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11. 发明申请

WO2010060404A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2010060404A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/DE2009/001524
申请日：2009-10-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L25/16 , H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/08
CPC分类号： H01L27/15 , H01L25/167 , H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. In dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ist ein Emissionsbereich (23) und ein Schutzdiodenbereich (24) gebildet. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich hindurch erstreckt. Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt. Die erste Anschlussschicht im Schutzdiodenbereich (24) ist mit der zweiten Halbleiterschicht (22) elektrisch leitend verbunden. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个支撑件（5）和（2），其具有半导体层序列的半导体主体中的发射辐射的半导体芯片（1）。在半导体主体（2）与该半导体层序列，发射区域（23）和一个保护二极管区（24）形成。半导体层序列包括打算用于第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间产生辐射激活区（20）。在第一半导体层（21）是在（5）的面对从有源区域（20）离开侧上的支撑。发射区域（23）具有延伸穿过所述活性区域穿过其的凹部（25）。在发射区（23）中的第一半导体层（21）被导电地连接到第一连接层（31），其中，从在所述载体（5）的方向上的第一半导体层（21）延伸在所述凹部（25）的第一连接层。在保护二极管区（24）的第一连接层连接到导电连接在第二半导体层（22）。此外，被指定用于制造发射辐射的半导体芯片的方法。

12. 发明申请

WO2009135457A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2009135457A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/DE2009/000546
申请日：2009-04-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl , ALBRECHT, Tony
发明人： RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl , ALBRECHT, Tony
IPC分类号： H01L25/16
CPC分类号： H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5), einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge, einen ersten Kontakt (35) und einen zweiten Kontakt (36) aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Der Träger (5) weist eine dem Halbleiterkörper (2) zugewandte Hauptfläche (51) auf. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der der Hauptfläche (51) des Trägers (5) zugewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet und mittels des ersten Kontakts (35) elektrisch kontaktierbar. Die zweite Halbleiterschicht (22) ist mittels des zweiten Kontakts (36) elektrisch kontaktierbar. Eine Schutzdiode (4) ist in einem Strompfad ausgebildet, der zwischen dem ersten Kontakt (35) und dem zweiten Kontakt (36) durch den Träger (5) verläuft.
摘要翻译：它是一种发射辐射的半导体芯片被指定（1），支撑件（5），其具有半导体层序列的半导体主体（2），第一接触（35）和第二接触（36）。半导体层序列包括打算用于第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间产生辐射激活区（20）。该载体（5）具有在面对主表面（51）的半导体主体（2）。在第一半导体层（21）由所述第一接触（35）的装置面对所述有源区（20）的侧上的载体（5）的与主表面（51）电接触。所述第二半导体层（22）被电由第二接触（36）的装置接触。形成在（35）的第一接触之间的电流路径的保护二极管（4）和所述通过所述载体（5）的第二接触（36）。

13. 发明申请

WO2012034828A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012034828A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/064386
申请日：2011-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
发明人： ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising a semiconductor layer sequence (2) and a carrier substrate (10), wherein a first (7) and a second electrical contact layer (8) are arranged at least in regions between the carrier substrate (10) and the semiconductor layer sequence (2) and are electrically insulated from one another by an electrically insulating layer (9), and comprising a mirror layer (6), which is arranged between the semiconductor layer sequence (2) and the carrier substrate (10). The mirror layer (6) adjoins partial regions of the first electrical contact layer (7) and partial regions (19) of the electrically insulating layer (9), wherein the partial regions (19) of the electrically insulating layer (9) which adjoin the mirror layer (6) are covered by the second electrical contact layer (8) in such a way that at no point do they adjoin a surrounding medium of the optoelectronic semiconductor chip (1). The semiconductor layer sequence (2) has a cut-out (17), in which the first electrical contact layer (7) is uncovered in order to form a connection contact (14).
摘要翻译：规定了包括半导体层序列（2）和载体基板（10）的光电半导体芯片，其中第一（7）和第二电接触层（8）至少布置在载体基板（10））和半导体层序列（2），并且通过电绝缘层（9）彼此电绝缘，并且包括布置在半导体层序列（2）和载体基板（2）之间的镜面层（6） 10）。镜层（6）邻接第一电接触层（7）的部分区域和电绝缘层（9）的部分区域（19），其中电绝缘层（9）的部分区域（19）镜层（6）被第二电接触层（8）覆盖，使得它们不会与光电半导体芯片（1）的周围介质邻接。半导体层序列（2）具有切口（17），其中第一电接触层（7）未被覆盖以形成连接接触（14）。

