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1. 发明专利

TWI579873B 電容器堆以及電氣組件之形成方法和多層式陶瓷電容器之形成方法有权
简体标题：电容器堆以及电气组件之形成方法和多层式陶瓷电容器之形成方法
公开(公告)号：TWI579873B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW102142746
申请日：2013-11-25
申请人：凱邁特電子公司 , KEMET ELECTRONICS CORPORATION
发明人：麥康奈爾約翰 , MCCONNELL, JOHN E. , 巴堤圖德約翰 , BULTITUDE, JOHN , 希爾亞倫 , HILL, R. ALLEN , 雷諾蓋瑞 , RENNER, GARRRY L.
IPC分类号： H01G4/38 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/2325 , H01G4/30 , H01G4/38

2. 发明专利

TWI560846B 在多晶片模組中用於提供電容之裝置及方法有权
简体标题：在多芯片模块中用于提供电容之设备及方法
公开(公告)号：TWI560846B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104118204
申请日：2013-01-25
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：荷利斯提摩西M , HOLLIS, TIMOTHY M.
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/52 , H01G4/38
CPC分类号： H03K3/013 , H01G4/228 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01L23/481 , H01L23/5223 , H01L23/642 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H05K7/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

3. 发明专利

TWI520303B 在多晶片模組中用於提供電容之裝置及方法有权
简体标题：在多芯片模块中用于提供电容之设备及方法
公开(公告)号：TWI520303B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW102103021
申请日：2013-01-25
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：荷利斯提摩西M , HOLLIS, TIMOTHY M.
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/52
CPC分类号： H03K3/013 , H01G4/228 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01L23/481 , H01L23/5223 , H01L23/642 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H05K7/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201546846A 多層電容器中的聲噪消降审中-公开
简体标题：多层电容器中的声噪消降
公开(公告)号：TW201546846A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104101109
申请日：2015-01-13
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：寇勒傑弗瑞G , KOLLER, JEFFREY G. , 安格 P 傑弗瑞 , UNGAR, P. JEFFREY
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/30 , H01G4/35 , G05F1/10
CPC分类号： H01G4/30 , G05F1/10 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/35 , H01G4/38 , H01G4/40 , H02M1/12 , H02M3/04
摘要：本發明呈現一種用於解耦發生在由一電壓調節器產生的一電壓信號上之電壓暫態的器件。該器件可將電壓暫態與耦接至該電壓調節器之電路解耦。該器件可包括可含於一單一封裝中的兩個電容器。該兩個電容器可耦接至來自該電壓調節器之電壓信號，使得一電容器亦耦接至一接地參考且另一電容器亦耦接至一供應電壓。可在一多層陶瓷電容器(MLCC)製程中建構該等電容器。形成該MLCC之材料可經配置，使得MLCC封裝不回應於該電壓信號上之電壓位準波動而改變形狀或振動。
简体摘要：本发明呈现一种用于解耦发生在由一电压调节器产生的一电压信号上之电压暂态的器件。该器件可将电压暂态与耦接至该电压调节器之电路解耦。该器件可包括可含于一单一封装中的两个电容器。该两个电容器可耦接至来自该电压调节器之电压信号，使得一电容器亦耦接至一接地参考且另一电容器亦耦接至一供应电压。可在一多层陶瓷电容器(MLCC)制程中建构该等电容器。形成该MLCC之材料可经配置，使得MLCC封装不回应于该电压信号上之电压位准波动而改变形状或振动。

5. 发明专利

TW201342571A 在多晶片模組中用於提供電容之裝置及方法审中-公开
简体标题：在多芯片模块中用于提供电容之设备及方法
公开(公告)号：TW201342571A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW102103021
申请日：2013-01-25
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：荷利斯提摩西M , HOLLIS, TIMOTHY M.
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/52
CPC分类号： H03K3/013 , H01G4/228 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01L23/481 , H01L23/5223 , H01L23/642 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H05K7/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示在一多晶片模組中將電容提供至一電源供應器電壓之裝置、多晶片模組、電容晶片及方法。在一實例性多晶片模組中，一信號分佈組件可經組態以提供一電源供應器電壓。一電容晶片可耦合至該信號分佈組件且包含複數個電容單元。該電容晶片可經組態以將一電容提供至該電源供應器電壓。該複數個電容單元可由記憶體胞電容器形成。
简体摘要：本发明揭示在一多芯片模块中将电容提供至一电源供应器电压之设备、多芯片模块、电容芯片及方法。在一实例性多芯片模块中，一信号分布组件可经组态以提供一电源供应器电压。一电容芯片可耦合至该信号分布组件且包含复数个电容单元。该电容芯片可经组态以将一电容提供至该电源供应器电压。该复数个电容单元可由内存胞电容器形成。

