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1. 发明专利

TWI574069B 光子裝置結構及製造方法有权
简体标题：光子设备结构及制造方法
公开(公告)号：TWI574069B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW104123131
申请日：2014-02-21
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：珊得胡高提傑 , SANDHU, GURTEJ , 米迪羅伊 , MEADE, ROY
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/136
CPC分类号： G02B6/1225 , G02B6/12004 , G02B6/136 , G02B2006/12097 , H01L21/308

2. 发明专利

TWI549259B 全集成主被動積體光學於矽基積體電路及其製作方法有权
简体标题：全集成主被动积体光学于硅基集成电路及其制作方法
公开(公告)号：TWI549259B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW103117237
申请日：2014-05-15
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：李明昌 , LEE, MING CHANG , 曾治國 , TSENG, CHIH KUO
IPC分类号： H01L27/04 , G02B6/122
CPC分类号： G02B6/136 , G02B6/131 , G02B6/43 , G02B2006/12169 , H01L27/1203 , H01L31/02325

3. 发明专利

TW201631343A 光電混合基板及其製法审中-公开
简体标题：光电混合基板及其制法
公开(公告)号：TW201631343A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104139144
申请日：2015-11-25
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：田中直幸 , TANAKA, NAOYUKI , 辻田雄一 , TSUJITA, YUICHI
IPC分类号： G02B6/122 , H05K1/02
CPC分类号： G02B6/4281 , G02B6/122 , G02B6/136 , G02B6/138 , G02B6/4214 , G02B6/43 , H05K1/0274 , H05K1/0278 , H05K3/06 , H05K2201/09036
摘要：本發明是一種光電混合基板，其具備在絕緣層的表面形成有電氣佈線之電路基板、及隔著金屬層而設置在此電路基板的絕緣層背面側之光波導，且在上述金屬層中，將與光波導端部的輪廓部重疊之區域的至少一部分去除而形成開口部，並以使光波導之一部分進入該開口部內的狀態來形成光波導。依據此光電混合基板，由於不會有使設置於電路基板的背面側之光波導的端部從金屬層剝落之情況，所以能夠長期良好地使用。
简体摘要：本发明是一种光电混合基板，其具备在绝缘层的表面形成有电气布线之电路基板、及隔着金属层而设置在此电路基板的绝缘层背面侧之光波导，且在上述金属层中，将与光波导端部的轮廓部重叠之区域的至少一部分去除而形成开口部，并以使光波导之一部分进入该开口部内的状态来形成光波导。依据此光电混合基板，由于不会有使设置于电路基板的背面侧之光波导的端部从金属层剥落之情况，所以能够长期良好地使用。

4. 发明专利

TW201621301A 整合式分析裝置之陣列审中-公开
简体标题：集成式分析设备之数组
公开(公告)号：TW201621301A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104127926
申请日：2015-08-26
申请人：加州太平洋生物科學公司 , PACIFIC BIOSCIENCES OF CALIFORNIA, INC.
发明人：格羅特安妮特 , GROT, ANNETTE , 薩克森納拉維 , SAXENA, RAVI , 朗得奎斯特保羅 , LUNDQUIST, PAUL
IPC分类号： G01N21/78 , G02B27/42 , G02B5/18 , G02B5/20
CPC分类号： G01N21/6454 , G01N21/6428 , G01N21/648 , G01N21/7703 , G01N21/78 , G01N2021/6439 , G01N2021/6478 , G01N2021/7756 , G01N2021/7786 , G01N2201/068 , G01N2201/0873 , G02B5/1895 , G02B5/201 , G02B5/285 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B27/4238 , G02B27/4244 , G02B2006/12102 , G02B2006/12109 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14685
摘要：本發明提供整合式分析裝置之陣列及該等陣列之產生方法。該等陣列在以高密度的大量高度多工之光學反應之分析中為有用的，該等高度多工之光學反應包括生化反應，諸如核酸定序反應。該等裝置允許使用諸如頻譜、振幅及時間解析度或上述各者之組合進行的光學信號之高靈敏度鑒別。該等裝置包括整合式繞射波束整形元件，該整合式繞射波束整形元件提供自該等光學反應發射的光之空間分離。
简体摘要：本发明提供集成式分析设备之数组及该等数组之产生方法。该等数组在以高密度的大量高度多任务之光学反应之分析中为有用的，该等高度多任务之光学反应包括生化反应，诸如核酸定序反应。该等设备允许使用诸如频谱、振幅及时间分辨率或上述各者之组合进行的光学信号之高灵敏度鉴别。该等设备包括集成式绕射波束整形组件，该集成式绕射波束整形组件提供自该等光学反应发射的光之空间分离。

