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1. 实用新型

TWM599029U 積體電路晶片、封裝基板及電子總成有权
简体标题：集成电路芯片、封装基板及电子总成
公开(公告)号：TWM599029U
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW109202423
申请日：2020-03-05
申请人：威鋒電子股份有限公司 , VIA LABS, INC.
发明人：李勝源 , LEE, SHENG-YUAN
IPC分类号： H01L27/07 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/48 , H01L23/31 , H01L23/28 , H01L23/12 , H01L23/10 , H01L23/02

2. 发明专利

TWI633665B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI633665B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW104126875
申请日：2015-08-18
申请人：豐田自動車股份有限公司 , TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
发明人：秦裕史 , HATA, HIROSHI , 亀山悟 , KAMEYAMA, SATORU , 岩崎真也 , IWASAKI, SHINYA
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/861 , H01L27/07

3. 发明专利

TW201731035A 基於溝槽之充電幫浦裝置审中-公开
简体标题：基于沟槽之充电帮浦设备
公开(公告)号：TW201731035A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105138632
申请日：2016-11-24
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：摩爾漢斯彼特 , MOLL, HANS-PETER , 巴爾斯彼特 , BAARS, PETER , 法爾朱爾根 , FAUL, JUERGEN
IPC分类号： H01L21/84 , H01L27/02 , H01L27/07 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/0222 , G05F3/205 , H01L28/40 , H01L29/66477 , H01L29/945
摘要：本發明提供一種半導體裝置，包括全耗盡絕緣體上矽(FDSOI)基板及充電幫浦裝置，其中，該FDSOI基板包括半導體塊體基板，且該充電幫浦裝置包括形成於該FDSOI基板中及上的電晶體裝置，以及形成於該半導體塊體基板中並與該電晶體裝置電性連接的溝槽電容器。本發明還提供一種半導體裝置，包括：半導體塊體基板，包括第一源/汲區的第一電晶體裝置，包括第二源/汲區的第二電晶體裝置，包括第一內電容器電極及第一外電容器電極的第一溝槽電容器，以及包括第二內電容器電極及第二外電容器電極的第二溝槽電容器，其中，該第一內電容器電極與該第一源/汲區連接，且該第二內電容器電極與該第二源/汲區連接。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，包括全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)基板及充电帮浦设备，其中，该FDSOI基板包括半导体块体基板，且该充电帮浦设备包括形成于该FDSOI基板中及上的晶体管设备，以及形成于该半导体块体基板中并与该晶体管设备电性连接的沟槽电容器。本发明还提供一种半导体设备，包括：半导体块体基板，包括第一源/汲区的第一晶体管设备，包括第二源/汲区的第二晶体管设备，包括第一内电容器电极及第一外电容器电极的第一沟槽电容器，以及包括第二内电容器电极及第二外电容器电极的第二沟槽电容器，其中，该第一内电容器电极与该第一源/汲区连接，且该第二内电容器电极与该第二源/汲区连接。

4. 发明专利

TWI587478B 半導體裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI587478B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW104126111
申请日：2015-08-11
申请人：豐田自動車股份有限公司 , TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
发明人：添野明高 , SOENO, AKITAKA
IPC分类号： H01L27/07 , H01L29/772 , H01L29/872 , H01L21/328 , H01L21/334
CPC分类号： H01L27/0635 , H01L21/8249 , H01L29/1095 , H01L29/41 , H01L29/41741 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/872

5. 发明专利

TW201631739A 半導體元件及其製備方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制备方法
公开(公告)号：TW201631739A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105105573
申请日：2016-02-25
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：秀明土子 , HIDEAKI, TSUCHIKO , 雷燮光 , LUI, SIK
IPC分类号： H01L27/07 , H01L21/8249
CPC分类号： H01L21/761 , H01L21/26586 , H01L21/266 , H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/0646 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/1008 , H01L29/1058 , H01L29/1066 , H01L29/42368 , H01L29/6625 , H01L29/66272 , H01L29/732 , H01L29/735 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H01L29/808
摘要：本發明提出了一種半導體元件，該半導體元件包括P-型半導體基板、在半導體基板上方的N-型阱、在N-型阱中被一個或複數個P-型隔離結構隔開的P型區、以及在P-型區下方被隔離結構隔開的N-型穿通阻擋層。與N-型阱相比，穿通阻擋層重摻雜。P-型區在兩個隔離結構之間的寬度等於或小於N-型穿通阻擋層的寬度。
简体摘要：本发明提出了一种半导体组件，该半导体组件包括P-型半导体基板、在半导体基板上方的N-型阱、在N-型阱中被一个或复数个P-型隔离结构隔开的P型区、以及在P-型区下方被隔离结构隔开的N-型穿通阻挡层。与N-型阱相比，穿通阻挡层重掺杂。P-型区在两个隔离结构之间的宽度等于或小于N-型穿通阻挡层的宽度。

