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1. 发明专利

TWI546846B 圖案化的方法與圖案化的裝置有权
简体标题：图案化的方法与图案化的设备
公开(公告)号：TWI546846B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW103117261
申请日：2014-05-16
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：楊大弘 , YANG, TA HONE
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/365

2. 发明专利

TWI515428B 電子束檢測最佳化方法有权
简体标题：电子束检测最优化方法
公开(公告)号：TWI515428B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103103611
申请日：2014-01-29
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：駱統 , LUOH, TUUNG , 楊令武 , YANG, LING WUU , 楊大弘 , YANG, TA HONE , 陳光釗 , CHEN, KUANG CHAO
IPC分类号： G01N23/225

3. 发明专利

TWI548013B 結合實體座標之位元失效偵測方法有权
简体标题：结合实体座标之比特失效侦测方法
公开(公告)号：TWI548013B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW103107163
申请日：2014-03-04
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：駱統 , LUOH, TUUNG , 陳琪旻 , CHEN, CHI MIN , 楊令武 , YANG, LING WUU , 楊大弘 , YANG, TA HONE , 陳光釗 , CHEN, KUANG CHAO
IPC分类号： H01L21/66 , G01R31/26

4. 发明专利

TW201533547A 蝕刻方法與蝕刻組成物审中-公开
简体标题：蚀刻方法与蚀刻组成物
公开(公告)号：TW201533547A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103106666
申请日：2014-02-27
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：楊大弘 , YANG, TA HONE
IPC分类号： G03F7/30 , G03F7/32 , H01L21/311 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種蝕刻方法。首先，提供基底。接著，進行蝕刻，以在上述基底中形成至少一開口，繼而，在開口中形成輔助蝕刻層，以覆蓋至少一蝕刻殘留物。上述輔助蝕刻層包括載體、介質以及包覆於載體中的蝕刻成分。再來，對該輔助蝕刻層進行處理製程，上述處理製程包括對上述輔助蝕刻層施加能量或使上述輔助蝕刻層暴露於氣體下，使得上述輔助蝕刻層中的載體破裂，藉此釋放出上述蝕刻成分，並對上述蝕刻殘留物進行蝕刻。
简体摘要：本发明提供一种蚀刻方法。首先，提供基底。接着，进行蚀刻，以在上述基底中形成至少一开口，继而，在开口中形成辅助蚀刻层，以覆盖至少一蚀刻残留物。上述辅助蚀刻层包括载体、介质以及包覆于载体中的蚀刻成分。再来，对该辅助蚀刻层进行处理制程，上述处理制程包括对上述辅助蚀刻层施加能量或使上述辅助蚀刻层暴露于气体下，使得上述辅助蚀刻层中的载体破裂，借此释放出上述蚀刻成分，并对上述蚀刻残留物进行蚀刻。

5. 发明专利

TW201530125A 量測與分析晶片或晶圓表面結構的方法审中-公开
简体标题：量测与分析芯片或晶圆表面结构的方法
公开(公告)号：TW201530125A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103103088
申请日：2014-01-28
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：駱統 , LUOH, TUUNG , 廖翔舟 , LIAO, HSIANG CHOU , 楊令武 , YANG, LING WUU , 楊大弘 , YANG, TA HONE , 陳光釗 , CHEN, KUANG CHAO
IPC分类号： G01N21/956
摘要：一種量測晶片或晶圓表面結構的方法，包括利用儀器得到晶片的表面結構的影像，再對所述影像進行影像萃取並轉換為第一電路設計檔。另選取標準影像並轉換為第二電路設計檔，然後比較所述影像中的至少一目標(target)與所述標準影像，而得到其間之差距。根據所述差距產生所述表面結構的線邊緣粗糙度(LER)、線寬粗糙度(LWR)、接觸窗邊緣粗糙度(CER)、關鍵尺寸(CD)、關鍵尺寸偏離值(Bias)、3igma、最大值、最小值等與重複性缺陷中至少一種數據。
简体摘要：一种量测芯片或晶圆表面结构的方法，包括利用仪器得到芯片的表面结构的影像，再对所述影像进行影像萃取并转换为第一电路设计档。另选取标准影像并转换为第二电路设计档，然后比较所述影像中的至少一目标(target)与所述标准影像，而得到其间之差距。根据所述差距产生所述表面结构的线边缘粗糙度(LER)、线宽粗糙度(LWR)、接触窗边缘粗糙度(CER)、关键尺寸(CD)、关键尺寸偏离值(Bias)、3igma、最大值、最小值等与重复性缺陷中至少一种数据。

