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1. 发明授权

US07838201B2 Method for manufacturing a semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：US07838201B2
公开(公告)日：2010-11-23
申请号：US12420698
申请日：2009-04-08
申请人： Jae Chang Jung , Cheol Kyu Bok , Chang Moon Lim , Seung Chan Moon
发明人： Jae Chang Jung , Cheol Kyu Bok , Chang Moon Lim , Seung Chan Moon
IPC分类号： G03F7/30
CPC分类号： G03F7/0045 , C08F232/08 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/2041 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111
摘要： A polymer for immersion lithography comprising a repeating unit represented by Formula 1 and a photoresist composition containing the same. A photoresist film formed by the photoresist composition of the invention is highly resistant to dissolution, a photoacid generator in an aqueous solution for immersion lithography, thereby preventing contamination of an exposure lens and deformation of the photoresist pattern by exposure.
摘要翻译：一种用于浸没式光刻的聚合物，其包含由式1表示的重复单元和含有该重复单元的光致抗蚀剂组合物。由本发明的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂膜具有很高的耐溶解性，用于浸没式光刻的水溶液中的光致酸产生剂，从而防止曝光透镜的污染和曝光引起的光致抗蚀剂图案的变形。

2. 发明授权

US07824841B2 Method for forming a fine pattern of a semiconductor device 失效
标题翻译：用于形成半导体器件的精细图案的方法
公开(公告)号：US07824841B2
公开(公告)日：2010-11-02
申请号：US11765675
申请日：2007-06-20
申请人： Jae Chang Jung
发明人： Jae Chang Jung
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/091 , G03F7/11
摘要： A method for forming a pattern of a semiconductor device using an immersion lithography process includes pretreating a top portion of the photoresist film with an alkane solvent or alcohol in the immersion lithography process to form a uniform over-coating film.
摘要翻译：使用浸渍光刻工艺形成半导体器件的图案的方法包括在浸没光刻工艺中用烷烃溶剂或醇预处理光致抗蚀剂膜的顶部以形成均匀的覆盖膜。

3. 发明授权

US07771920B2 Anti-reflective polymer, anti-reflective composition containing the same, and method for forming pattern using the same 失效
标题翻译：防反射聚合物，含有该抗反射聚合物的抗反射组合物，以及使用其形成图案的方法
公开(公告)号：US07771920B2
公开(公告)日：2010-08-10
申请号：US12133511
申请日：2008-06-05
申请人： Jae Chang Jung
发明人： Jae Chang Jung
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/38 , C08F16/38 , C08F16/30
CPC分类号： G03F7/091 , C08F228/02
摘要： A polymer for crosslinking an anti-reflective film has a high refractive index. An anti-reflective composition containing the polymer for crosslinking is useful in an immersion lithography process using ArF (193 nm) of a semiconductor device manufacturing process.
摘要翻译：用于交联抗反射膜的聚合物具有高折射率。包含用于交联的聚合物的抗反射组合物可用于使用半导体器件制造方法的ArF（193nm）的浸没式光刻工艺。

4. 发明授权

US07759052B2 Anti-reflective polymer, anti-reflective composition containing the same, and method for forming pattern using the same 失效
标题翻译：防反射聚合物，含有该抗反射聚合物的抗反射组合物，以及使用其形成图案的方法
公开(公告)号：US07759052B2
公开(公告)日：2010-07-20
申请号：US12135644
申请日：2008-06-09
申请人： Jae Chang Jung , Sung Koo Lee
发明人： Jae Chang Jung , Sung Koo Lee
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , C08F28/00
CPC分类号： G03F7/091 , C09D133/14 , C08L2666/02
摘要： A polymer for crosslinking an anti-reflective film has a high refractive index. An anti-reflective composition containing the polymer is useful in a damascene process and an immersion lithography process using ArF (193 nm) of a semiconductor device manufacturing process.
摘要翻译：用于交联抗反射膜的聚合物具有高折射率。含有聚合物的抗反射组合物可用于使用半导体器件制造工艺的ArF（193nm）的镶嵌工艺和浸没光刻工艺。

