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1. 发明授权

US08609544B2 Method for fabricating semiconductor device 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US08609544B2
公开(公告)日：2013-12-17
申请号：US13336238
申请日：2011-12-23
申请人： Sung Koo Lee
发明人： Sung Koo Lee
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/0273 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L28/92
摘要： A method for fabricating a semiconductor device, comprising forming a first photoresist pattern having a hole on a first layer, forming a surface curing layer in the hole and curing the first photoresist pattern on an inner sidewall of the hole to form a first curing pattern, removing the surface curing layer, forming a second photoresist pattern in the hole and curing the second photoresist pattern that contacts with the first curing pattern to form a second curing pattern, removing the first and second photoresist patterns, and etching the first layer using the first and second curing patterns as an etch barrier.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法，包括在第一层上形成具有孔的第一光致抗蚀剂图案，在孔中形成表面固化层，并使孔的内侧壁上的第一光致抗蚀剂图案固化以形成第一固化图案，去除所述表面固化层，在所述孔中形成第二光致抗蚀剂图案并固化与所述第一固化图案接触的所述第二光致抗蚀剂图案以形成第二固化图案，除去所述第一和第二光致抗蚀剂图案，以及使用所述第一固化层蚀刻所述第一层和第二固化图案作为蚀刻屏障。

2. 发明申请

US20130059812A1 COMPOSITION FOR TREATING CHRONIC HEPATITIS B, CONTAINING CLEVUDINE AND ADEFOVIR DIPIVOXIL 审中-公开
标题翻译：用于治疗慢性乙型肝炎的组合物，含有CLEVUDINE和ADEFOVIR DIPIVOXIL
公开(公告)号：US20130059812A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：US13697667
申请日：2011-04-18
申请人： Sung-Koo Lee , Young-Choon Lee
发明人： Sung-Koo Lee , Young-Choon Lee
IPC分类号： A61K31/7072 , A61P31/20
CPC分类号： A61K31/662 , A61K31/513 , A61K2300/00
摘要： The present invention relates to a composition for treating chronic hepatitis B, containing clevudine and adefovir dipivoxil. The combined formulation of the present invention maximizes the effect for treating diseases caused by infection of hepatitis B virus and shows a mutual inhibitory activity against a resistant virus compared with a single-component formulation.
摘要翻译：本发明涉及用于治疗慢性乙型肝炎的组合物，其含有克利夫定和阿德福韦酯。本发明的组合制剂使治疗由乙型肝炎病毒感染引起的疾病的效果最大化，并且与单一组分制剂相比，显示出对耐药性病毒的相互抑制活性。

3. 发明授权

US07759052B2 Anti-reflective polymer, anti-reflective composition containing the same, and method for forming pattern using the same 失效
标题翻译：防反射聚合物，含有该抗反射聚合物的抗反射组合物，以及使用其形成图案的方法
公开(公告)号：US07759052B2
公开(公告)日：2010-07-20
申请号：US12135644
申请日：2008-06-09
申请人： Jae Chang Jung , Sung Koo Lee
发明人： Jae Chang Jung , Sung Koo Lee
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , C08F28/00
CPC分类号： G03F7/091 , C09D133/14 , C08L2666/02
摘要： A polymer for crosslinking an anti-reflective film has a high refractive index. An anti-reflective composition containing the polymer is useful in a damascene process and an immersion lithography process using ArF (193 nm) of a semiconductor device manufacturing process.
摘要翻译：用于交联抗反射膜的聚合物具有高折射率。含有聚合物的抗反射组合物可用于使用半导体器件制造工艺的ArF（193nm）的镶嵌工艺和浸没光刻工艺。

4. 发明授权

US07507485B2 Organic electroluminescent device 有权
标题翻译：有机电致发光器件
公开(公告)号：US07507485B2
公开(公告)日：2009-03-24
申请号：US10254999
申请日：2002-09-26
申请人： Hyoung Yun Oh , Sung Koo Lee , Chun Gun Park , Jeong Dae Seo , Myung Seop Kim
发明人： Hyoung Yun Oh , Sung Koo Lee , Chun Gun Park , Jeong Dae Seo , Myung Seop Kim
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5012 , C09B1/00 , C09B3/14 , C09B15/00 , C09B23/148 , C09B57/001 , C09B57/007 , C09B69/008 , H01L51/0055 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0065 , H01L51/0071 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0094 , H01L2251/5384 , Y10S428/917
摘要： Disclosed is an organic electroluminescent device including a first electrode, a second electrode, and a light-emitting layer having a guest material of a red luminescent material and at least two host materials so as to be formed between the first and second electrodes. One of the host materials is a composite including the following structural formula: Moreover, one of the host materials can be a substituted or non-substituted quinoline derivative.
摘要翻译：公开了一种有机电致发光器件，其包括第一电极，第二电极和具有红色发光材料的客体材料和至少两种主体材料的发光层，以形成在第一和第二电极之间。主体材料之一是具有以下结构式的复合物：另外，其中一种主体材料可以是取代或未取代的喹啉衍生物。

