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1. 发明专利

TW201843346A 基板處理設備审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201843346A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107128820
申请日：2014-07-30
申请人：南韓商周星工程有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO.,LTD.
发明人：郭在燦 , KWAK,JAE-CHAN , 趙炳夏 , CHO,BYOUNG-HA , 黃喆周 , HWANG,CHUL-JOO
IPC分类号： C23C16/54 , H01L21/67
摘要：一種基板處理設備包含：一處理室，用於提供一處理空間，一基板支撐件，可旋轉地提供於處理空間中，用於支撐至少一個基板，一腔室蓋，與基板支撐件面對，腔室蓋用於覆蓋處理室的一頂部，以及一空間分離裝置，提供於腔室蓋中，其中空間分離裝置形成為在平面上具有「T」形。
简体摘要：一种基板处理设备包含：一处理室，用于提供一处理空间，一基板支撑件，可旋转地提供于处理空间中，用于支撑至少一个基板，一腔室盖，与基板支撑件面对，腔室盖用于覆盖处理室的一顶部，以及一空间分离设备，提供于腔室盖中，其中空间分离设备形成为在平面上具有“T”形。

2. 发明专利

TW201841407A 用於防止水氣滲透的薄膜及其製造方法审中-公开
简体标题：用于防止水汽渗透的薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201841407A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107100496
申请日：2018-01-05
申请人：南韓商周星工程有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO.,LTD.
发明人：金倞民 , KIM, KYEONG-MIN , 金鋒植 , KIM, BONG SIK , 李相斗 , LEE, SANG-DU , 曹源泰 , CHO, WON TAE
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56
摘要：本發明提供一種防潮膜，包含一第一防潮膜；形成在第一防潮膜上的一第二防潮膜；以及形成在第二防潮膜的一第三防潮膜，其中該第二防潮膜的氧濃度(O)高於該第一防潮膜和該第三防潮膜各別的氧濃度；一種製造防潮膜的方法以及包含防潮膜的一種有機發光裝置。
简体摘要：本发明提供一种防潮膜，包含一第一防潮膜；形成在第一防潮膜上的一第二防潮膜；以及形成在第二防潮膜的一第三防潮膜，其中该第二防潮膜的氧浓度(O)高于该第一防潮膜和该第三防潮膜各别的氧浓度；一种制造防潮膜的方法以及包含防潮膜的一种有机发光设备。

3. 发明专利

TWI680204B 基板處理設備有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI680204B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW107128820
申请日：2014-07-30
申请人：南韓商周星工程有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO.,LTD.
发明人：郭在燦 , KWAK,JAE-CHAN , 趙炳夏 , CHO,BYOUNG-HA , 黃喆周 , HWANG,CHUL-JOO
IPC分类号： C23C16/54 , H01L21/67

4. 发明专利

TW201828369A 基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理方法
公开(公告)号：TW201828369A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW107107677
申请日：2013-06-28
申请人：南韓商周星工程有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO.,LTD.
发明人：郭在燦 , KWAK,JAE-CHAN , 姜成圭 , KANG,SUNG-KYU , 鄭勳 , JUNG,HUN , 趙炳夏 , CHO,BYOUNG-HA
IPC分类号： H01L21/365
摘要：一種基板處理設備於方法，有助於順序地或重複地在一個製程空間內部執行薄膜沈積製程與表面處理製程。一種基板處理設備包含︰製程腔室，用以提供製程空間；基板支架，用以支撐複數塊基板至少其一，以及沿預定方向移動被支撐的基板，其中基板支架係提供於製程腔室內部；腔室蓋，面對基板支架，腔室蓋用以覆蓋製程腔室之上側；以及氣體分配器，在空間上分隔用以在基板上沈積薄膜之製程氣體與用以完成薄膜之表面處理之表面處理氣體，以及將製程氣體與表面處理氣體局部分配到基板支架上，其中面對基板支架的氣體分配器係提供於腔室蓋中。
简体摘要：一种基板处理设备于方法，有助于顺序地或重复地在一个制程空间内部运行薄膜沉积制程与表面处理制程。一种基板处理设备包含︰制程腔室，用以提供制程空间；基板支架，用以支撑复数块基板至少其一，以及沿预定方向移动被支撑的基板，其中基板支架系提供于制程腔室内部；腔室盖，面对基板支架，腔室盖用以覆盖制程腔室之上侧；以及气体分配器，在空间上分隔用以在基板上沉积薄膜之制程气体与用以完成薄膜之表面处理之表面处理气体，以及将制程气体与表面处理气体局部分配到基板支架上，其中面对基板支架的气体分配器系提供于腔室盖中。

5. 发明专利

TWI667712B 基板處理方法有权
简体标题：基板处理方法
公开(公告)号：TWI667712B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW107107677
申请日：2013-06-28
申请人：南韓商周星工程有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO.,LTD.
发明人：郭在燦 , KWAK,JAE-CHAN , 姜成圭 , KANG,SUNG-KYU , 鄭勳 , JUNG,HUN , 趙炳夏 , CHO,BYOUNG-HA
IPC分类号： H01L21/365

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