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    • 3. 发明专利
    • 薄膜電容器之製造方法、積體電路搭載基板、及具備該基板之半導體裝置
    • 薄膜电容器之制造方法、集成电路搭载基板、及具备该基板之半导体设备
    • TW201642291A
    • 2016-12-01
    • TW105107032
    • 2016-03-08
    • 野田士克林股份有限公司NODA SCREEN CO., LTD.
    • 服部篤典HATTORI, ATSUNORI
    • H01G4/38H01G4/30H01L23/12
    • H05K3/303H01G4/33H01G4/38H01L23/49827H01L23/642H01L28/60H01L2224/16225H01L2924/15174H01L2924/15311H05K1/0298H05K1/162H05K3/002H05K3/32H05K3/46
    • 本發明係一種薄膜電容器之製造方法,積體電路搭載基板,及具備該基板之半導體裝置,其中,製造薄膜電容器於電路基板之方法,包含:於加以形成於支持構件(31)表面之介電體膜(12M)上,以所需圖案而形成薄膜電容器之第1電極層(11)之第1電極形成工程(圖3(d)),和於介電體膜(12M)上及第1電極層(11)上,呈埋入在第1電極層(11)地加以形成電路基板之絕緣基材(16)之基材形成工程(圖3(e)),和除去支持構件(31),使與介電體膜(12M)之第1電極層(11)相反側的面露出之除去工程,和由圖案化介電體膜(12M)者,而殘留重疊於第1電極層(11)之介電體層之同時,於其介電體層形成第1貫通孔而使第1電極層(11)之介電體層側的面之一部分露出之介電體圖案化工程,和於包含在第1貫通孔內之介電體層上,重疊薄膜電容器之第2電極層而形成之第2電極形成工程。
    • 本发明系一种薄膜电容器之制造方法,集成电路搭载基板,及具备该基板之半导体设备,其中,制造薄膜电容器于电路基板之方法,包含:于加以形成于支持构件(31)表面之介电体膜(12M)上,以所需图案而形成薄膜电容器之第1电极层(11)之第1电极形成工程(图3(d)),和于介电体膜(12M)上及第1电极层(11)上,呈埋入在第1电极层(11)地加以形成电路基板之绝缘基材(16)之基材形成工程(图3(e)),和除去支持构件(31),使与介电体膜(12M)之第1电极层(11)相反侧的面露出之除去工程,和由图案化介电体膜(12M)者,而残留重叠于第1电极层(11)之介电体层之同时,于其介电体层形成第1贯通孔而使第1电极层(11)之介电体层侧的面之一部分露出之介电体图案化工程,和于包含在第1贯通孔内之介电体层上,重叠薄膜电容器之第2电极层而形成之第2电极形成工程。