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2. 发明专利

TWI509712B 晶片尺寸封裝結構及其晶片尺寸封裝方法有权
简体标题：芯片尺寸封装结构及其芯片尺寸封装方法
公开(公告)号：TWI509712B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW101102607
申请日：2012-01-20
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014

3. 发明专利

TW201332031A 用於一半導體封裝之基板製程、封裝方法、封裝結構及系統級封裝結構失效
简体标题：用于一半导体封装之基板制程、封装方法、封装结构及系统级封装结构
公开(公告)号：TW201332031A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101101871
申请日：2012-01-18
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
摘要：本發明提供一種用於一半導體封裝之基板製程、封裝方法、封裝結構及系統級封裝結構。該封裝方法包含下列步驟：提供一金屬箔，該金屬箔包含一第一表面及一第二表面；分別形成一圖案化抗蝕層於該金屬箔之該第一表面及該第二表面上；形成至少一連接墊於各該圖案化抗蝕層上；壓合該金屬箔之該第二表面至一載板之一釋放層上；蝕刻該金屬箔以形成一圖案化金屬箔；設置至少一半導體元件於該圖案化金屬箔之該第一表面之該圖案化抗蝕層上；電性連接該至少一半導體元件至該第一表面之之該至少一連接墊；封裝該載板上之一空間；以及移除該載板。
简体摘要：本发明提供一种用于一半导体封装之基板制程、封装方法、封装结构及系统级封装结构。该封装方法包含下列步骤：提供一金属箔，该金属箔包含一第一表面及一第二表面；分别形成一图案化抗蚀层于该金属箔之该第一表面及该第二表面上；形成至少一连接垫于各该图案化抗蚀层上；压合该金属箔之该第二表面至一载板之一释放层上；蚀刻该金属箔以形成一图案化金属箔；设置至少一半导体组件于该图案化金属箔之该第一表面之该图案化抗蚀层上；电性连接该至少一半导体组件至该第一表面之之该至少一连接垫；封装该载板上之一空间；以及移除该载板。

4. 实用新型

TWM446430U 具有端子模組之電連接介面有权
简体标题：具有端子模块之电连接界面
公开(公告)号：TWM446430U
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101213622
申请日：2012-07-13
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG , 陳學璁 , CHEN, SYUE CONG
IPC分类号： H01R13/514

5. 发明专利

TW201637131A 頂部金屬堆疊封裝結構及其製造方法审中-公开
简体标题：顶部金属堆栈封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201637131A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105106289
申请日：2016-03-02
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN-FANG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/10 , H01L23/34 , H01L23/552
CPC分类号： H01L23/34 , H01L23/04 , H01L23/24 , H01L23/3675 , H01L23/4334 , H01L23/49816 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/48091 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/167 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要：本發明係有關於一種頂部金屬堆疊封裝結構及其製造方法，該頂部金屬堆疊封裝結構包括：一金屬基底，包含一上表面以及一下表面，且一晶片接收腔室形成於該上表面；一第一晶片，藉由一第一結合層以固定於該晶片接收腔室；一基板，具有一上表面；一第二晶片，藉由一第二結合層以固定於該基板之該上表面；以及複數個連接元件，形成於該基板之該上表面；其中，藉由該些連接元件將該金屬基底之該上表面與該基板連接。藉此，該結構及方法可增進堆疊封裝結構之散熱效果及金屬屏蔽。
简体摘要：本发明系有关于一种顶部金属堆栈封装结构及其制造方法，该顶部金属堆栈封装结构包括：一金属基底，包含一上表面以及一下表面，且一芯片接收腔室形成于该上表面；一第一芯片，借由一第一结合层以固定于该芯片接收腔室；一基板，具有一上表面；一第二芯片，借由一第二结合层以固定于该基板之该上表面；以及复数个连接组件，形成于该基板之该上表面；其中，借由该些连接组件将该金属基底之该上表面与该基板连接。借此，该结构及方法可增进堆栈封装结构之散热效果及金属屏蔽。

6. 发明专利

TWI493682B 內嵌封裝體之封裝模組及其製造方法有权
简体标题：内嵌封装体之封装模块及其制造方法
公开(公告)号：TWI493682B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101101463
申请日：2012-01-13
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG
IPC分类号： H01L25/10 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/04042 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/18165 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012

8. 发明专利

TW201330224A 內嵌封裝體之封裝模組及其製造方法审中-公开
简体标题：内嵌封装体之封装模块及其制造方法
公开(公告)号：TW201330224A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101101463
申请日：2012-01-13
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG
IPC分类号： H01L25/10 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/04042 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/18165 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012
摘要：本發明係有關於一種封裝模組與封裝體及其兩者之製造方法，該封裝體包括第一半導體晶片、第一電性連接墊、以及第一封裝材料，且該封裝模組主要包括該封裝體以及第二半導體晶片，其封裝體於封裝完成後可先行測試以確保其是以良品的狀態進行後續模組化封裝，如此便可保持封裝模組的良率，減少封裝模組因封裝體完成之品質不良而降低生產良率的可能。
简体摘要：本发明系有关于一种封装模块与封装体及其两者之制造方法，该封装体包括第一半导体芯片、第一电性连接垫、以及第一封装材料，且该封装模块主要包括该封装体以及第二半导体芯片，其封装体于封装完成后可先行测试以确保其是以良品的状态进行后续模块化封装，如此便可保持封装模块的良率，减少封装模块因封装体完成之品质不良而降低生产良率的可能。

9. 实用新型

TWM533309U 突塊式晶片頂出裝置有权
简体标题：突块式芯片顶出设备
公开(公告)号：TWM533309U
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105207211
申请日：2016-05-18
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG , 陳有增 , CHEN, YU TSENG , 蔡嘉真 , TSAI, CHIA CHEN
IPC分类号： H01L21/50

10. 发明专利

TW201640642A 多晶片堆疊封裝結構及其製造方法审中-公开
简体标题：多芯片堆栈封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201640642A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105101003
申请日：2016-01-13
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN-FANG
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/00 , H01L23/00
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399 , H01L2924/00 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247
摘要：本發明係有關於一種多晶片堆疊封裝結構及其製造方法，該多晶片封裝結構包括：一基板，包括複數個電性連接墊；一第一晶片，其一下表面黏貼於該基板上；一第二晶片，係以交叉錯位方式黏貼於該第一晶片之一上表面上；一間隔件，係以與該第二晶片交叉錯位方式設置於第二晶片的一上表面上；以及一第三晶片，係以與該間隔件交叉錯位方式設置於該間隔件的一上表面上，使得該第三晶片之一端與該間隔件之一端形成一第一間距。藉此，改變打線受力點的位置，以降低打線時晶片斷裂之風險。
简体摘要：本发明系有关于一种多芯片堆栈封装结构及其制造方法，该多芯片封装结构包括：一基板，包括复数个电性连接垫；一第一芯片，其一下表面黏贴于该基板上；一第二芯片，系以交叉错位方式黏贴于该第一芯片之一上表面上；一间隔件，系以与该第二芯片交叉错位方式设置于第二芯片的一上表面上；以及一第三芯片，系以与该间隔件交叉错位方式设置于该间隔件的一上表面上，使得该第三芯片之一端与该间隔件之一端形成一第一间距。借此，改变打线受力点的位置，以降低打线时芯片断裂之风险。

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