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1. 发明专利

TW202008372A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW202008372A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107127507
申请日：2018-08-07
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：東和幸 , HIGASHI, KAZUYUKI , 津村一道 , TSUMURA, KAZUMICHI , 勝又竜太 , KATSUMATA, RYOTA , 荒井史隆 , ARAI, FUMITAKA
IPC分类号： G11C16/16 , G11C16/24
摘要：實施形態係提供一種小型且高性能之半導體記憶裝置。實施形態之半導體記憶裝置具有複數個記憶胞陣列層，該記憶胞陣列層係具有第1面及與上述第1面相反側之第2面且不包含基板者，且包含：複數個記憶胞，其等3維配置於記憶胞陣列區域；及表面配線層，其埋入於第1面或/及第2面；且各個上述記憶胞陣列層之上述表面配線層係以自垂直於上述第1面之方向觀察時重疊之方式設置，上述表面配線層彼此相互接合，藉此積層複數個上述記憶胞陣列層。
简体摘要：实施形态系提供一种小型且高性能之半导体记忆设备。实施形态之半导体记忆设备具有复数个记忆胞数组层，该记忆胞数组层系具有第1面及与上述第1面相反侧之第2面且不包含基板者，且包含：复数个记忆胞，其等3维配置于记忆胞数组区域；及表面配线层，其埋入于第1面或/及第2面；且各个上述记忆胞数组层之上述表面配线层系以自垂直于上述第1面之方向观察时重叠之方式设置，上述表面配线层彼此相互接合，借此积层复数个上述记忆胞数组层。

2. 发明专利

TWI697905B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI697905B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW107127507
申请日：2018-08-07
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：東和幸 , HIGASHI, KAZUYUKI , 津村一道 , TSUMURA, KAZUMICHI , 勝又竜太 , KATSUMATA, RYOTA , 荒井史隆 , ARAI, FUMITAKA
IPC分类号： G11C16/16 , G11C16/24

3. 发明专利

TW201834152A 記憶裝置审中-公开
简体标题：记忆设备
公开(公告)号：TW201834152A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106128709
申请日：2017-08-24
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：田上政由 , TAGAMI, MASAYOSHI , 勝又竜太 , KATSUMATA, RYOTA , 飯島純 , IIJIMA, JUN , 清水徹哉 , SHIMIZU, TETSUYA , 臼井孝公 , USUI, TAKAMASA , 藤田弦暉 , FUJITA, GENKI
IPC分类号： H01L21/8239
摘要：實施形態之記憶裝置具備：第1記憶胞陣列；第2記憶胞陣列，其相對於上述第1記憶胞陣列配置於第1方向；第1接觸插塞，其於上述第1記憶胞陣列中沿上述第1方向延伸；以及第2接觸插塞，其於上述第2記憶胞陣列中沿上述第1方向延伸，且電性連接於上述第1接觸插塞。上述第1記憶胞陣列包含於上述第1方向上積層之複數個第1電極層、及貫通上述複數個第1電極層之第1半導體柱，上述第2記憶胞陣列包含於上述第1方向上積層之複數個第2電極層、及貫通上述複數個第2電極層之第2半導體柱。上述第1接觸插塞電性連接於上述第1半導體柱，上述第2接觸插塞電性連接於上述第2半導體柱。
简体摘要：实施形态之记忆设备具备：第1记忆胞数组；第2记忆胞数组，其相对于上述第1记忆胞数组配置于第1方向；第1接触插塞，其于上述第1记忆胞数组中沿上述第1方向延伸；以及第2接触插塞，其于上述第2记忆胞数组中沿上述第1方向延伸，且电性连接于上述第1接触插塞。上述第1记忆胞数组包含于上述第1方向上积层之复数个第1电极层、及贯通上述复数个第1电极层之第1半导体柱，上述第2记忆胞数组包含于上述第1方向上积层之复数个第2电极层、及贯通上述复数个第2电极层之第2半导体柱。上述第1接触插塞电性连接于上述第1半导体柱，上述第2接触插塞电性连接于上述第2半导体柱。

4. 发明专利

TWI615947B 半導體記憶體有权
简体标题：半导体内存
公开(公告)号：TWI615947B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105125489
申请日：2014-07-02
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：菱田智雄 , HISHIDA, TOMOO , 村上貞俊 , MURAKAMI, SADATOSHI , 勝又龍太 , KATSUMATA, RYOTA , 岩瀨政雄 , IWASE, MASAO
IPC分类号： H01L27/115 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/1157 , H01L21/823437 , H01L27/11575 , H01L27/11582

5. 发明专利

TWI620184B 記憶裝置有权
简体标题：记忆设备
公开(公告)号：TWI620184B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106100068
申请日：2009-09-10
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：板垣清太郎 , ITAGAKI, KIYOTARO , 岩田佳久 , IWATA, YOSHIHISA , 田中啟安 , TANAKA, HIROYASU , 木藤大 , KIDOH, MASARU , 勝又龍太 , KATSUMATA, RYOTA , 鬼頭傑 , KITO, MASARU , 青地英明 , AOCHI, HIDEAKI , 仁田山晃寬 , NITAYAMA, AKIHIRO
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/08 , G11C5/02 , H01L27/115 , H01L29/792
CPC分类号： H01L27/1157 , G11C5/02 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/30 , H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L29/7926

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