5. 发明专利

TW201606374A 光學耦合器审中-公开
简体标题：光学耦合器
公开(公告)号：TW201606374A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104118500
申请日：2015-06-08
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：克里許南墨西馬海許 , KRISHNAMURTHI, MAHESH , 里克曼賈德森 , RYCKMAN, JUDSON , 龍海勝 , RONG, HAISHENG , 廖凌 , LIAO, LING , 弗雷許哈里爾 , FRISH, HAREL , 哈里爾歐許里特 , HAREL, OSHRIT , 巴凱亞西雅 , BARKAI, ASSIA , 陳淑律 , CHEN, SHU LU , 那允中 , NA, YUN CHUNG , 劉漢鼎 , LIU, HAN DIN
IPC分类号： G02B6/42 , G02B6/13
CPC分类号： G02B6/122 , G02B6/12002 , G02B6/1228 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/4214 , G02B6/4296 , G02B2006/12061 , G02B2006/121 , G02B2006/12104 , G02B2006/12147 , G02B2006/12152
摘要：本揭示內容之實施例係針對一光學耦合器之技術與組態。某些實施例中，該裝置可包括一光波導來發送從一光源輸入之光。該光波導可包括具有一溝槽之一半導體層，該溝槽包含低於一約45度角形成之一邊緣的一小平面以及與該半導體層實質上垂直形成之另一小平面。該邊緣可與另一介質介接來形成一鏡子以接收輸入光並實質上垂直反射接收光來傳播該接收光。本案亦敘述其他實施例及/或加以請求專利。
简体摘要：本揭示内容之实施例系针对一光学耦合器之技术与组态。某些实施例中，该设备可包括一光波导来发送从一光源输入之光。该光波导可包括具有一沟槽之一半导体层，该沟槽包含低于一约45度角形成之一边缘的一小平面以及与该半导体层实质上垂直形成之另一小平面。该边缘可与另一介质介接来形成一镜子以接收输入光并实质上垂直反射接收光来传播该接收光。本案亦叙述其他实施例及/或加以请求专利。

6. 发明专利

TWI516806B 光學元件結構及其製造方法有权
简体标题：光学组件结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI516806B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW102114849
申请日：2013-04-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED
发明人：曾俊豪 , TSENG, CHUN HAO , 郭英顥 , KUO, YING HAO , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I
IPC分类号： G02B3/00
CPC分类号： B05D5/06 , G02B3/00 , G02B3/0012 , G02B3/0043 , G02B6/136

7. 发明专利

TWI499817B 光子裝置結構及製造方法有权
简体标题：光子设备结构及制造方法
公开(公告)号：TWI499817B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW103105927
申请日：2014-02-21
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：珊得胡高提傑 , SANDHU, GURTEJ , 米迪羅伊 , MEADE, ROY
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/136
CPC分类号： G02B6/1225 , G02B6/12004 , G02B6/136 , G02B2006/12097 , H01L21/308

