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1. 发明专利

TW201611239A 半導體元件审中-公开
简体标题：半导体组件
公开(公告)号：TW201611239A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104105673
申请日：2015-02-17
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：岩津泰徳 , IWATSU, YASUNORI , 猪原正弘 , INOHARA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/07 , H01L29/70 , H01L29/772 , H01L21/74 , H01L21/76
CPC分类号： H01L29/0623 , H01L21/761 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/083 , H01L29/402 , H01L29/732 , H01L29/7393 , H01L29/7436 , H01L29/7835 , H01L29/7838 , H01L29/8611
摘要：本發明係一種半導體元件，其中，實施形態係提供具備：半導體基板，和加以設置於前述半導體基板上之半導體層，其中，具有：擁有第1部分，與在對於前述半導體基板與前述半導體層之層積方向而言為垂直之第1方向中，與前述第1部分排列之第2部分之第1範圍；和具有加以設置於前述第1部分表面之第1導電形的第2範圍；和具有在前述第1部分之表面中，加以設置於前述第2部分與前述第2範圍之間，與前述第2部分與前述第2範圍隔開之第2導電形的第3範圍；和具有在前述第1部分之表面中，加以設置於前述第2部分與前述第3範圍之間，與前述第2部分鄰接之前述第1導電形的第4範圍；和具有加以設置於前述第4範圍之表面的前述第2導電形之第5範圍的半導體層；和在前述半導體層上中，加以設置於前述第5範圍與前述第2部分之間的第1電極；和加以設置於前述半導體層與前述第1電極之間的第1絕緣膜之半導體元件。
简体摘要：本发明系一种半导体组件，其中，实施形态系提供具备：半导体基板，和加以设置于前述半导体基板上之半导体层，其中，具有：拥有第1部分，与在对于前述半导体基板与前述半导体层之层积方向而言为垂直之第1方向中，与前述第1部分排列之第2部分之第1范围；和具有加以设置于前述第1部分表面之第1导电形的第2范围；和具有在前述第1部分之表面中，加以设置于前述第2部分与前述第2范围之间，与前述第2部分与前述第2范围隔开之第2导电形的第3范围；和具有在前述第1部分之表面中，加以设置于前述第2部分与前述第3范围之间，与前述第2部分邻接之前述第1导电形的第4范围；和具有加以设置于前述第4范围之表面的前述第2导电形之第5范围的半导体层；和在前述半导体层上中，加以设置于前述第5范围与前述第2部分之间的第1电极；和加以设置于前述半导体层与前述第1电极之间的第1绝缘膜之半导体组件。

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