6. 发明专利

TW201535553A 結合實體座標之位元失效偵測方法审中-公开
简体标题：结合实体座标之比特失效侦测方法
公开(公告)号：TW201535553A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103107163
申请日：2014-03-04
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：駱統 , LUOH, TUUNG , 陳琪旻 , CHEN, CHI MIN , 楊令武 , YANG, LING WUU , 楊大弘 , YANG, TA HONE , 陳光釗 , CHEN, KUANG CHAO
IPC分类号： H01L21/66 , G01R31/26
摘要：一種結合實體座標之位元失效偵測方法，在此方法中先取得一晶圓對位檢測資料，其包括一晶圓內每一層的缺陷的影像和此缺陷的實體座標。然後，進行一位元失效偵測步驟，以得到晶圓內失效位元的數位座標，並轉換此數位座標為實體位置，且將實體位置重疊於實體座標，以便快速得到失效位元與缺陷之間的關聯性。
简体摘要：一种结合实体座标之比特失效侦测方法，在此方法中先取得一晶圆对位检测数据，其包括一晶圆内每一层的缺陷的影像和此缺陷的实体座标。然后，进行一比特失效侦测步骤，以得到晶圆内失效比特的数码座标，并转换此数码座标为实体位置，且将实体位置重叠于实体座标，以便快速得到失效比特与缺陷之间的关联性。

7. 发明专利

TW201530127A 電子束檢測最佳化方法审中-公开
简体标题：电子束检测最优化方法
公开(公告)号：TW201530127A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103103611
申请日：2014-01-29
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：駱統 , LUOH, TUUNG , 楊令武 , YANG, LING WUU , 楊大弘 , YANG, TA HONE , 陳光釗 , CHEN, KUANG CHAO
IPC分类号： G01N23/225
摘要：一種電子束檢測最佳化方法，是先取得一晶片中的數個初始檢測區域，每個所述初始檢測區域之中心為一缺陷點。然後，重新產生互不重疊的數個重設檢測區域，其中每個所述重設檢測區域是被一視場(FOV)所涵蓋的範圍，且所述範圍內具有至少一個所述缺陷點。之後，將重設檢測區域之中心轉換成檢測中心點，並對所述檢測中心點進行電子束檢測。
简体摘要：一种电子束检测最优化方法，是先取得一芯片中的数个初始检测区域，每个所述初始检测区域之中心为一缺陷点。然后，重新产生互不重叠的数个重设检测区域，其中每个所述重设检测区域是被一视场(FOV)所涵盖的范围，且所述范围内具有至少一个所述缺陷点。之后，将重设检测区域之中心转换成检测中心点，并对所述检测中心点进行电子束检测。

8. 发明专利

TWI431720B 溝填方法及淺溝渠隔離結構的製造方法有权
简体标题：沟填方法及浅沟渠隔离结构的制造方法
公开(公告)号：TWI431720B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW099139216
申请日：2010-11-15
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：駱統 , LUOH, TUUNG , 楊鎮豪 , YANG, CHEN HAO , 蘇金達 , SU, CHIN TA , 楊令武 , YANG, LING WU , 楊大弘 , YANG, TA HONE , 陳光釗 , CHEN, KUANG CHAO
IPC分类号： H01L21/762

9. 发明专利

TWI525401B 蝕刻方法與蝕刻組成物有权
简体标题：蚀刻方法与蚀刻组成物
公开(公告)号：TWI525401B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW103106666
申请日：2014-02-27
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：楊大弘 , YANG, TA HONE
IPC分类号： G03F7/30 , G03F7/32 , H01L21/311 , H01L21/027

10. 发明专利

TW201545202A 圖案化的方法與圖案化的裝置审中-公开
简体标题：图案化的方法与图案化的设备
公开(公告)号：TW201545202A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103117261
申请日：2014-05-16
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：楊大弘 , YANG, TA HONE
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/365
摘要：一種圖案化的方法，包括在材料層上形成圖案化的罩幕層，圖案化的罩幕層具有第一開口裸露出部分材料層。進行前處理製程以對第一開口裸露的材料層改質，而形成改質區。進行蝕刻製程以移除改質區的材料層，而形成第二開口。
简体摘要：一种图案化的方法，包括在材料层上形成图案化的罩幕层，图案化的罩幕层具有第一开口裸露出部分材料层。进行前处理制程以对第一开口裸露的材料层改质，而形成改质区。进行蚀刻制程以移除改质区的材料层，而形成第二开口。

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