14. 发明申请

WO2012016874A1 LIGHT-EMITTING DIODE CHIP 审中-公开
标题翻译：发光二极管芯片
公开(公告)号：WO2012016874A1
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：PCT/EP2011/062745
申请日：2011-07-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl
发明人： HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/38 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/52 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2933/0016
摘要： A light-emitting diode chip is specified, comprising - an n-conducting region (1), - a p-conducting region (2), - an active region (3) between the n-conducting region (1) and the p-conducting region (2), - a mirror layer (4) at that side of the p- conducting region (2) which is remote from the active region ( 3 ), - an encapsulation layer (5) at that side of the mirror layer (4) which is remote from the p-conducting region ( 2 ), and - a contact layer (6) at a side of the encapsulation layer (5) which is remote from the mirror layer (4), wherein - the encapsulation layer (5) extends along a bottom area (43) of the mirror layer (4) which is remote from the p-conducting region (2) and a side area (42) of the mirror layer (4) which runs transversely with respect to the bottom area (43), and - the contact layer (6) is freely accessible in places from its side facing the n-conducting region (1).
摘要翻译：规定了发光二极管芯片，其包括n导电区域（1），p导电区域（2），n导电区域（1）和p导电区域（2）之间的有源区域（3）导电区域（2）， - 远离有源区域（3）的p-导电区域（2）的该侧的镜层（4）， - 在该镜面层的该侧的封装层（5）（4），以及远离所述镜层（4）的所述封装层（5）侧的接触层（6），其中 - 所述封装层（5）沿着远离导电区域（2）的镜层（4）的底部区域（43）延伸，并且镜面层（4）的侧面区域（42）相对于底部区域（43）和 - 接触层（6）可以从其面向n导电区域（1）的一侧自由地接近。

15. 发明申请

WO2012140050A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHT EMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产发光半导体元器件与发光半导体元件
公开(公告)号：WO2012140050A2
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/EP2012/056536
申请日：2012-04-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , BAISL, Richard , SCHLENKER, Tilman , HÖPPEL, Lutz , TAEGER, Sebastian , GÄRTNER, Christian
发明人： ENGL, Karl , BAISL, Richard , SCHLENKER, Tilman , HÖPPEL, Lutz , TAEGER, Sebastian , GÄRTNER, Christian
IPC分类号： H01L33/56
CPC分类号： H01L33/52 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements angegeben, bei dem ein Licht emittierender Halbleiterchip (2) auf einer Montagefläche (10) eines Trägers (1) angeordnet wird,bei dem der Halbleiterchip (2) an elektrische Kontaktbereiche (11, 12) auf der Montagefläche (10) elektrisch angeschlossen wird und bei dem eine Verkapselungsschicht (3) mittels Atomlagenabscheidung auf den Halbleiterchip (2) aufgebracht wird, wobei alle nach der Montage und dem elektrischen Anschluss freien Oberflächen des Halbleiterchips (2) mit einer Verkapselungsschicht (3) bedeckt werden. Weiterhin wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement angegeben.
摘要翻译：提供了一种在其上的载体（1）的安装面（10）的发光半导体芯片（2）被布置成一种制造半导体发光器件的方法，其中所述半导体芯片（2）的电接触区（11，12）在安装表面上（10）电连接，并且其中封装层（3）通过将半导体芯片（2），其中所有的自由组装后并用封装层的半导体芯片（2）的电连接的表面上的原子层沉积来施加（3）都包括在内。此外，发光半导体装置。

