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1. 发明专利

TW201805812A 電子裝置、產品及製造積體電路方法及產生資料集的方法审中-公开
简体标题：电子设备、产品及制造集成电路方法及产生数据集的方法
公开(公告)号：TW201805812A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106124241
申请日：2017-07-20
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：洪俊雄 , HUNG, CHUN-HSIUNG , 張坤龍 , CHANG, KUEN-LONG , 陳耕暉 , CHEN, KEN-HUI , 黃世昌 , HUANG, SHIH-CHANG
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/14 , G11C16/02 , H01L27/115
CPC分类号： H04L9/3278 , G06F3/0622 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F7/588 , G06F11/1068 , G06F12/0246 , G06F12/1408 , G06F12/1425 , G06F13/42 , G06F21/31 , G06F21/604 , G06F21/75 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G11C7/10 , G11C7/24 , G11C8/20 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C16/10 , G11C16/22 , G11C16/26 , H04L9/0816 , H04L9/0866 , H04L9/088 , H04L2209/046 , H04L2209/34
摘要：本發明闡述一種利用儲存於非揮發性記憶體中的安全金鑰以及在包括例如快閃記憶體胞元等非揮發性記憶體胞元的積體電路上產生基於物理不可複製功能的資料集的系統及方法。所述方法包括：將安全金鑰儲存於非揮發性記憶體陣列的多個區塊中的特定區塊中；在耦合至非揮發性記憶體陣列的安全邏輯電路中，在協定中利用儲存於特定區塊中的安全金鑰來允許外部裝置或通訊網路經由埠存取儲存於多個區塊中的各區塊中的資料；以及允許安全邏輯對特定區塊進行唯讀存取以供在協定中使用，並阻止經由埠存取特定區塊。
简体摘要：本发明阐述一种利用存储于非挥发性内存中的安全密钥以及在包括例如闪存胞元等非挥发性内存胞元的集成电路上产生基于物理不可复制功能的数据集的系统及方法。所述方法包括：将安全密钥存储于非挥发性内存数组的多个区块中的特定区块中；在耦合至非挥发性内存数组的安全逻辑电路中，在协定中利用存储于特定区块中的安全密钥来允许外部设备或通信网络经由端口存取存储于多个区块中的各区块中的数据；以及允许安全逻辑对特定区块进行唯读存取以供在协定中使用，并阻止经由端口存取特定区块。

2. 发明专利

TWI614766B 非揮發性記憶體有权
简体标题：非挥发性内存
公开(公告)号：TWI614766B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW106100742
申请日：2017-01-10
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：賴子能 , LAI, TZU NENG
IPC分类号： G11C7/22 , G11C8/18
CPC分类号： G11C16/0408 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0673 , G06F11/1076 , G06F12/1408 , G06F21/72 , G06F21/73 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G11C5/063 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C7/24 , G11C16/08 , G11C16/22 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/785 , H01L27/11206 , H03K3/356113 , H04L9/3278

3. 发明专利

TWI613663B 反熔絲型一次編程記憶體胞的編程方法有权
简体标题：反熔丝型一次编程内存胞的编程方法
公开(公告)号：TWI613663B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106101259
申请日：2017-01-13
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：翁偉哲 , WONG, WEI ZHE , 陳信銘 , CHEN, HSIN MING
IPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18
CPC分类号： G11C16/0408 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0673 , G06F11/1076 , G06F12/1408 , G06F21/72 , G06F21/73 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G11C5/063 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C7/24 , G11C16/08 , G11C16/22 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/785 , H01L27/11206 , H03K3/356113 , H04L9/3278

4. 发明专利

TWI584294B 記憶體裝置之軟包裝後修復有权
简体标题：内存设备之软包装后修复
公开(公告)号：TWI584294B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104111150
申请日：2015-04-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：威爾森亞隆R , WILSON, ALAN J. , 萊特傑佛瑞 , WRIGHT, JEFFREY
IPC分类号： G11C29/00 , G11C11/408 , G11C11/418 , G11C17/16 , G11C17/18
CPC分类号： G11C29/76 , G11C7/24 , G11C11/408 , G11C11/4087 , G11C11/418 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/04 , G11C29/70 , G11C29/789 , G11C29/806 , G11C29/838 , G11C2029/4402

