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1. 发明专利

TWI701741B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI701741B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW107130946
申请日：2018-09-04
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：津村一道 , TSUMURA, KAZUMICHI , 東和幸 , HIGASHI, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/76

2. 发明专利

TWI697905B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI697905B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW107127507
申请日：2018-08-07
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：東和幸 , HIGASHI, KAZUYUKI , 津村一道 , TSUMURA, KAZUMICHI , 勝又竜太 , KATSUMATA, RYOTA , 荒井史隆 , ARAI, FUMITAKA
IPC分类号： G11C16/16 , G11C16/24

3. 发明专利

TW201921508A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201921508A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107130946
申请日：2018-09-04
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：津村一道 , TSUMURA, KAZUMICHI , 東和幸 , HIGASHI, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/76
摘要：一種製造一半導體裝置之方法包括：在一第一絕緣區域及緊鄰該第一絕緣區域之一第一金屬區域上形成一第一金屬膜，其中該第一金屬膜包含不同於該第一金屬區域之金屬的一金屬；在一第二絕緣區域及緊鄰該第二絕緣區域之一第二金屬區域上形成一第二金屬膜，其中該第二金屬膜包含不同於該第二金屬區域之金屬的一金屬；使該第一金屬膜與該第二金屬膜相互接觸；及熱處理第一基板與第二基板，且由此將該第一金屬區域與該第二金屬區域相互電連接且同時在該第一絕緣區域與該第二絕緣區域之間形成一絕緣界面膜。
简体摘要：一种制造一半导体设备之方法包括：在一第一绝缘区域及紧邻该第一绝缘区域之一第一金属区域上形成一第一金属膜，其中该第一金属膜包含不同于该第一金属区域之金属的一金属；在一第二绝缘区域及紧邻该第二绝缘区域之一第二金属区域上形成一第二金属膜，其中该第二金属膜包含不同于该第二金属区域之金属的一金属；使该第一金属膜与该第二金属膜相互接触；及热处理第一基板与第二基板，且由此将该第一金属区域与该第二金属区域相互电连接且同时在该第一绝缘区域与该第二绝缘区域之间形成一绝缘界面膜。

4. 发明专利

TW202008372A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW202008372A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107127507
申请日：2018-08-07
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：東和幸 , HIGASHI, KAZUYUKI , 津村一道 , TSUMURA, KAZUMICHI , 勝又竜太 , KATSUMATA, RYOTA , 荒井史隆 , ARAI, FUMITAKA
IPC分类号： G11C16/16 , G11C16/24
摘要：實施形態係提供一種小型且高性能之半導體記憶裝置。實施形態之半導體記憶裝置具有複數個記憶胞陣列層，該記憶胞陣列層係具有第1面及與上述第1面相反側之第2面且不包含基板者，且包含：複數個記憶胞，其等3維配置於記憶胞陣列區域；及表面配線層，其埋入於第1面或/及第2面；且各個上述記憶胞陣列層之上述表面配線層係以自垂直於上述第1面之方向觀察時重疊之方式設置，上述表面配線層彼此相互接合，藉此積層複數個上述記憶胞陣列層。
简体摘要：实施形态系提供一种小型且高性能之半导体记忆设备。实施形态之半导体记忆设备具有复数个记忆胞数组层，该记忆胞数组层系具有第1面及与上述第1面相反侧之第2面且不包含基板者，且包含：复数个记忆胞，其等3维配置于记忆胞数组区域；及表面配线层，其埋入于第1面或/及第2面；且各个上述记忆胞数组层之上述表面配线层系以自垂直于上述第1面之方向观察时重叠之方式设置，上述表面配线层彼此相互接合，借此积层复数个上述记忆胞数组层。

5. 发明专利

TWI622456B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI622456B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW105106353
申请日：2016-03-02
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：藤井美香 , FUJII, MIKA , 東和幸 , HIGASHI, KAZUYUKI , 津村一道 , TSUMURA, KAZUMICHI , 白野貴士 , SHIRONO, TAKASHI
IPC分类号： B24B1/00 , H01L21/304

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