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1. 发明专利

TW201823968A DRAM電路、冗餘重寫電路及重寫方法审中-公开
简体标题： DRAM电路、冗余重写电路及重写方法
公开(公告)号：TW201823968A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106109199
申请日：2017-03-20
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：魏紫印 , WEI, TZU YIN
IPC分类号： G06F3/06 , G11C11/406 , G11C11/408 , G11C29/00
摘要：一種DRAM電路，包括一具有一正常字元線、一第一冗餘字元線及一第二冗餘字元線直接相鄰於該第一冗餘字元線之陣列。若該正常字元線係經，該DRAM電路外部之一記憶體控制器，指派成要被啟動，則該第二冗餘字元線被啟動。一冗餘重寫電路係用以因應於該第二冗餘字元線被啟動來判定該第一冗餘字元線需要被重寫，以及一列解碼器係用以，根據該冗餘重寫電路之該判定，來重寫該第一冗餘字元線。
简体摘要：一种DRAM电路，包括一具有一正常字符线、一第一冗余字符线及一第二冗余字符线直接相邻于该第一冗余字符线之数组。若该正常字符线系经，该DRAM电路外部之一内存控制器，指派成要被启动，则该第二冗余字符线被启动。一冗余重写电路系用以因应于该第二冗余字符线被启动来判定该第一冗余字符线需要被重写，以及一列译码器系用以，根据该冗余重写电路之该判定，来重写该第一冗余字符线。

2. 发明专利

TW201732805A 能夠快速寫入資料的記憶體電路审中-公开
简体标题：能够快速写入数据的内存电路
公开(公告)号：TW201732805A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105137967
申请日：2016-11-18
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：夏濬 , SHIAH, CHUN , 宋玉惠 , SUNG, YU-HUI
IPC分类号： G11C11/408 , G11C11/4091 , G11C11/4096
CPC分类号： G11C11/4091 , G06F3/061 , G06F3/0644 , G06F3/065 , G06F3/0659 , G06F3/0673 , G06F12/0893 , G11C11/4076 , G11C11/4085 , G11C11/4087 , G11C11/4096 , G11C16/06 , G11C29/06 , G11C29/34 , G11C2207/2236
摘要：能夠快速寫入資料的記憶體電路包含複數個記憶區塊，且該複數個記憶區塊中的每一記憶區塊包含複數個記憶區段。該複數個記憶區段中的每一記憶區段對應複數組位元線，且該複數組位元線中的每一組位元線對應一預充電線。當一預定信號致能時，一電位通過該預充電線和該每一組位元線寫入該每一記憶區段內對應該每一組位元線的記憶單元。
简体摘要：能够快速写入数据的内存电路包含复数个记忆区块，且该复数个记忆区块中的每一记忆区块包含复数个记忆区段。该复数个记忆区段中的每一记忆区段对应复数组比特线，且该复数组比特线中的每一组比特线对应一预充电线。当一预定信号致能时，一电位通过该预充电线和该每一组比特线写入该每一记忆区段内对应该每一组比特线的记忆单元。

3. 发明专利

TWI584294B 記憶體裝置之軟包裝後修復有权
简体标题：内存设备之软包装后修复
公开(公告)号：TWI584294B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104111150
申请日：2015-04-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：威爾森亞隆R , WILSON, ALAN J. , 萊特傑佛瑞 , WRIGHT, JEFFREY
IPC分类号： G11C29/00 , G11C11/408 , G11C11/418 , G11C17/16 , G11C17/18
CPC分类号： G11C29/76 , G11C7/24 , G11C11/408 , G11C11/4087 , G11C11/418 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/04 , G11C29/70 , G11C29/789 , G11C29/806 , G11C29/838 , G11C2029/4402

5. 发明专利

TWI391821B 在互連結構上發佈請求而無參照基於標籤快取狀態的低階快取之處理單元及資料處理系統與方法有权
简体标题：在互链接构上发布请求而无参照基于标签缓存状态的低级缓存之处理单元及数据处理系统与方法
公开(公告)号：TWI391821B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW095110312
申请日：2006-03-24
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：蓋伊L. 古德利 , GUTHRIE, GUY L. , 艾倫C. 沙德 , SAWDEY, AARON C. , 威廉J. 史塔克 , STARKE, WILLIAM J. , 傑弗瑞A. 史都雀利 , STUECHELI, JEFFREY A.
IPC分类号： G06F12/08 , G06F9/34 , G11C11/408
CPC分类号： G06F12/0811 , G06F12/0815 , G06F12/0831

6. 发明专利

TW202011400A 記憶體中之感測操作审中-公开
简体标题：内存中之传感操作
公开(公告)号：TW202011400A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108112849
申请日：2019-04-12
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：鈴木尊雅 , SUZUKI, TAKAMASA
IPC分类号： G11C11/408 , G11C11/409
摘要：本發明包含與記憶體中之感測操作有關之裝置及方法。一實例性裝置可包含：一記憶體單元陣列；及一控制器，其耦合至該陣列，該控制器經組態以基於與一第一記憶體單元相關聯之一第一輸入及與一第二記憶體單元相關聯之一第二輸入及一第三輸入來感測該第一記憶體單元。
简体摘要：本发明包含与内存中之传感操作有关之设备及方法。一实例性设备可包含：一内存单元数组；及一控制器，其耦合至该数组，该控制器经组态以基于与一第一内存单元相关联之一第一输入及与一第二内存单元相关联之一第二输入及一第三输入来传感该第一内存单元。

