の結晶面とは異なった第３の結晶面により画成された頂面とよりなる、半導体構造と、上記主面及び上記側壁面及び上記頂面を一様な厚さで覆うゲート絶縁膜と、上記主面及び上記側壁面及び上記頂面を、上記ゲート絶縁膜を介して連続的に覆うゲート電極と、上記半導体基板中及び上記半導体構造中の、上記ゲート電極を介する一方側及び他方側に形成され、いずれも上記主面及び上記側壁面及び上記頂面に沿って連続的に延在する、同一導電型拡散領域と、を有するように構成する。　　このように構成することにより、低雑音増幅器によって出力信号に与えられる１／ｆ雑音や信号歪が大幅に低減され、それらの低減を補償する回路が不要になり、小型化が可能になる。
摘要翻译：一种具有用于将噪声抑制到低电平并且放大输入信号的MIS晶体管的低噪声放大器。 MIS晶体管包括具有作为主表面的第一晶面和形成为半导体衬底的一部分的半导体结构的半导体衬底和具有相同导电类型的扩散区。半导体结构具有由不同于第一晶体面的第二晶面和由不同于第二晶体的第三晶面限定的顶面限定的一对侧壁面，覆盖主表面的均匀厚度的栅极绝缘膜，侧壁面和顶面，以及栅极电极，其间隔着栅极绝缘膜连续地覆盖主表面，侧壁面和顶面。扩散区域形成在一端和另一端，栅电极插入，并且沿主表面，侧壁面和顶面连续延伸。这种结构大大降低了由低噪声放大器给予输出信号的1 / f噪声和信号失真，从而不需要用于补偿减小的电路并减小尺寸。

33. 发明申请

WO2004112142A1 リミッタ回路及びその半導体集積回路审中-公开
标题翻译：限制电路和半导体集成电路
公开(公告)号：WO2004112142A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008219
申请日：2004-06-11
申请人：株式会社豊田自動織機 , 新潟精密株式会社 , 大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
发明人：大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L27/092
CPC分类号： H03G1/0029 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L29/66795 , H03G1/0023 , H03G7/00 , H03K5/08
摘要：　シリコン基板上に高さＨＢで、幅がＷＢの直方体状の突出部２１を形成し、突出部２１の頂面及び側壁面の一部にゲート酸化膜を形成する。ゲート電極２６の両側にソースとドレインを形成してＭＯＳトランジスタを形成する。ＭＯＳトランジスタ６１と６２とからなる差動増幅回路でリミッタ回路を構成する。これにより、リミッタ回路の利得を大きくとれるようにする。
摘要翻译：在硅衬底上形成具有高度HB和宽度WB的长方体突起部分（21），并且在突出部分（21）的顶壁和侧壁表面的部分上形成栅极氧化膜。源极和漏极形成在栅电极（26）的两个相对侧上，从而形成MOS晶体管。包括MOS晶体管（61,62）的差分放大器电路用于配置限幅器电路。以这种方式，限幅器电路可以表现出更大的增益。

34. 发明申请

WO2004112121A1 ＭＩＳトランジスタ及びＣＭＯＳトランジスタ审中-公开
标题翻译： MIS晶体管和CMOS晶体管
公开(公告)号：WO2004112121A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008218
申请日：2004-06-11
申请人：株式会社豊田自動織機 , 新潟精密株式会社 , 大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
发明人：大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/82385 , H01L29/045
摘要：　半導体基板に形成されるＭＩＳトランジスタを前提とし、該ＭＩＳトランジスタは、表面が少なくとも二つの異なる結晶面を有する凸部（７０４、９１０Ｂ）を主面に対して構成する半導体基板（７０２、９１０）と、前記凸部の表面を構成する前記少なくとも二つの異なる結晶面の各々の少なくとも一部を覆うゲート絶縁膜（７０８、９２０Ｂ）と、前記ゲート絶縁膜を介して、前記凸部の表面を構成する前記少なくとも二つの異なる結晶面の各々に対して構成されるゲート電極（７０６、９３０Ｂ）と、前記少なくとも二つの異なる結晶面の各々に面して前記凸部中に形成され、かつ前記ゲート電極の両側にそれぞれ形成される同一導電型拡散領域（７１０ａ、７１０ｂ、９１０ｃ、９１０ｄ）と、を有する。このように構成することにより、素子面積の増大を抑えながら、チャネル幅を増大できる。
摘要翻译：公开了一种形成在半导体衬底中的MIS晶体管，其包括具有突出部分（704,910B）的半导体衬底（702,910），所述突出部分的表面相对于衬底的主表面具有至少两个不同的晶面;栅极覆盖构成突出部分的表面的每个晶面的至少一部分的绝缘膜（708,920B），经由栅极绝缘膜形成在每个晶面上的栅电极（706,930B）和扩散区域形成在面对各个晶面的突出部分和栅绝缘电极的两侧上的相同导电类型（710a，710b，910c，910d）。通过具有这种结构，MIS晶体管可以具有增加的沟道宽度，同时抑制器件面积的增加。