5. 发明专利

TWI537950B 非揮發記憶體裝置以及用於非揮發記憶體裝置的方法有权
简体标题：非挥发内存设备以及用于非挥发内存设备的方法
公开(公告)号：TWI537950B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103134345
申请日：2014-10-02
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：塔莎尼爾 , TASHER, NIR , 特波瓦勒利 , TEPER, VALERY , 鄭展爲 , CHENG, DENNIS CHIN , 塔巴克尼克波爾茲 , TABACHNIK, BOAZ
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/22
CPC分类号： G11C16/22 , G06F12/1433 , G11C7/24 , G11C16/10

6. 发明专利

TWI420397B 偵測基於輻射之攻擊有权
简体标题：侦测基于辐射之攻击
公开(公告)号：TWI420397B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW096132124
申请日：2007-08-29
申请人：英賽瑟庫爾公司 , INSIDE SECURE
发明人：亞歷山大克羅古奈克 , CROGUENNEC, ALEXANDRE , 依弗斯佛塞拉 , FUSELLA, YVES
IPC分类号： G06K19/073 , H04M1/675
CPC分类号： G11C7/24 , G11C16/22

7. 发明专利

TW201321976A 半導體記憶體裝置、其讀取方法以及具有該半導體記憶體裝置的資料儲存裝置审中-公开
简体标题：半导体内存设备、其读取方法以及具有该半导体内存设备的数据存储设备
公开(公告)号：TW201321976A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101136329
申请日：2012-10-02
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李完燮 , LEE, WAN SEOB
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G11C7/24 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/26
摘要：本發明揭示一種具有一多層記憶體單元的一半導體記憶體裝置之讀取方法，包括步驟：讀取指出在該多層記憶體單元內程式編輯的資料之最高有效位元(MSB)是否已經被程式編輯之旗標資料；儲存被讀取的旗標資料；根據被讀取的旗標資料，讀取在該多層記憶體單元內程式編輯的資料之最低有效位元(LSB)；以及根據被儲存的旗標資料，讀取在該多層記憶體單元內程式編輯的資料之MSB。
简体摘要：本发明揭示一种具有一多层内存单元的一半导体内存设备之读取方法，包括步骤：读取指出在该多层内存单元内进程编辑的数据之最高有效比特(MSB)是否已经被进程编辑之旗标数据；存储被读取的旗标数据；根据被读取的旗标数据，读取在该多层内存单元内进程编辑的数据之最低有效比特(LSB)；以及根据被存储的旗标数据，读取在该多层内存单元内进程编辑的数据之MSB。

8. 发明专利

TW201218202A 電子抹除式唯讀記憶體的資料寫入方法與寫入裝置审中-公开
简体标题：电子抹除式唯读内存的数据写入方法与写入设备
公开(公告)号：TW201218202A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW099136925
申请日：2010-10-28
申请人：浩一科技有限公司
发明人：吳建偉
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C5/143 , G11C7/24 , G11C16/22
摘要：一種電子抹除式唯讀記憶體的資料寫入方法,係配合一操作裝置執行,該操作裝置包括一具有一防寫引腳之電子抹除式唯讀記憶體且防寫引腳載有一防寫電壓,當防寫電壓高於系統電壓時呈一防寫模式,當防寫電壓低於系統電壓時呈一寫入模式;該方法包括下述步驟:(a)寫入裝置電性連接操作裝置;(b)將系統電壓升壓成為新的系統電壓,令防寫電壓低於系統電壓而呈寫入模式;及(c)對操作裝置寫入一更新資料。本發明之功效在於,只需將寫入裝置連接於操作裝置的一個簡單動作,就可自動寫入更新資料,有助於簡化目前複雜的程式資料更新流程。
简体摘要：一种电子抹除式唯读内存的数据写入方法,系配合一操作设备运行,该操作设备包括一具有一写保护引脚之电子抹除式唯读内存且写保护引脚载有一写保护电压,当写保护电压高于系统电压时呈一写保护模式,当写保护电压低于系统电压时呈一写入模式;该方法包括下述步骤:(a)写入设备电性连接操作设备;(b)将系统电压升压成为新的系统电压,令写保护电压低于系统电压而呈写入模式;及(c)对操作设备写入一更新数据。本发明之功效在于,只需将写入设备连接于操作设备的一个简单动作,就可自动写入更新数据,有助于简化目前复杂的进程数据更新流程。

