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    • 4. 发明专利
    • 基板處理方法
    • 基板处理方法
    • TW201828369A
    • 2018-08-01
    • TW107107677
    • 2013-06-28
    • 南韓商周星工程有限公司JUSUNG ENGINEERING CO.,LTD.
    • 郭在燦KWAK,JAE-CHAN姜成圭KANG,SUNG-KYU鄭勳JUNG,HUN趙炳夏CHO,BYOUNG-HA
    • H01L21/365
    • 一種基板處理設備於方法,有助於順序地或重複地在一個製程空間內部執行薄膜沈積製程與表面處理製程。一種基板處理設備包含︰製程腔室,用以提供製程空間;基板支架,用以支撐複數塊基板至少其一,以及沿預定方向移動被支撐的基板,其中基板支架係提供於製程腔室內部;腔室蓋,面對基板支架,腔室蓋用以覆蓋製程腔室之上側;以及氣體分配器,在空間上分隔用以在基板上沈積薄膜之製程氣體與用以完成薄膜之表面處理之表面處理氣體,以及將製程氣體與表面處理氣體局部分配到基板支架上,其中面對基板支架的氣體分配器係提供於腔室蓋中。
    • 一种基板处理设备于方法,有助于顺序地或重复地在一个制程空间内部运行薄膜沉积制程与表面处理制程。一种基板处理设备包含︰制程腔室,用以提供制程空间;基板支架,用以支撑复数块基板至少其一,以及沿预定方向移动被支撑的基板,其中基板支架系提供于制程腔室内部;腔室盖,面对基板支架,腔室盖用以覆盖制程腔室之上侧;以及气体分配器,在空间上分隔用以在基板上沉积薄膜之制程气体与用以完成薄膜之表面处理之表面处理气体,以及将制程气体与表面处理气体局部分配到基板支架上,其中面对基板支架的气体分配器系提供于腔室盖中。