7. 发明专利

TWI537944B 利用預先資料反相之記憶力優化記憶體有权
简体标题：利用预先数据反相之记忆力优化内存
公开(公告)号：TWI537944B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103114766
申请日：2014-04-23
申请人：英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：費許大衛 , FISCH, DAVID , 普蘭茲威廉C , PLANTS, WILLIAM C. , 斯塔爾內克肯特 , STALNAKER, KENT
IPC分类号： G11C11/408 , G11C11/409
CPC分类号： G11C11/4091 , G11C7/00 , G11C7/02 , G11C7/062 , G11C7/065 , G11C7/1006 , G11C7/1069 , G11C7/1096 , G11C11/4087 , G11C11/4096 , G11C29/52

8. 发明专利

TW201513113A 位址偵測電路及包含其之記憶體审中-公开
简体标题：位址侦测电路及包含其之内存
公开(公告)号：TW201513113A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103104295
申请日：2014-02-10
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：周珉鎬 , JOO, MIN-HO , 權奇昌 , KWEAN, KI-CHANG
IPC分类号： G11C11/408 , G11C11/4063
CPC分类号： G06F11/1016 , G06F11/3037 , G11C7/02 , G11C8/06 , G11C8/08 , G11C11/406 , G11C11/408
摘要：本發明揭示一種位址偵測電路，其包括：第一至第N個位址儲存單元，其適用於儲存一位址；第一至第N個計算單元，每一計算單元適用於在將一位址儲存於該等位址儲存單元當中之一對應位址儲存單元中或輸入儲存於該對應位址儲存單元中之該位址時執行一計數操作；一控制單元，其適用於將一輸入位址依序儲存於該等位址儲存單元中，且在所有該等位址儲存單元各自儲存一位址時將該輸入位址儲存於該等位址儲存單元當中之一選定位址儲存單元中；及一偵測單元，其適用於基於該等計算單元之輸出而偵測儲存於該等位址儲存單元中之該等位址當中被輸入達參考數目次或更多次之一位址。
简体摘要：本发明揭示一种位址侦测电路，其包括：第一至第N个位址存储单元，其适用于存储一位址；第一至第N个计算单元，每一计算单元适用于在将一位址存储于该等位址存储单元当中之一对应位址存储单元中或输入存储于该对应位址存储单元中之该位址时运行一计数操作；一控制单元，其适用于将一输入位址依序存储于该等位址存储单元中，且在所有该等位址存储单元各自存储一位址时将该输入位址存储于该等位址存储单元当中之一选定位址存储单元中；及一侦测单元，其适用于基于该等计算单元之输出而侦测存储于该等位址存储单元中之该等位址当中被输入达参考数目次或更多次之一位址。

9. 发明专利

TW201506927A 利用預先資料反相之記憶力優化記憶體审中-公开
简体标题：利用预先数据反相之记忆力优化内存
公开(公告)号：TW201506927A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103114766
申请日：2014-04-23
申请人：英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：費許大衛 , FISCH, DAVID , 普蘭茲威廉C , PLANTS, WILLIAM C. , 斯塔爾內克肯特 , STALNAKER, KENT
IPC分类号： G11C11/408 , G11C11/409
CPC分类号： G11C11/4091 , G11C7/00 , G11C7/02 , G11C7/062 , G11C7/065 , G11C7/1006 , G11C7/1069 , G11C7/1096 , G11C11/4087 , G11C11/4096 , G11C29/52
摘要：一種用於儲存資料的方法。該方法包含提供一可定址記憶體，其包含一記憶體空間，其中該記憶體空間包含複數個記憶單元。該方法包含配置該可定址記憶體，使得當一或更多個外部資料狀態的一第一外部資料狀態係寫入至該記憶體空間時，在該記憶體空間中的複數個記憶單元的一主要部分以一較佳的偏壓狀態來儲存內部資料值，其中該第一外部資料狀態係相反於該較佳的偏壓狀態。
简体摘要：一种用于存储数据的方法。该方法包含提供一可寻址内存，其包含一内存空间，其中该内存空间包含复数个记忆单元。该方法包含配置该可寻址内存，使得当一或更多个外部数据状态的一第一外部数据状态系写入至该内存空间时，在该内存空间中的复数个记忆单元的一主要部分以一较佳的偏压状态来存储内部数据值，其中该第一外部数据状态系相反于该较佳的偏压状态。

10. 发明专利

TWI457930B 使用雙技術電晶體之低滲漏高效能靜態隨機存取記憶體單元有权
简体标题：使用双技术晶体管之低渗漏高性能静态随机存取内存单元
公开(公告)号：TWI457930B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW099101796
申请日：2010-01-22
申请人：高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED
发明人：賈齊曼尼席 , GARG, MANISH , 蔡齊名 , CHAI, CHIAMING , 汎麥可泰坦 , PHAN, MICHAEL THAI THANH
IPC分类号： G11C11/408 , G11C11/419 , G11C8/08
CPC分类号： G11C11/419 , G11C8/08

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