9. 发明专利

TW201207862A 記憶體識別碼產生方法、管理方法、控制器與儲存系統 MEMORY IDENTIFICATION CODE GENERATING METHOD, MANAGEMENT METHOD, CONTROLLER AND STORAGE SYSTEM 审中-公开
简体标题：内存识别码产生方法、管理方法、控制器与存储系统 MEMORY IDENTIFICATION CODE GENERATING METHOD, MANAGEMENT METHOD, CONTROLLER AND STORAGE SYSTEM
公开(公告)号：TW201207862A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW099126257
申请日：2010-08-06
申请人：群聯電子股份有限公司
发明人：詹清文
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/22 , G11C7/24 , G11C2029/4402
摘要：一種用於非揮發性記憶體的識別碼產生方法與管理方法以及使用此方法的控制器與儲存系統。本識別碼產生方法包括測試此些實體區塊來獲取實體區塊的可用狀態並且根據此可用狀態識別出此些實體區塊之中的好實體區塊或壞實體區塊。本識別碼產生方法也包括根據此些好實體區塊或壞實體區塊來產生對應此非揮發性記憶體模組的記憶體識別碼。基此,本方法可產生獨特之記憶體識別碼並且可防止產生之記憶體識別碼被竊取。
简体摘要：一种用于非挥发性内存的识别码产生方法与管理方法以及使用此方法的控制器与存储系统。本识别码产生方法包括测试此些实体区块来获取实体区块的可用状态并且根据此可用状态识别出此些实体区块之中的好实体区块或坏实体区块。本识别码产生方法也包括根据此些好实体区块或坏实体区块来产生对应此非挥发性内存模块的内存识别码。基此,本方法可产生独特之内存识别码并且可防止产生之内存识别码被窃取。

10. 发明专利

TW200746138A 分割之隨機存取及唯讀記憶體 PARTITIONED RANDOM ACCESS AND READ ONLY MEMORY 审中-公开
简体标题：分割之随机存取及唯读内存 PARTITIONED RANDOM ACCESS AND READ ONLY MEMORY
公开(公告)号：TW200746138A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096102107
申请日：2007-01-19
申请人：哈尼威爾國際公司 HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
发明人：羅曼尼R. 凱蒂 KATTI, ROMNEY R.
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/005 , G11C7/24 , G11C11/1673 , G11C11/1675
摘要：本發明描述一磁記憶體及一操作該記憶體之方法。該記憶體包括複數個記憶體單元,每一記憶體單元可包括一磁電阻小段。每一該等記憶體單元可耦合至一電流驅動器。可禁止每一電流驅動器,因而其不會輸出一電流。禁止該輸出電流防止該記憶體被寫入。藉由禁止一些電流驅動器且不禁止其它電流驅動器,該記憶體可分割成唯讀及隨機存取部份。
简体摘要：本发明描述一磁内存及一操作该内存之方法。该内存包括复数个内存单元,每一内存单元可包括一磁电阻小段。每一该等内存单元可耦合至一电流驱动器。可禁止每一电流驱动器,因而其不会输出一电流。禁止该输出电流防止该内存被写入。借由禁止一些电流驱动器且不禁止其它电流驱动器,该内存可分割成唯读及随机存取部份。

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