6. 发明专利

TW201611239A 半導體元件审中-公开
简体标题：半导体组件
公开(公告)号：TW201611239A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104105673
申请日：2015-02-17
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：岩津泰徳 , IWATSU, YASUNORI , 猪原正弘 , INOHARA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/07 , H01L29/70 , H01L29/772 , H01L21/74 , H01L21/76
CPC分类号： H01L29/0623 , H01L21/761 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/083 , H01L29/402 , H01L29/732 , H01L29/7393 , H01L29/7436 , H01L29/7835 , H01L29/7838 , H01L29/8611
摘要：本發明係一種半導體元件，其中，實施形態係提供具備：半導體基板，和加以設置於前述半導體基板上之半導體層，其中，具有：擁有第1部分，與在對於前述半導體基板與前述半導體層之層積方向而言為垂直之第1方向中，與前述第1部分排列之第2部分之第1範圍；和具有加以設置於前述第1部分表面之第1導電形的第2範圍；和具有在前述第1部分之表面中，加以設置於前述第2部分與前述第2範圍之間，與前述第2部分與前述第2範圍隔開之第2導電形的第3範圍；和具有在前述第1部分之表面中，加以設置於前述第2部分與前述第3範圍之間，與前述第2部分鄰接之前述第1導電形的第4範圍；和具有加以設置於前述第4範圍之表面的前述第2導電形之第5範圍的半導體層；和在前述半導體層上中，加以設置於前述第5範圍與前述第2部分之間的第1電極；和加以設置於前述半導體層與前述第1電極之間的第1絕緣膜之半導體元件。
简体摘要：本发明系一种半导体组件，其中，实施形态系提供具备：半导体基板，和加以设置于前述半导体基板上之半导体层，其中，具有：拥有第1部分，与在对于前述半导体基板与前述半导体层之层积方向而言为垂直之第1方向中，与前述第1部分排列之第2部分之第1范围；和具有加以设置于前述第1部分表面之第1导电形的第2范围；和具有在前述第1部分之表面中，加以设置于前述第2部分与前述第2范围之间，与前述第2部分与前述第2范围隔开之第2导电形的第3范围；和具有在前述第1部分之表面中，加以设置于前述第2部分与前述第3范围之间，与前述第2部分邻接之前述第1导电形的第4范围；和具有加以设置于前述第4范围之表面的前述第2导电形之第5范围的半导体层；和在前述半导体层上中，加以设置于前述第5范围与前述第2部分之间的第1电极；和加以设置于前述半导体层与前述第1电极之间的第1绝缘膜之半导体组件。

7. 发明专利

TW201606988A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201606988A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104119459
申请日：2015-06-16
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：井手啓介 , IDE, KEISUKE , 斉藤貴翁 , SAITOH, TAKAO , 神崎庸輔 , KANZAKI, YOHSUKE , 高丸泰 , TAKAMARU, YUTAKA , 金子誠二 , KANEKO, SEIJI , 松木薗広志 , MATSUKIZONO, HIROSHI , 宮本忠芳 , MIYAMOTO, TADAYOSHI
IPC分类号： H01L27/07 , H01L27/085 , H01L29/786 , G09G3/36 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/1251 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2330/021 , H01L21/8234 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/1225 , H01L27/1274 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L29/78648 , H01L29/78675 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：本發明之半導體裝置(100)具有基板(11)、第1TFT(10)、及第2TFT(20)。第1TFT具有：第1半導體層(12)，其被基板支持；第1閘極電極(14)，其係以介隔第1閘極絕緣層(13)與第1半導體層重疊之方式形成於第1半導體層上；第1絕緣層(16)，其覆蓋第1閘極電極；以及第1源極電極(17s)及第1汲極電極(17d)，其等形成於第1絕緣層上，且連接於第1半導體層。第2TFT具有：第2閘極電極(22)，其被基板支持；第2半導體層(25)，其係以介隔第2閘極絕緣層(23)與第2閘極電極重疊之方式形成於第2閘極電極，且含有氧化物半導體；以及第2源極電極(24s)及第2汲極電極(24d)，其等形成於第2閘極絕緣層與第2半導體層之間。第1半導體層及第2閘極電極係由共通之半導體膜(52)形成。
简体摘要：本发明之半导体设备(100)具有基板(11)、第1TFT(10)、及第2TFT(20)。第1TFT具有：第1半导体层(12)，其被基板支持；第1闸极电极(14)，其系以介隔第1闸极绝缘层(13)与第1半导体层重叠之方式形成于第1半导体层上；第1绝缘层(16)，其覆盖第1闸极电极；以及第1源极电极(17s)及第1汲极电极(17d)，其等形成于第1绝缘层上，且连接于第1半导体层。第2TFT具有：第2闸极电极(22)，其被基板支持；第2半导体层(25)，其系以介隔第2闸极绝缘层(23)与第2闸极电极重叠之方式形成于第2闸极电极，且含有氧化物半导体；以及第2源极电极(24s)及第2汲极电极(24d)，其等形成于第2闸极绝缘层与第2半导体层之间。第1半导体层及第2闸极电极系由共通之半导体膜(52)形成。

8. 发明专利

TWI681552B 反或型快閃記憶體及其製造方法有权
简体标题：反或型闪存及其制造方法
公开(公告)号：TWI681552B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107121489
申请日：2018-06-22
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：白田理一郎 , SHIROTA, RIICHIRO
IPC分类号： H01L27/11578 , H01L27/07

9. 发明专利

TWI588972B 半導體元件及其製備方法有权
简体标题：半导体组件及其制备方法
公开(公告)号：TWI588972B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105105573
申请日：2016-02-25
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：秀明土子 , HIDEAKI, TSUCHIKO , 雷燮光 , LUI, SIK
IPC分类号： H01L27/07 , H01L21/8249
CPC分类号： H01L21/761 , H01L21/26586 , H01L21/266 , H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/0646 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/1008 , H01L29/1058 , H01L29/1066 , H01L29/42368 , H01L29/6625 , H01L29/66272 , H01L29/732 , H01L29/735 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H01L29/808

10. 发明专利

TWI575707B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI575707B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW105105819
申请日：2016-02-26
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：陳巨峰 , CHEN, CHU FENG , 周葦俊 , CHOU, WEI CHUN , 邱建維 , CHIU, CHIEN WEI
IPC分类号： H01L27/07 , H01L29/68 , H01L21/8248

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