16. 发明申请

WO2010072191A1 OPTOELEKTRONISCHE PROJEKTIONSVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：亚光电子投影设备
公开(公告)号：WO2010072191A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/DE2009/001694
申请日：2009-11-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , STREUBEL, Klaus , RODE, Patrick , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen
发明人： VON MALM, Norwin , STREUBEL, Klaus , RODE, Patrick , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L27/156 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es ist eine optoelektronische Projektionsvorrichtung vorgesehen, die im Betrieb ein vorgegebenes Bild (10) erzeugt. Die Projektionsvorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper (1), der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (101) und eine Strahlungsaustrittsseite (102) aufweist. Der Halbleiterkörper (1) ist ein Bild gebendes Element der Projektionsvorrichtung. Zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (1) sind eine erste Kontaktschicht (2) und eine zweite Kontaktschicht (3) an einer der Strahlungsaustrittsseite (102) gegenüberliegenden Rückseite (103) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet und mittels einer Trennschicht (4) elektrisch voneinander isoliert.
摘要翻译：它是光电突出部被设置装置，该装置产生在操作的预定的图像（10）。投影装置包括半导体主体（1），适于产生电磁辐射活性层（101）和具有辐射出射侧（102）的装置构成。半导体本体（1）是所述投影装置的成像元件。用于半导体本体（1），第一接触层的电接触（2）和第二接触层（3）在半导体本体的辐射出射侧（102）相对的后侧（103）的一（1），并通过分离层（4）从每个电隔离，

17. 发明申请

WO2010051790A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNG EMITTIERENDEN DÜNNSCHICHTBAUELEMENTS UND STRAHLUNG EMITTIERENDES DÜNNSCHICHTBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产辐射发射的薄膜成分和发射辐射的薄膜COMPONENT
公开(公告)号：WO2010051790A1
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/DE2009/001449
申请日：2009-10-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LUGAUER, Hans-Jürgen , STREUBEL, Klaus , STRASSBURG, Martin , WINDISCH, Reiner , ENGL, Karl
发明人： LUGAUER, Hans-Jürgen , STREUBEL, Klaus , STRASSBURG, Martin , WINDISCH, Reiner , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , B82Y20/00 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/44
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnschichtbauelements (1) weist dieses folgende Schritte auf: - Bereitstellen eines Substrats (2), - Aufwachsen von Nanostäben (3) auf dem Substrat (2), - epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (4) mit mindestens einer aktiven Schicht (5) auf den Nanostäben (3), - Aufbringen eines Trägers (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (4), und - Abtrennen von Halbleiterschichtenfolge (4) und Träger (6) vom Substrat (2) durch mindestens teilweises Zerstören der Nanostäbe (3). Durch ein solches Herstellungsverfahren können mechanische Spannungen und Risse in der Halbleiterschichtenfolge (4), die durch das Aufwachsen resultieren, reduziert werden.
摘要翻译：在用于制造发射辐射的薄膜元件（1）具有在此以下步骤的方法的至少一个实施例中： - 在衬底（2）上的纳米棒（3）的生长， - - 提供衬底（2），外延生长的半导体层序列（4- ），具有至少一个有源层（5）上的纳米棒（3）， - 将载体（6）在该半导体层序列（4），以及 - （4）和载体从衬底（2）由至少（6）分离所述半导体层序列纳米棒的部分破坏（3）。由机械应力和裂纹这样的制造方法，能够在半导体层序列中的（4）可以减小通过生长得到的。

