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1. 发明专利

TW201638404A ＩＩＩ－Ｖ－，ＩＶ－ＩＶ－或ＩＩ－ＶＩ－化合物半導體晶體之製造方法，Ａ－Ｂ晶體之製造方法，及其單晶體审中-公开
简体标题：ＩＩＩ－Ｖ－，ＩＶ－ＩＶ－或ＩＩ－ＶＩ－化合物半导体晶体之制造方法，Ａ－Ｂ晶体之制造方法，及其单晶体
公开(公告)号：TW201638404A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105108366
申请日：2016-03-18
申请人：富瑞柏格化合材料公司 , FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH
发明人：威納特伯恩特 , WEINERT, BERNDT , 哈貝爾法蘭克 , HABEL, FRANK , 雷畢葛剛那 , LEIBIGER, GUNNAR
IPC分类号： C30B25/08 , C30B25/16 , C30B29/10 , C30B29/40 , C30B29/48 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/08 , C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/406
摘要：本發明係關於Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半導體晶體之製造方法。製法開始時，提供基材，視情形具有一晶體層(緩衝層)。隨後，提供氣相，包括化合物半導體元素(Ⅱ,Ⅲ,Ⅳ,V,Ⅵ)至少二反應物，於晶體成長反應器內反應溫度時呈氣態，在選定反應器條件時可彼此反應。二反應物之濃度比可調節，使化合物半導體晶體可從氣相結晶，其中可選擇高濃度，供晶體形成，可添加或調節還原劑和共反應物，降低氣相內Ⅲ-,Ⅳ-或Ⅱ-化合物之活性，使晶體成長率比無共反應物時之狀態為低。於是，化合物半導體晶體澱積在基材表面，同時可在成長中晶體上形成液相。又，可添加輔助物質，亦可包含在液相內，但只有少量加入到化合物半導體晶體內。於此，3D-和2D-成長模態可以標定方式控制。添加輔助物質和液相存在，有利於此等手段。生成物分別為Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半導體晶體之單晶體，分別與習知化合物半導體晶體相較，其內含物或沉澱物之濃度較低，同時並無或只有很輕微曲率。
简体摘要：本发明系关于Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半导体晶体之制造方法。制法开始时，提供基材，视情形具有一晶体层(缓冲层)。随后，提供气相，包括化合物半导体元素(Ⅱ,Ⅲ,Ⅳ,V,Ⅵ)至少二反应物，于晶体成长反应器内反应温度时呈气态，在选定反应器条件时可彼此反应。二反应物之浓度比可调节，使化合物半导体晶体可从气相结晶，其中可选择高浓度，供晶体形成，可添加或调节还原剂和共反应物，降低气相内Ⅲ-,Ⅳ-或Ⅱ-化合物之活性，使晶体成长率比无共反应物时之状态为低。于是，化合物半导体晶体淀积在基材表面，同时可在成长中晶体上形成液相。又，可添加辅助物质，亦可包含在液相内，但只有少量加入到化合物半导体晶体内。于此，3D-和2D-成长模态可以标定方式控制。添加辅助物质和液相存在，有利于此等手段。生成物分别为Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半导体晶体之单晶体，分别与习知化合物半导体晶体相较，其内含物或沉淀物之浓度较低，同时并无或只有很轻微曲率。

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