35. 发明申请

WO2004100248A1 基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：WO2004100248A1
公开(公告)日：2004-11-18
申请号：PCT/JP2004/005977
申请日：2004-04-26
申请人：大見忠弘 , 平山昌樹
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01J37/32834 , H01J2237/022
摘要：本発明によれば、マイクロ波プラズマを用いた基板処理装置１０Ａにおいて、処理容器１１内に内部隔壁１５を設け、前記処理容器１１内は、被処理基板を含む空間１１Ａと前記内部隔壁１５と前記処理容器１１の外壁とによって画成される空間１１Ｂに分離される構造とした。これらの構造とすることで、シール材料からの脱離ガスによる被処理基板の汚染を防止できるとともに、異常放電による被処理基板の汚染を防止できるため、清浄な基板処理を可能とする基板処理装置が得られる。
摘要翻译：公开了一种使用微波等离子体的基板处理装置（10A），其中在处理室（11）内设置内分隔壁（15），使得处理室（11）的内部被分成空间（11A）容纳待处理的基板和由内隔壁（15）和处理室（11）的外壁限定的空间（11B）。通过这样的结构，可以防止由密封材料分离的气体和由异常放电引起的基板的污染而污染基板，从而能够清洁基板的处理。

36. 发明申请

WO2004095549A1 パターン描画装置及びパターン描画方法审中-公开
标题翻译：图案绘图装置和图案绘图方法
公开(公告)号：WO2004095549A1
公开(公告)日：2004-11-04
申请号：PCT/JP2004/005134
申请日：2004-04-09
申请人：ボールセミコンダクターインク. , 大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70425 , G03F7/70291 , G03F7/70358 , G03F7/70433 , G03F7/70441 , G03F7/70466 , G03F7/70866
摘要：二次元的に配列された微小ミラーを含むミラーデバイスから出力された投影パターンを使用して、基板上にパターンを描画するパターン描画方法において、各微小ミラーをオンオフ制御すると共に、ミラーデバイスからの投影パターンを少なくとも一次元方向に部分的にオーバーラップさせて露光を行うことにより、中間光量露光を正確に制御することができる。
摘要翻译：提供了一种通过使用从具有以二维方式布置的精细反射镜的反射镜装置输出的投影图案来将图案灌封在基板上的图案绘制方法。每个微反射镜被控制为接通和断开，并且来自反射镜装置的投影图案至少在一维方向上部分地重叠以进行曝光，从而精确地控制中间光强度的曝光。

37. 发明申请

WO2004079799A1 マスクレピータ及びマスク製造方法审中-公开
标题翻译：屏蔽复制器和屏蔽制造方法
公开(公告)号：WO2004079799A1
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：PCT/JP2004/002548
申请日：2004-03-02
申请人：大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70425 , G03F7/70291 , G03F7/70358 , G03F7/70433 , G03F7/70441 , G03F7/70466 , G03F7/70475 , G03F7/70866
摘要：マスターマスクのパターンを実マスク上に転写露光すると共に、当該実マスクに転写されたパターンを半導体ウエハ等の基板上に転写するマスクレピータにおいて、マスターマスクのサイズを実マスクとのサイズよりも大きくすると共に、軟Ｘ線を縮小投影する光学系を使用することにより、次世代マスクである等倍マスクを作成する。また、スキャン型露光装置では、スキャンに使用されるスリット形状を一定にし、照射領域内でのみ、露光を行うことにより傾斜露光を行えると共に、スリット形状を台形形状にすると共に、スキャン方向に露光領域を往復させることにより、繋ぎ合わせ露光の回数を減少させることができる。
摘要翻译：一种掩模中继器，用于通过曝光将主掩模的图案转印到真实掩模上，并将真实掩模上的图案转印到诸如半导体晶片的基板上。主掩模的尺寸大于真面罩的尺寸。通过使用用于还原投射软X射线的光学系统，制造作为下一代掩模的1：1放大掩模。在扫描曝光系统中，用于扫描的狭缝的形状被固定，并且仅对曝光区域进行曝光以实现倾斜曝光。当狭缝的形状是梯形时，并且当暴露区域沿扫描方向往复运动时，可以减少关节暴露的次数。