18. 发明申请

WO2009112020A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：制造各种光电子半导体芯片和光电子半导体芯片的方法
公开(公告)号：WO2009112020A2
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/DE2009/000332
申请日：2009-03-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , AVRAMESCU, Adrian Stefan
发明人： ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , AVRAMESCU, Adrian Stefan
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L31/1864 , H01L31/1892 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/18 , H01L33/325 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips mit vergrabener p-Seite, aufweisend die folgenden Verfahrensschritte angegeben: a) Herstellen eines Wafers (1, 2, 3) mit einer Halbleiterschichtenfolge (100, 200, 300), die eine n-dotierte Schicht (12, 22, 32), eine aktive Schicht (13, 23, 33) und eine p-dotierte Schicht (14, 24, 34) umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen der n-dotierten Schicht und der p-dotierten Schicht angeordnet ist und die p-dotierte Schicht freigelegt ist, b) elektrisches Aktivieren der Akzeptoren in der freigelegten p-dotierten Schicht (14, 24, 34) durch ein thermisches Aktivierungsverfahren, c) Abdecken der p-dotierten Schicht (14, 24, 34), und d) Vereinzeln des Wafers (1, 2, 3) in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips.
摘要翻译：
一种用于制备光电子半导体芯片的多个具有掩埋p侧，其包括下列方法步骤的方法表示：a）制备一个晶片（1，2，3），其具有半导体层序列（100，200 ，300），n型掺杂层（12，22，32），有源层（13，23，33）和p掺杂层（14，24，其包括34），其特征在于，所述n之间的有源层掺杂层和p掺杂层被布置和p掺杂层被暴露，b），其电激活所述暴露的p掺杂层（）通过热活化方法的受体14，24，34，C）覆盖p （14,24,34），和d）将晶片（1,2,3）分割成多个光电子半导体芯片。

19. 发明申请

WO2010040337A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体
公开(公告)号：WO2010040337A1
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/DE2009/001379
申请日：2009-09-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , SABATHIL, Matthias
发明人： ENGL, Karl , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00 , H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/22 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/22 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (1), die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (100) aufweist, und einer ersten elektrischen Anschlussschicht (4) angegeben. Der Halbleiterkörper ist zur Emission elektromagnetischer Strahlung von einer Vorderseite (2) vorgesehen. Die Halbleiterschichtenfolge (1) weist mindestens eine Öffnung (110) auf, welche die Halbleiterschichtenfolge (1) in Richtung von der Vorderseite (2) zu einer der Vorderseite (2) gegenüberliegenden Rückseite (3) vollständig durchdringt. Die erste elektrische Anschlussschicht (4) ist an der Rückseite (3) des Halbleiterkörpers angeordnet, ein Teilstück (40) der ersten elektrischen Anschlussschicht (4) verläuft von der Rückseite (3) her durch die Öffnung (110) zur Vorderseite (2) hin verläuft und bedeckt einen ersten Teilbereich (11) einer vorderseitigen Hauptfläche (10) der Halbleiterschichtenfolge (1). Ein zweiter Teilbereich (12) der vorderseitigen Hauptfläche (10) ist von der ersten elektrischen Anschlussschicht (4) unbedeckt.
摘要翻译：提供了一种具有包括在适于产生电磁辐射活性层（100）的装置的半导体层序列（1）的光电子半导体本体，以及第一电连接层（4）。半导体本体被设置用于电磁辐射的从正面侧（2）的排放。半导体层序列（1）具有至少一个开口（110），其完全穿过半导体层序列（1）在从正面（2）到前侧的一个方向（2）相反的背面（3）。第一电连接层（4）被布置在后侧（3）在半导体本体的，所述第一电连接层（4）的一部分（40）从背面侧（3）延伸来回穿过开口（110）的前侧（2）向延伸，并覆盖半导体层序列（1）的前主表面（10）的第一部分（11）。第一电连接层的前主表面（10）的第二部分（12）（4）覆盖。

20. 发明申请

WO2013045181A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013045181A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/066459
申请日：2012-08-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas
发明人： HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22 , H01L21/02
CPC分类号： H01L33/145 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), Erzeugen einer III-Nitrid-Nukleationsschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) auf die oder über der Nukleationsschicht (3), wobei ein Material des Aufwachssubstrats (1) von einem Material der Nukleationsschicht (3) und/oder der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden ist.
摘要翻译：在所述方法的至少一个实施例是，对于光电子半导体芯片（10），特别是发光二极管组的制造。该方法包括以下步骤：提供一生长衬底（1），通过溅射，和生长III族氮化物半导体层序列制备生长衬底（1）上的III族氮化物成核层（3）（2）与活性层（2A ），其中所述生长衬底（1）（从成核层（3）的材料，和/或半导体层序列2）的材料为上或上方成核层不同（3）。

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