5. 发明申请

US20090042141A1 ANTI-REFLECTIVE POLYMER, ANTI-REFLECTIVE COMPOSITION CONTAINING THE SAME, AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING THE SAME 失效
标题翻译：防反射聚合物，含有它的抗反射组合物及其形成图案的方法
公开(公告)号：US20090042141A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：US12135644
申请日：2008-06-09
申请人： JAE CHANG JUNG , SUNG KOO LEE
发明人： JAE CHANG JUNG , SUNG KOO LEE
IPC分类号： G03F7/26 , C08G63/688 , G03F1/00
CPC分类号： G03F7/091 , C09D133/14 , C08L2666/02
摘要： A polymer for crosslinking an anti-reflective film has a high refractive index. An anti-reflective composition containing the polymer is useful in a damascene process and an immersion lithography process using ArF (193 nm) of a semiconductor device manufacturing process.
摘要翻译：用于交联抗反射膜的聚合物具有高折射率。含有聚合物的抗反射组合物可用于使用半导体器件制造工艺的ArF（193nm）的镶嵌工艺和浸没光刻工艺。

6. 发明申请

US20080286241A1 Transplantation of Differentiated Immature Adipocytes and Biodegradable Scaffold for Tissue Augmentation 审中-公开
标题翻译：移植分化不成熟脂肪细胞和生物可降解支架进行组织增生
公开(公告)号：US20080286241A1
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：US11912108
申请日：2006-04-21
申请人： Sung-Koo Lee , Mi-Hyung Kim , In-Ok Kim
发明人： Sung-Koo Lee , Mi-Hyung Kim , In-Ok Kim
IPC分类号： A61K35/12 , C12N5/00 , C12N5/06 , A61P43/00 , G01N33/53
CPC分类号： A61L27/3804 , A61K35/12 , A61L27/3895 , C12N5/0653 , C12N2533/56 , C12N2533/74
摘要： Provided is a technology involving differentiating preadipocytes, derived from human adipose tissues, into adipocytes and transplanting the differentiated adipocytes in conjunction with a biodegradable scaffold into the body. According to the present invention, when immature adipocytes having a cell diameter of 20 to 40 μm, obtained by differentiation of adipose tissue-derived preadipocytes into adipose tissues, are used in conjunction with a scaffold in autologous or allogeneic transplantation, maturation of adipocytes at the target transplantation site leads to a gradual increase in the volume of adipocytes. Therefore, the adipocyte-scaffold composition according to the present invention can be utilized as an effective body volume replacement and can treat various disorders due to defects of soft tissues or aesthetic defects in appearance.
摘要翻译：提供了一种涉及将来自人类脂肪组织的前脂肪细胞分化成脂肪细胞并将分化的脂肪细胞与可生物降解的支架结合移植到体内的技术。根据本发明，通过将脂肪组织衍生的前脂肪细胞分化为脂肪组织而获得的细胞直径为20〜40μm的未成熟脂肪细胞与自体或同种异体移植中的支架结合使用，在目标移植部位导致脂肪细胞体积逐渐增加。因此，根据本发明的脂肪细胞 - 支架组合物可以用作有效的体积更换，并且可以治疗由于软组织的缺陷或外观上的美观缺陷引起的各种疾病。

