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1. 发明专利

TWI695454B 具有背對背場效應電晶體的雙向開關元件及其製造方法有权
简体标题：具有背对背场效应晶体管的双向开关组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI695454B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW106121672
申请日：2017-06-28
申请人：美商萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：雷燮光 , LUI, SIK
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/78

2. 发明专利

TW202015206A 具有分布閘極之功率電晶體审中-公开
简体标题：具有分布闸极之功率晶体管
公开(公告)号：TW202015206A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108144744
申请日：2015-08-20
申请人：美商納維達斯半導體公司 , NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：金瑟丹尼爾 M , KINZER, DANIEL M.
IPC分类号： H01L23/528 , H01L27/06 , H01L29/20 , H01L29/78 , H01L29/87
摘要：本發明揭示一種電子電路。該電子電路包含一分布功率開關。在一些實施例中，該電子電路亦包含一分布閘極驅動器、一分布閘極下拉裝置、一分布二極體及一低電阻閘極及/或源極連接結構之一或多者。本發明亦揭示一種包括該電路之電子組件及製造該電路之方法。
简体摘要：本发明揭示一种电子电路。该电子电路包含一分布功率开关。在一些实施例中，该电子电路亦包含一分布闸极驱动器、一分布闸极下拉设备、一分布二极管及一低电阻闸极及/或源极连接结构之一或多者。本发明亦揭示一种包括该电路之电子组件及制造该电路之方法。

3. 发明专利

TWI681536B 天線開關及雙工器之整體整合有权
简体标题：天线开关及双工器之整体集成
公开(公告)号：TWI681536B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW105141312
申请日：2016-12-14
申请人：美商高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED
发明人：古錫昆 , GU, SHIQUN , 左誠杰 , ZUO, CHENGJIE , 法奈里史蒂夫 , FANELLI, STEVE , 葛湯瑪士 , GEE, THOMAS , 宋勇奎 , SONG, YOUNG KYU
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/08 , H04B1/50

4. 发明专利

TWI671881B 積體電路結構及形成積體電路的方法有权
简体标题：集成电路结构及形成集成电路的方法
公开(公告)号：TWI671881B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW106131714
申请日：2017-09-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：莊惠中 , ZHUANG, HUI-ZHONG , 江庭瑋 , CHIANG, TING-WEI , 魯立忠 , LU, LEE-CHUNG , 田麗鈞 , TIEN, LI-CHUN , 陳順利 , CHEN, SHUN-LI
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/06

5. 发明专利

TWI663707B 製造半導體顯示裝置之方法有权
简体标题：制造半导体显示设备之方法
公开(公告)号：TWI663707B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW106124002
申请日：2017-07-18
申请人：奇景光電股份有限公司 , HIMAX TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：謝於叡 , HSIEH, YU JUI , 陳柏男 , CHEN, PO NAN
IPC分类号： H01L27/06

6. 发明专利

TW201904013A 聲波元件與變容二極體整合結構暨聲波元件、變容二極體與功率放大器整合結構及其製造方法审中-公开
简体标题：声波组件与变容二极管集成结构暨声波组件、变容二极管与功率放大器集成结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201904013A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107100692
申请日：2018-01-08
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：蔡緒孝 , TSAI, SHU HSIAO , 林瑞欽 , LIN, RE CHING , 廖珮淳 , LIAO, PEI CHUN , 林正國 , LIN, CHENG KUO , 覃永忠 , CHIN, YUNG CHUNG , 江志烽 , CHIANG, CHIH FENG
IPC分类号： H01L25/04 , H01L27/06
摘要：一種聲波元件與變容二極體整合結構，包括分別形成於一半導體基板之一第一部份以及一第二部份之上之一聲波元件以及一變容二極體。聲波元件包括一聲波元件上層結構以及一底部磊晶結構之一第一部份。聲波元件上層結構係形成於底部磊晶結構之第一部份之上。變容二極體包括一變容二極體上層結構以及底部磊晶結構之一第二部份。變容二極體上層結構係形成於底部磊晶結構之第二部份之上。藉由將聲波元件及變容二極體之整合結構整合於同一半導體基板之上，藉以縮小元件體積、最佳化聲波元件及變容二極體之阻抗匹配以及減少訊號之損耗。
简体摘要：一种声波组件与变容二极管集成结构，包括分别形成于一半导体基板之一第一部份以及一第二部份之上之一声波组件以及一变容二极管。声波组件包括一声波组件上层结构以及一底部磊晶结构之一第一部份。声波组件上层结构系形成于底部磊晶结构之第一部份之上。变容二极管包括一变容二极管上层结构以及底部磊晶结构之一第二部份。变容二极管上层结构系形成于底部磊晶结构之第二部份之上。借由将声波组件及变容二极管之集成结构集成于同一半导体基板之上，借以缩小组件体积、最优化声波组件及变容二极管之阻抗匹配以及减少信号之损耗。