6. 实用新型

TWM432221U 電容及具有該電容的多層電路板 CAPACITANCE AND MULTILAYER PCB WITH THE CAPACITANCE 失效
简体标题：电容及具有该电容的多层电路板 CAPACITANCE AND MULTILAYER PCB WITH THE CAPACITANCE
公开(公告)号：TWM432221U
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：TW100224850
申请日：2011-12-28
申请人：鴻海精密工業股份有限公司
发明人：賴盈佐 , 蘇曉芸
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H01G4/012 , H01G4/228 , H01G4/33 , H01G4/38 , H05K1/162 , H05K3/4644 , H05K2201/0191 , H05K2201/09236 , H05K2201/09254 , H05K2201/09672
摘要：一種電容，包括至少兩層相互間隔設置的電極層以及夾設於兩電極層之間的至少一介電層，所述每一層電極層均包括一正極以及一負極，每二相鄰的所述電極層的極性設置均相反，每一所述正極包括若干相互平行且間隔設置的第一耦合部，所述負極包括若干相互平行且間隔設置的第二耦合部，所述每一電極層上的第一耦合部與第二耦合部相互穿插且平行設置於同一平面上。本新型還提供一種具有上述電容的多層電路板。
简体摘要：一种电容，包括至少两层相互间隔设置的电极层以及夹设于两电极层之间的至少一介电层，所述每一层电极层均包括一正极以及一负极，每二相邻的所述电极层的极性设置均相反，每一所述正极包括若干相互平行且间隔设置的第一耦合部，所述负极包括若干相互平行且间隔设置的第二耦合部，所述每一电极层上的第一耦合部与第二耦合部相互穿插且平行设置于同一平面上。本新型还提供一种具有上述电容的多层电路板。

7. 发明专利

TWI273696B 半導體裝置,及分壓電路 SEMICONDUCTOR DEVICE AND VOLTAGE DIVISION CIRCUIT 失效
简体标题：半导体设备,及分压电路 SEMICONDUCTOR DEVICE AND VOLTAGE DIVISION CIRCUIT
公开(公告)号：TWI273696B
公开(公告)日：2007-02-11
申请号：TW093117889
申请日：2004-06-21
申请人：三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD.
发明人：齋藤博 SAITO, HIROSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01G4/38 , H01L27/0805 , H01L28/60
摘要：一種半導體裝置，及分壓電路，係於具有以複數個單位電容元件所構成之電容元件群之半導體裝置中，在電容元件群之上部電極整體外周配設電容元件群之各單位電容元件的下部電極之引出電極，於電容元件群可連接預定之電容元件，預定之電容元件係而設定電容值以便至少去除電容元件群之寄生電容之影響。此外，預定電容元件係可以電容元件群所構成。
简体摘要：一种半导体设备，及分压电路，系于具有以复数个单位电容组件所构成之电容组件群之半导体设备中，在电容组件群之上部电极整体外周配设电容组件群之各单位电容组件的下部电极之引出电极，于电容组件群可连接预定之电容组件，预定之电容组件系而设置电容值以便至少去除电容组件群之寄生电容之影响。此外，预定电容组件系可以电容组件群所构成。