7. 发明授权

US06764964B2 Method for forming patterns of a semiconductor device 失效
标题翻译：用于形成半导体器件的图案的方法
公开(公告)号：US06764964B2
公开(公告)日：2004-07-20
申请号：US10331527
申请日：2002-12-30
申请人： Young-sun Hwang , Jae-chang Jung , Sung-koo Lee , Chcol-kyu Bok , Ki-soo Shin
发明人： Young-sun Hwang , Jae-chang Jung , Sung-koo Lee , Chcol-kyu Bok , Ki-soo Shin
IPC分类号： H01L2131
CPC分类号： G03F7/091 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S438/949 , Y10S438/952
摘要： A method for forming patterns of a semiconductor device is disclosed which inhibits collapse of photoresist patterns in photoresist pattern-forming processes of the semiconductor device by forming micro-bends in an anti-reflective film to increase the contact area between a photoresist and the anti-reflective film and, simultaneously prevents critical dimension (CD) alteration of the photoresist pattern by creating micro-bends and double-laminating of anti-reflective films with different refractive indices and light-absorbencies.
摘要翻译：公开了一种用于形成半导体器件的图案的方法，其通过在抗反射膜中形成微弯曲来增加光致抗蚀剂和抗反射膜之间的接触面积，从而抑制半导体器件的光致抗蚀剂图案形成过程中光刻胶图案的塌陷，并且通过产生具有不同折射率和光吸收性的抗反射膜的微弯曲和双层压，同时防止光致抗蚀剂图案的临界尺寸（CD）变化。

8. 发明申请

US20120244713A1 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US20120244713A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：US13336238
申请日：2011-12-23
申请人： Sung Koo LEE
发明人： Sung Koo LEE
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/0273 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L28/92
摘要： A method for fabricating a semiconductor device, comprising forming a first photoresist pattern having a hole on a first layer, forming a surface curing layer in the hole and curing the first photoresist pattern on an inner sidewall of the hole to form a first curing pattern, removing the surface curing layer, forming a second photoresist pattern in the hole and curing the second photoresist pattern that contacts with the first curing pattern to form a second curing pattern, removing the first and second photoresist patterns, and etching the first layer using the first and second curing patterns as an etch barrier.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法，包括在第一层上形成具有孔的第一光致抗蚀剂图案，在孔中形成表面固化层，并使孔的内侧壁上的第一光致抗蚀剂图案固化以形成第一固化图案，去除所述表面固化层，在所述孔中形成第二光致抗蚀剂图案并固化与所述第一固化图案接触的所述第二光致抗蚀剂图案以形成第二固化图案，除去所述第一和第二光致抗蚀剂图案，以及使用所述第一固化层蚀刻所述第一层和第二固化图案作为蚀刻屏障。

9. 发明申请

US20100173249A1 Method for Manufacturing a Semiconductor Device 审中-公开
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：US20100173249A1
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：US12728979
申请日：2010-03-22
申请人： Jae Chang Jung , Sung Koo Lee
发明人： Jae Chang Jung , Sung Koo Lee
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/38
摘要： Disclosed herein is a composition for removing an immersion lithography solution. The composition includes an organic solvent and an acid compound. Also disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device including an immersion lithography process. When a photoresist pattern is formed by the immersion lithography process, an exposure process is performed on a photoresist film formed over an underlying layer with an immersion lithography exposer. Then, the composition is dripped over the wafer to remove residual immersion lithography solution on the photoresist film, thereby improving a water mark defect phenomenon.
摘要翻译：本文公开了一种用于去除浸没式光刻溶液的组合物。该组合物包括有机溶剂和酸化合物。还公开了一种制造包括浸没式光刻工艺的半导体器件的方法。当通过浸没光刻工艺形成光致抗蚀剂图案时，利用浸没式光刻曝光器对形成在下层上的光致抗蚀剂膜进行曝光处理。然后，将组合物滴在晶片上以除去光致抗蚀剂膜上的残留浸没光刻溶液，从而改善水痕缺陷现象。

10. 发明申请

US20090298291A1 METHOD FOR FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：形成半导体器件图案的方法
公开(公告)号：US20090298291A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：US12259962
申请日：2008-10-28
申请人： Sung Koo LEE , Jae Chang Jung
发明人： Sung Koo LEE , Jae Chang Jung
IPC分类号： H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/40 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要： In a method for forming a pattern of a semiconductor device, an ultra fine pattern is formed using a spacer patterning technology to overcome resolution limits of an exposer. A silicon-containing resist enhancement lithography assisted by a chemical shrink (RELACS) layer is formed with a spin-con-coating method in a track apparatus over a photoresist pattern. As a result, a cross-linking reaction is generated between the RELACS layer and the photoresist patterns to form the spacer, and the spacer is used as a mask in the patterning process.
摘要翻译：在用于形成半导体器件的图案的方法中，使用间隔物图案化技术形成超细图案以克服曝光器的分辨率极限。通过化学收缩（RELACS）层辅助的含硅抗蚀剂增强光刻通过光刻胶图案上的轨道装置中的自旋 - 涂覆法形成。结果，在RELACS层和光致抗蚀剂图案之间产生交联反应以形成间隔物，并且在图案化工艺中使用间隔物作为掩模。

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