38. 发明申请

WO2004078447A1 樹脂成型機及び不働態膜を有する樹脂成型機用部材审中-公开
标题翻译：树脂成型机及其在无源状态下的薄膜成型机
公开(公告)号：WO2004078447A1
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：PCT/JP2004/002263
申请日：2004-02-26
申请人：大見忠弘 , 北野真史 , 棚橋直樹
发明人：大見忠弘 , 北野真史 , 棚橋直樹
IPC分类号： B29C33/38
CPC分类号： B29C33/56 , B29C33/38 , B29C45/37 , B29L2031/3475 , C23C8/10 , C23C8/14 , C23C8/18 , C23C30/00 , Y10S425/808
摘要：本発明によれば、溶融した樹脂と接触する面を備え、当該接触面の少なくとも一部を、母材あるいは母材に含まれている一部の成分の酸化膜皮膜で覆われている樹脂成型機用部材が提供される。当該部材を用いて成型を行うことにより、溶融樹脂劣化に伴う異物が成型品に混入するのを防止できる。
摘要翻译：一种用于树脂成型机的构件，其具有与熔融树脂接触的面，并且所述面的至少一部分被基材的基材的氧化物或包含在基材中的成分的膜覆盖。在树脂成形中使用所述构件允许防止与树脂的熔融物劣化相关的污染物与树脂混入模制品中。

39. 发明申请

WO2004070842A1 半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2004070842A1
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：PCT/JP2004/000983
申请日：2004-02-02
申请人：大見忠弘 , 寺本章伸
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76256
摘要：多孔質層（１０２）内の孔壁に、マイクロ波励起により発生させられた希ガスと絶縁膜形成ガスの混合ガスプラズマを用いて絶縁膜を孔壁保護膜（１０３）として形成することにより、保護膜として十分な膜質を得ることができる。
摘要翻译：使用惰性气体和通过微波激发产生的绝缘膜形成气体的混合气体等离子体，在多孔层（102）的孔壁上形成绝缘膜作为孔壁保护层（103）。因此，孔壁保护层（103）可以具有作为保护膜的膜性能。

40. 发明申请

WO2004070736A1 強誘電体膜，半導体装置，強誘電体膜の製造方法及び強誘電体膜の製造装置审中-公开
标题翻译：电解膜，半导体器件，电磁膜制造方法和电磁膜制造装置
公开(公告)号：WO2004070736A1
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：PCT/JP2004/001061
申请日：2004-02-03
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 高橋一郎 , 山田敦彦 , 桜井弘之
发明人：大見忠弘 , 高橋一郎 , 山田敦彦 , 桜井弘之
IPC分类号： H01B3/12
CPC分类号： H01L21/31691 , C01G35/00 , C01G35/006 , C01P2006/42 , C23C14/088
摘要：本発明は，Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）Ｏ７（０≦ｘ≦１）の強誘電体膜の比誘電率を低下させつつ，抗電界を増大させることを目的としている。　本発明は，強誘電体膜の製造方法であって，処理室の少なくともターゲット周辺の内側表面がターゲットと同様の構成材質で形成されている処理室内において，ターゲットに対しプラズマ中のイオンを衝突させ，当該衝突によって発生したターゲット原子を下地に堆積させることによって，強誘電体膜を形成する膜形成工程と，前記強誘電体膜を加熱し，酸化する加熱工程と，を有する。
摘要翻译： Sr2（Ta1-xNbx）O7（0 <= x <= 1）的铁电体膜的相对介电常数降低，矫顽电场增强。制造铁电体膜的方法包括：通过使等离子体中的离子与目标物附近的内表面的至少一部分相同的处理室与靶碰撞来形成强电介质膜的成膜步骤材料作为目标，从而将基于碰撞产生的目标原子沉积在基底上，加热步骤加热铁电体膜以氧化铁电体膜。

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