8. 发明专利

TW569252B 具有側面連接電容器之電子組件及其製造方法有权
简体标题：具有侧面连接电容器之电子组件及其制造方法
公开(公告)号：TW569252B
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW091111732
申请日：2002-05-31
申请人：英特爾公司 INTEL CORPORATION
发明人：李元良 YUAN-LIANG LI , 鍾奇業 CHUNG, CHEE-YEE
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H05K1/186 , H01G4/38 , H01L23/50 , H01L2224/16 , H05K1/0231 , H05K1/112 , H05K2201/09309 , H05K2201/10522 , H05K2201/1053 , H05K2201/10636 , Y02P70/611
摘要：一種電子組件包含多重的分離電容器(504，第5圖)，其係表面安裝於或嵌入於一諸如積體電路封裝(1504，第15圖)之電子外殼。鄰接電容器之一個或更多個側邊端子(510)係透過側邊連接(512，620，第5及6圖)而電性地連接。這些側邊連接係提供一種低之側面電感電流路徑於該些分離電容器之間。
简体摘要：一种电子组件包含多重的分离电容器(504，第5图)，其系表面安装于或嵌入于一诸如集成电路封装(1504，第15图)之电子外壳。邻接电容器之一个或更多个侧边端子(510)系透过侧边连接(512，620，第5及6图)而电性地连接。这些侧边连接系提供一种低之侧面电感电流路径于该些分离电容器之间。

9. 发明专利

TW548775B 疊層式電容器裝置有权
简体标题：叠层式电容器设备
公开(公告)号：TW548775B
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：TW089107181
申请日：2000-04-17
申请人：艾可特公司
发明人：肯阿帕拉騰斯 , 俊伯克斯霍 , 丹明恩麥科 , 溫威得鮑暉德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01G4/38 , H01L23/5223 , H01L27/0805 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種疊層式電容器裝置，具有每單位面積之高電容，其實施係藉由在垂直方向上，交錯設置第一層(FL1 FL2，FL3，FL4，FL5)以及第二層(SL1，SL2，SL3，SL4)。第一層(FL2)係包含水平交錯導電軌(T2.2；T2.3)以及絕緣軌，而第二層係包含像是氧化物之絕緣材質。依此，上下電容( CTB)以及側壁電容(CSW)經由平行連接而構成，以形成疊層式電容器裝置。在本發明之較佳實施例中，此平行連接之實施，係藉由導電連接對角相鄰之導電軌( T1.2；T2.3)。
简体摘要：一种叠层式电容器设备，具有每单位面积之高电容，其实施系借由在垂直方向上，交错设置第一层(FL1 FL2，FL3，FL4，FL5)以及第二层(SL1，SL2，SL3，SL4)。第一层(FL2)系包含水平交错导电轨(T2.2；T2.3)以及绝缘轨，而第二层系包含像是氧化物之绝缘材质。依此，上下电容( CTB)以及侧壁电容(CSW)经由平行连接而构成，以形成叠层式电容器设备。在本发明之较佳实施例中，此平行连接之实施，系借由导电连接对角相邻之导电轨( T1.2；T2.3)。

10. 发明专利

TW384538B 電容器之金屬化膜失效
简体标题：电容器之金属化膜
公开(公告)号：TW384538B
公开(公告)日：2000-03-11
申请号：TW085100391
申请日：1996-01-15
申请人：艾羅福克斯公司 , 東麗塑膠美國股份有限公司 , 東麗股份有限公司
发明人：馬丁.哈迪思 , 古胡守 , 田研司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01G4/38
摘要：一種薄膜電容器其中未金屬化邊緣設有一層半導電層。該層於電容器內提供並聯電阻路徑，因此免除外部電阻器之需求。也橫跨邊緣使電場分級，亦即，使電場更均勻，因此使邊緣可更狹窄而不會電崩潰，如此可縮小電容器的物理尺寸。一層耐火半導電層設於金屬層與介電薄膜間。耐火半導電層經由隔絕下方介電薄膜與蒸發金屬產生的熱量而加速自行清除過程，如此加快蒸發，並減少介電薄膜碳化傾向。結果可大體消耗較少能量而去除瑕疵。較佳，耐火層亦為半導電性，俾減少場發射效果，因而減少介電薄膜之瑕疵頻率。
简体摘要：一种薄膜电容器其中未金属化边缘设有一层半导电层。该层于电容器内提供并联电阻路径，因此免除外部电阻器之需求。也横跨边缘使电场分级，亦即，使电场更均匀，因此使边缘可更狭窄而不会电崩溃，如此可缩小电容器的物理尺寸。一层耐火半导电层设于金属层与介电薄膜间。耐火半导电层经由隔绝下方介电薄膜与蒸发金属产生的热量而加速自行清除过程，如此加快蒸发，并减少介电薄膜碳化倾向。结果可大体消耗较少能量而去除瑕疵。较佳，耐火层亦为半导电性，俾减少场发射效果，因而减少介电薄膜之瑕疵频率。

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