5. 发明授权

US07745339B2 Method for forming fine pattern of semiconductor device 失效
标题翻译：用于形成半导体器件精细图案的方法
公开(公告)号：US07745339B2
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：US11672676
申请日：2007-02-08
申请人： Jae Chang Jung
发明人： Jae Chang Jung
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/461
CPC分类号： H01L21/76838 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31138 , H01L21/32135 , H01L21/32139
摘要： A method for forming a fine pattern of a semiconductor device comprises the steps of: forming a first hard mask pattern having a width of W1 and a thickness of T1 over an underlying layer formed over a semiconductor substrate; forming a second hard mask film with a planar type over the resulting structure and planarizing the second hard mask s to expose the first hard mask pattern; removing the first hard mask pattern by a thickness T2 from the top surface (0
摘要翻译：一种用于形成半导体器件的精细图案的方法包括以下步骤：在形成在半导体衬底上的下层上形成具有宽度W1和厚度T1的第一硬掩模图案; 在所得结构上形成具有平面型的第二硬掩模膜，并平坦化第二硬掩模以暴露第一硬掩模图案; 从顶面（0

6. 发明授权

US07531297B2 Organic anti-reflective coating polymer, organic anti-reflective coating composition and method for forming photoresist pattern 失效
标题翻译：有机抗反射涂料聚合物，有机抗反射涂料组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法
公开(公告)号：US07531297B2
公开(公告)日：2009-05-12
申请号：US11485749
申请日：2006-07-13
申请人： Jae Chang Jung
发明人： Jae Chang Jung
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/40 , C08F16/34 , C08F114/18
CPC分类号： G03F7/091
摘要： Disclosed herein is an organic anti-reflective coating polymer suitable for use in ultrafine pattern formation during fabrication of a semiconductor device. The organic anti-reflective coating polymer has a weight-average molecular weight of about 2,000 to about 100,000 and is represented by Formula 1 below: wherein R1 is a C1-C5 linear or branched alkyl group, R2 and R3 are each independently hydrogen or methyl, X is halogen, n is a number from 1 to 5, and a, b and c, representing the mole fraction of each monomer, are each independently from about 0.1 to about 0.9. Also disclosed are an organic anti-reflective coating composition comprising the coating polymer and a method for forming a photoresist pattern with the coating composition.
摘要翻译：本文公开了一种适用于半导体器件制造期间超细图案形成的有机抗反射涂层聚合物。有机抗反射涂层聚合物的重均分子量为约2,000至约100,000，由下式1表示：其中R1为C1-C5直链或支链烷基，R2和R3各自独立地为氢或甲基，X为卤素，n为1〜5的数，代表各单体的摩尔分数的a，b和c各自独立地为约0.1〜约0.9。还公开了包含涂料聚合物的有机抗反射涂料组合物和用该涂料组合物形成光致抗蚀剂图案的方法。

7. 发明授权

US07510979B2 Method for forming a pattern on a semiconductor device and semiconductor device resulting from the same 失效
标题翻译：在半导体器件上形成图案的方法和由其制成的半导体器件
公开(公告)号：US07510979B2
公开(公告)日：2009-03-31
申请号：US11770503
申请日：2007-06-28
申请人： Jae-chang Jung , Keun Kyu Kong , Jin-soo Kim
发明人： Jae-chang Jung , Keun Kyu Kong , Jin-soo Kim
IPC分类号： H01L21/302 , C08F234/02 , G03F7/00
CPC分类号： G02B1/111 , C09D135/00 , G03F7/091 , Y10T428/12528
摘要： Disclosed are a light absorbent agent polymer for organic anti-reflective coating which can prevent diffused light reflection of bottom film layer or substrate and reduce standing waves caused by a variation of thickness of the photoresist itself, thereby, increasing uniformity of the photoresist pattern, in a process for forming ultra-fine patterns of photoresist for photolithography by using 193 nm ArF among processes for manufacturing semiconductor devices, and its preparation method. Also, the present invention discloses an organic anti-reflective coating composition comprising a light absorbent agent polymer for the organic anti-reflective coating and a pattern formation process using the coating composition.
摘要翻译：公开了一种用于有机抗反射涂层的光吸收剂聚合物，其可以防止底部薄膜层或基底的扩散光反射，并减少由光致抗蚀剂本身的厚度变化引起的驻波，从而提高光致抗蚀剂图案的均匀性，其制造半导体装置的制造方法中使用193nm的ArF，形成用于光刻的光刻胶的超微细图案的方法及其制备方法。此外，本发明公开了一种有机抗反射涂层组合物，其包含用于有机抗反射涂层的光吸收剂聚合物和使用该涂料组合物的图案形成方法。