8. 发明专利

TW201323951A 開槽式波導調變器裝置之開槽式Ｙ耦合波導审中-公开
简体标题：开槽式波导调制器设备之开槽式Ｙ耦合波导
公开(公告)号：TW201323951A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101131832
申请日：2012-08-31
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：張立德 , CHANG, PETER L. , 曾嘉宏 , TSENG, JIA HUNG
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02F1/3133 , G02B6/1221 , G02B6/125 , G02B6/136 , G02F1/025 , G02F1/065
摘要：本揭露的實施例描述用於減少調變器裝置的波導中之光損耗的技術及組態。在一實施例中，一種設備包括基板，及形成在該基板上的調變器裝置之波導，該波導具有組態成接收光線以沿該波導傳播之第一部、包括形成在波導中並合併成單一槽之兩槽的第二部，該第二部與該第一部耦合、包括形成在波導中之該單一槽的第三部，該第三部與該第二部耦合、包括形成在波導中之另外兩槽的第四部，該另外兩槽自該單一槽分支，該第四部與該第三部耦合、及組態成輸出經傳播之光線的第五部，該第五部與該第四部耦合。描述其他實施例並/或主張其專利權。
简体摘要：本揭露的实施例描述用于减少调制器设备的波导中之光损耗的技术及组态。在一实施例中，一种设备包括基板，及形成在该基板上的调制器设备之波导，该波导具有组态成接收光线以沿该波导传播之第一部、包括形成在波导中并合并成单一槽之两槽的第二部，该第二部与该第一部耦合、包括形成在波导中之该单一槽的第三部，该第三部与该第二部耦合、包括形成在波导中之另外两槽的第四部，该另外两槽自该单一槽分支，该第四部与该第三部耦合、及组态成输出经传播之光线的第五部，该第五部与该第四部耦合。描述其他实施例并/或主张其专利权。

9. 发明专利

TW200815809A 波導模態共振濾波器及其製作方法 GUIDED-MODE RESONATOR AND THE METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：波导模态共振滤波器及其制作方法 GUIDED-MODE RESONATOR AND THE METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200815809A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW095136499
申请日：2006-09-29
申请人：國立中央大學 NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：張正陽 CHANG, JENQ YANG , 伍茂仁 WU, MOUNT LEARN , 許哲隆 HSU, CHE LUNG , 王智明 WANG, CHIH MING , 劉勇志 LIU, YUNG CHIH , 周昱宏 CHOU, YU HONG
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B6/124 , G02B6/132 , G02B6/136
摘要：本案係為一種波導模態共振濾波器及其製作方法,該方法包含下列步驟:提供一半導體基板;於該半導體基板的一第一表面與一第二表面上分別形成出一第一薄膜和一第二薄膜;於該第一薄膜上定義出一第一開口;於該第二薄膜的一頂面上定義出一光柵結構;以及於該第一開口對該半導體基板進行蝕刻,並蝕刻至該第二薄膜的一底面,而能於該半導體基板之內部形成出一光通道空間。該光通道空間之底部係為該第一開口,該光通道空間之頂部係為該第二薄膜的該底面。
简体摘要：本案系为一种波导模态共振滤波器及其制作方法,该方法包含下列步骤:提供一半导体基板;于该半导体基板的一第一表面与一第二表面上分别形成出一第一薄膜和一第二薄膜;于该第一薄膜上定义出一第一开口;于该第二薄膜的一顶面上定义出一光栅结构;以及于该第一开口对该半导体基板进行蚀刻,并蚀刻至该第二薄膜的一底面,而能于该半导体基板之内部形成出一光信道空间。该光信道空间之底部系为该第一开口,该光信道空间之顶部系为该第二薄膜的该底面。

10. 发明专利

TW200736682A 矽基光學波導結構及製造方法 SILICON BASED OPTICAL WAVEGUIDE STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE 审中-公开
简体标题：硅基光学波导结构及制造方法 SILICON BASED OPTICAL WAVEGUIDE STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE
公开(公告)号：TW200736682A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW095141543
申请日：2006-11-09
申请人：哈尼威爾國際公司 HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
发明人：湯瑪斯基瑟 KEYSER, THOMAS , 齊杉J 于 YUE, CHEISAN J.
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B6/136 , G02B6/131 , G02B6/132
摘要：本發明揭示一種矽基薄膜光學波導及製造方法。依據本發明之一方面的一方法一般包括提供一基板、在該基板上沉積一薄膜介電層、在該薄膜介電層中形成一通道以及在該通道中提供一矽層之步驟。在該通道中提供的該矽層可以在該通道中磊晶地生長。於本發明之另一方面,在該通道中提供的該矽層可加以提供為隨後結晶的一非晶性或部分結晶材料。
简体摘要：本发明揭示一种硅基薄膜光学波导及制造方法。依据本发明之一方面的一方法一般包括提供一基板、在该基板上沉积一薄膜介电层、在该薄膜介电层中形成一信道以及在该信道中提供一硅层之步骤。在该信道中提供的该硅层可以在该信道中磊晶地生长。于本发明之另一方面,在该信道中提供的该硅层可加以提供为随后结晶的一非晶性或部分结晶材料。

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