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    • 1. 发明专利
    • III-V-,IV-IV-或II-VI-化合物半導體晶體之製造方法,A-B晶體之製造方法,及其單晶體
    • III-V-,IV-IV-或II-VI-化合物半导体晶体之制造方法,A-B晶体之制造方法,及其单晶体
    • TW201638404A
    • 2016-11-01
    • TW105108366
    • 2016-03-18
    • 富瑞柏格化合材料公司FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH
    • 威納特 伯恩特WEINERT, BERNDT哈貝爾 法蘭克HABEL, FRANK雷畢葛 剛那LEIBIGER, GUNNAR
    • C30B25/08C30B25/16C30B29/10C30B29/40C30B29/48H01L21/205
    • C30B25/08C30B25/02C30B25/183C30B29/40C30B29/406
    • 本發明係關於Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半導體晶體之製造方法。 製法開始時,提供基材,視情形具有一晶體層(緩衝層)。隨後,提供氣相,包括化合物半導體元素(Ⅱ,Ⅲ,Ⅳ,V,Ⅵ)至少二反應物,於晶體成長反應器內反應溫度時呈氣態,在選定反應器條件時可彼此反應。二反應物之濃度比可調節,使化合物半導體晶體可從氣相結晶,其中可選擇高濃度,供晶體形成,可添加或調節還原劑和共反應物,降低氣相內Ⅲ-,Ⅳ-或Ⅱ-化合物之活性,使晶體成長率比無共反應物時之狀態為低。於是,化合物半導體晶體澱積在基材表面,同時可在成長中晶體上形成液相。 又,可添加輔助物質,亦可包含在液相內,但只有少量加入到化合物半導體晶體內。 於此,3D-和2D-成長模態可以標定方式控制。 添加輔助物質和液相存在,有利於此等手段。 生成物分別為Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半導體晶體之單晶體,分別與習知化合物半導體晶體相較,其內含物或沉澱物之濃度較低,同時並無或只有很輕微曲率。
    • 本发明系关于Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半导体晶体之制造方法。 制法开始时,提供基材,视情形具有一晶体层(缓冲层)。随后,提供气相,包括化合物半导体元素(Ⅱ,Ⅲ,Ⅳ,V,Ⅵ)至少二反应物,于晶体成长反应器内反应温度时呈气态,在选定反应器条件时可彼此反应。二反应物之浓度比可调节,使化合物半导体晶体可从气相结晶,其中可选择高浓度,供晶体形成,可添加或调节还原剂和共反应物,降低气相内Ⅲ-,Ⅳ-或Ⅱ-化合物之活性,使晶体成长率比无共反应物时之状态为低。于是,化合物半导体晶体淀积在基材表面,同时可在成长中晶体上形成液相。 又,可添加辅助物质,亦可包含在液相内,但只有少量加入到化合物半导体晶体内。 于此,3D-和2D-成长模态可以标定方式控制。 添加辅助物质和液相存在,有利于此等手段。 生成物分别为Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半导体晶体之单晶体,分别与习知化合物半导体晶体相较,其内含物或沉淀物之浓度较低,同时并无或只有很轻微曲率。