8. 发明申请

US20090042141A1 ANTI-REFLECTIVE POLYMER, ANTI-REFLECTIVE COMPOSITION CONTAINING THE SAME, AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING THE SAME 失效
标题翻译：防反射聚合物，含有它的抗反射组合物及其形成图案的方法
公开(公告)号：US20090042141A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：US12135644
申请日：2008-06-09
申请人： JAE CHANG JUNG , SUNG KOO LEE
发明人： JAE CHANG JUNG , SUNG KOO LEE
IPC分类号： G03F7/26 , C08G63/688 , G03F1/00
CPC分类号： G03F7/091 , C09D133/14 , C08L2666/02
摘要： A polymer for crosslinking an anti-reflective film has a high refractive index. An anti-reflective composition containing the polymer is useful in a damascene process and an immersion lithography process using ArF (193 nm) of a semiconductor device manufacturing process.
摘要翻译：用于交联抗反射膜的聚合物具有高折射率。含有聚合物的抗反射组合物可用于使用半导体器件制造工艺的ArF（193nm）的镶嵌工艺和浸没光刻工艺。

9. 发明申请

US20090042140A1 ANTI-REFLECTIVE POLYMER, ANTI-REFLECTIVE COMPOSITION CONTAINING THE SAME, AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING THE SAME 失效
标题翻译：防反射聚合物，含有它的抗反射组合物及其形成图案的方法
公开(公告)号：US20090042140A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：US12133511
申请日：2008-06-05
申请人： Jae Chang Jung
发明人： Jae Chang Jung
IPC分类号： G03F7/20 , C08F28/04 , G03F1/00
CPC分类号： G03F7/091 , C08F228/02
摘要： A polymer for crosslinking an anti-reflective film has a high refractive index. An anti-reflective composition containing the polymer for crosslinking is useful in an immersion lithography process using ArF (193 nm) of a semiconductor device manufacturing process.
摘要翻译：用于交联抗反射膜的聚合物具有高折射率。包含用于交联的聚合物的抗反射组合物可用于使用半导体器件制造方法的ArF（193nm）的浸没式光刻工艺。

10. 发明授权

US07462439B2 Top anti-reflective coating polymer, its preparation method and top anti-reflective coating composition comprising the same 失效
标题翻译：顶级抗反射涂料聚合物，其制备方法和包含其的顶部抗反射涂料组合物
公开(公告)号：US07462439B2
公开(公告)日：2008-12-09
申请号：US11159735
申请日：2005-06-23
申请人： Jae Chang Jung , Cheol Kyu Bok , Chang Moon Lim , Seung Chan Moon
发明人： Jae Chang Jung , Cheol Kyu Bok , Chang Moon Lim , Seung Chan Moon
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/039 , C08F22/18
CPC分类号： G03F7/091 , C09D5/32 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0392 , Y10S438/952
摘要： Disclosed herein is a top anti-reflective coating polymer represented by Formula 1, below: wherein R1 and R2 are independently hydrogen, fluoro, methyl or fluoromethyl; R3 is a C1-10 hydrocarbon or a C1-10 hydrocarbon in which the hydrogen atoms are partly replaced by fluorine atoms; and a, b and c, representing the mole fraction of each monomer, are in the range between 0.05 and 0.9. Because a top anti-reflective coating formed using the anti-reflective coating polymer of Formula 1 is not soluble in water, it can be applied to immersion lithography using water as a medium for a light source. In addition, because the top anti-reflective coating can reduce the reflectance from an underlying layer, the uniformity of CD is improved, thus enabling the formation of an ultra fine pattern.
摘要翻译：本文公开了由下式1表示的顶部抗反射涂层聚合物：其中R1和R2独立地为氢，氟，甲基或氟甲基; R3是其中氢原子被氟原子部分取代的C1-10烃或C1-10烃; 和表示每个单体的摩尔分数的a，b和c在0.05和0.9之间的范围内。由于使用式1的抗反射涂层聚合物形成的顶部抗反射涂层不溶于水，因此可以使用水作为光源的介质进行浸渍光刻。此外，由于顶部抗反射涂层可以降低来自下层的反射率，因此提高了CD的均匀性，从而能够形成超细图案。

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