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1. 发明专利

TWI509712B 晶片尺寸封裝結構及其晶片尺寸封裝方法有权
简体标题：芯片尺寸封装结构及其芯片尺寸封装方法
公开(公告)号：TWI509712B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW101102607
申请日：2012-01-20
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014

2. 发明专利

TW201332031A 用於一半導體封裝之基板製程、封裝方法、封裝結構及系統級封裝結構失效
简体标题：用于一半导体封装之基板制程、封装方法、封装结构及系统级封装结构
公开(公告)号：TW201332031A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101101871
申请日：2012-01-18
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
摘要：本發明提供一種用於一半導體封裝之基板製程、封裝方法、封裝結構及系統級封裝結構。該封裝方法包含下列步驟：提供一金屬箔，該金屬箔包含一第一表面及一第二表面；分別形成一圖案化抗蝕層於該金屬箔之該第一表面及該第二表面上；形成至少一連接墊於各該圖案化抗蝕層上；壓合該金屬箔之該第二表面至一載板之一釋放層上；蝕刻該金屬箔以形成一圖案化金屬箔；設置至少一半導體元件於該圖案化金屬箔之該第一表面之該圖案化抗蝕層上；電性連接該至少一半導體元件至該第一表面之之該至少一連接墊；封裝該載板上之一空間；以及移除該載板。
简体摘要：本发明提供一种用于一半导体封装之基板制程、封装方法、封装结构及系统级封装结构。该封装方法包含下列步骤：提供一金属箔，该金属箔包含一第一表面及一第二表面；分别形成一图案化抗蚀层于该金属箔之该第一表面及该第二表面上；形成至少一连接垫于各该图案化抗蚀层上；压合该金属箔之该第二表面至一载板之一释放层上；蚀刻该金属箔以形成一图案化金属箔；设置至少一半导体组件于该图案化金属箔之该第一表面之该图案化抗蚀层上；电性连接该至少一半导体组件至该第一表面之之该至少一连接垫；封装该载板上之一空间；以及移除该载板。

3. 实用新型

TWM446430U 具有端子模組之電連接介面有权
简体标题：具有端子模块之电连接界面
公开(公告)号：TWM446430U
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101213622
申请日：2012-07-13
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG , 陳學璁 , CHEN, SYUE CONG
IPC分类号： H01R13/514

4. 发明专利

TWI493682B 內嵌封裝體之封裝模組及其製造方法有权
简体标题：内嵌封装体之封装模块及其制造方法
公开(公告)号：TWI493682B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101101463
申请日：2012-01-13
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG
IPC分类号： H01L25/10 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/04042 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/18165 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012

6. 发明专利

TW201330224A 內嵌封裝體之封裝模組及其製造方法审中-公开
简体标题：内嵌封装体之封装模块及其制造方法
公开(公告)号：TW201330224A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101101463
申请日：2012-01-13
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG
IPC分类号： H01L25/10 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/04042 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/18165 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012
摘要：本發明係有關於一種封裝模組與封裝體及其兩者之製造方法，該封裝體包括第一半導體晶片、第一電性連接墊、以及第一封裝材料，且該封裝模組主要包括該封裝體以及第二半導體晶片，其封裝體於封裝完成後可先行測試以確保其是以良品的狀態進行後續模組化封裝，如此便可保持封裝模組的良率，減少封裝模組因封裝體完成之品質不良而降低生產良率的可能。
简体摘要：本发明系有关于一种封装模块与封装体及其两者之制造方法，该封装体包括第一半导体芯片、第一电性连接垫、以及第一封装材料，且该封装模块主要包括该封装体以及第二半导体芯片，其封装体于封装完成后可先行测试以确保其是以良品的状态进行后续模块化封装，如此便可保持封装模块的良率，减少封装模块因封装体完成之品质不良而降低生产良率的可能。

7. 实用新型

TWM533309U 突塊式晶片頂出裝置有权
简体标题：突块式芯片顶出设备
公开(公告)号：TWM533309U
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105207211
申请日：2016-05-18
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG , 陳有增 , CHEN, YU TSENG , 蔡嘉真 , TSAI, CHIA CHEN
IPC分类号： H01L21/50

8. 发明专利

TWI544555B 半導體封裝結構及其製造方法有权
简体标题：半导体封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI544555B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW103104391
申请日：2014-02-11
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：胡玉山 , HU, YU SHAN , 林殿方 , LIN, DIANN FANG
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02313 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03602 , H01L2224/0401 , H01L2224/05006 , H01L2224/05099 , H01L2224/05546 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05599 , H01L2224/11334 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014

9. 发明专利

TWI442488B 用於一半導體封裝之基板製程、封裝方法、封裝結構及系統級封裝結構失效
简体标题：用于一半导体封装之基板制程、封装方法、封装结构及系统级封装结构
公开(公告)号：TWI442488B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW101101871
申请日：2012-01-18
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014

10. 实用新型

TWM456624U 一種電連接介面失效
简体标题：一种电连接界面
公开(公告)号：TWM456624U
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101225494
申请日：2012-12-28
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG
IPC分类号： H01R13/66

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