7. 发明专利

TW201834022A 用於在陶瓷基板上整合元素及複合半導體的方法及系統审中-公开
简体标题：用于在陶瓷基板上集成元素及复合半导体的方法及系统
公开(公告)号：TW201834022A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106136152
申请日：2017-10-20
申请人：美商克若密斯股份有限公司 , QROMIS, INC.
发明人：歐諾博利伍鐸佛拉迪米耶 , ODNOBLYUDOV, VLADIMIR , 巴瑟里傑姆 , BASCERI, CEM , 法倫斯莎麗 , FARRENS, SHARI , 阿克塔斯奧茲卡 , AKTAS, OZGUR
IPC分类号： H01L21/04 , H01L27/06 , H01L27/092 , C30B25/18 , C30B29/06 , C30B29/40
摘要：一種製造半導體結構的方法，該方法包括提供工程基板，該工程基板包括多晶基板、包封該多晶基板的阻障層、及連接該阻障層的結合層。該方法進一步包括以下步驟：形成連接該結合層的第一矽層；形成連接該第一矽層的介電層；形成連接該介電層的第二矽層；去除該第二矽層的一部分和該介電層的一相應部分以暴露該第一矽層的一部分；形成連接該第一矽層的暴露部分的氮化鎵（GaN）層；形成連接該GaN層的基於氮化鎵（GaN）的元件；以及形成連接該第二矽層的剩餘部分的基於矽的元件。
简体摘要：一种制造半导体结构的方法，该方法包括提供工程基板，该工程基板包括多晶基板、包封该多晶基板的阻障层、及连接该阻障层的结合层。该方法进一步包括以下步骤：形成连接该结合层的第一硅层；形成连接该第一硅层的介电层；形成连接该介电层的第二硅层；去除该第二硅层的一部分和该介电层的一相应部分以暴露该第一硅层的一部分；形成连接该第一硅层的暴露部分的氮化镓（GaN）层；形成连接该GaN层的基于氮化镓（GaN）的组件；以及形成连接该第二硅层的剩余部分的基于硅的组件。

8. 发明专利

TW201830659A 積體電路結構及形成積體電路的方法审中-公开
简体标题：集成电路结构及形成集成电路的方法
公开(公告)号：TW201830659A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106131714
申请日：2017-09-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：莊惠中 , ZHUANG, HUI-ZHONG , 江庭瑋 , CHIANG, TING-WEI , 魯立忠 , LU, LEE-CHUNG , 田麗鈞 , TIEN, LI-CHUN , 陳順利 , CHEN, SHUN-LI
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/06
摘要：一種積體電路結構包括胞元、第一軌條及第二軌條。胞元包括第一主動區及第二主動區以及第一閘極結構。第一主動區及第二主動區在第一方向上延伸且位於第一層階。所述第二主動區在第二方向上與所述第一主動區隔開。第一閘極結構在第二方向上延伸，與第一主動區及第二主動區交疊，且位於第二層階。第一軌條在第一方向上延伸，與第一主動區交疊，被配置成供應第一電源電壓，且位於第三層階。第二軌條在第一方向上延伸，與第二主動區交疊，位於第三層階，在第二方向上與第一軌條隔開，且被配置成供應第二電源電壓。
简体摘要：一种集成电路结构包括胞元、第一轨条及第二轨条。胞元包括第一主动区及第二主动区以及第一闸极结构。第一主动区及第二主动区在第一方向上延伸且位于第一层阶。所述第二主动区在第二方向上与所述第一主动区隔开。第一闸极结构在第二方向上延伸，与第一主动区及第二主动区交叠，且位于第二层阶。第一轨条在第一方向上延伸，与第一主动区交叠，被配置成供应第一电源电压，且位于第三层阶。第二轨条在第一方向上延伸，与第二主动区交叠，位于第三层阶，在第二方向上与第一轨条隔开，且被配置成供应第二电源电压。

9. 发明专利

TWI630599B 顯示裝置和包括該顯示裝置的電子裝置有权
简体标题：显示设备和包括该显示设备的电子设备
公开(公告)号：TWI630599B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW106140334
申请日：2009-11-26
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：梅崎敦司 , UMEZAKI, ATSUSHI
IPC分类号： G09G3/36 , H01L27/06

10. 发明专利

TW201826497A 用於積體電路裝置之預成的層間連接审中-公开
简体标题：用于集成电路设备之预成的层间连接
公开(公告)号：TW201826497A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106127807
申请日：2017-08-16
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：譚伊利耶特 , TAN, ELLIOT
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/768
摘要：第一金屬化層沉積在基板上的第一絕緣層上。該第一金屬化層包含成組的第一導線。第二金屬化層沉積在該第一金屬化層之上。該第二金屬化層包含成組的第二導線，其跨交該組第一導線以形成相交區域。該相交區域之至少一者包含該第一導線之一者的第一部分和跨交該第一部分的該第二導線之一者的第二部分。複數個預成的連接係在該複數個相交區域處該第一金屬化層與該第二金屬化層之間沉積。該預成的連接之至少一者包含對準到該第二部分及該第一部分的第二絕緣層。
简体摘要：第一金属化层沉积在基板上的第一绝缘层上。该第一金属化层包含成组的第一导线。第二金属化层沉积在该第一金属化层之上。该第二金属化层包含成组的第二导线，其跨交该组第一导线以形成相交区域。该相交区域之至少一者包含该第一导线之一者的第一部分和跨交该第一部分的该第二导线之一者的第二部分。复数个预成的连接系在该复数个相交区域处该第一金属化层与该第二金属化层之间沉积。该预成的连接之至少一者包含对准到该第二部分及该第一部分的第二绝缘层。

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