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2. 发明专利

TW201630133A 半導體封裝結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201630133A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW105101058
申请日：2016-01-14
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：胡玉山 , HU, YU SHAN
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/0233 , H01L2224/02331 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05609 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105
摘要：本發明提出一半導體封裝結構及其製造方法，該半導體封裝結構包含一晶片、一金屬阻障層、一介電層、一第一金種層及一第二金種層。晶片具有一頂面、複數個連接墊及一保護層，連接墊及保護層設置於頂面上，而保護層部分地覆蓋連接墊；金屬阻障層設置於各連接墊上；介電層設置於保護層及金屬阻障層上，且具有複數個貫穿槽，以使金屬阻障層從介電層暴露出；第一金種層設置於介電層及暴露出的金屬阻障層上；第二金種層設置於第一金種層上。藉此，金屬阻障層可有效避免晶片的連接墊於製造過程中受到損害。
简体摘要：本发明提出一半导体封装结构及其制造方法，该半导体封装结构包含一芯片、一金属阻障层、一介电层、一第一金种层及一第二金种层。芯片具有一顶面、复数个连接垫及一保护层，连接垫及保护层设置于顶面上，而保护层部分地覆盖连接垫；金属阻障层设置于各连接垫上；介电层设置于保护层及金属阻障层上，且具有复数个贯穿槽，以使金属阻障层从介电层暴露出；第一金种层设置于介电层及暴露出的金属阻障层上；第二金种层设置于第一金种层上。借此，金属阻障层可有效避免芯片的连接垫于制造过程中受到损害。

3. 发明专利

TWI509712B 晶片尺寸封裝結構及其晶片尺寸封裝方法有权
简体标题：芯片尺寸封装结构及其芯片尺寸封装方法
公开(公告)号：TWI509712B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW101102607
申请日：2012-01-20
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014

4. 发明专利

TW201336014A 晶片吸附頭审中-公开
简体标题：芯片吸附头
公开(公告)号：TW201336014A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101106400
申请日：2012-02-24
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：陳有增
IPC分类号： H01L21/683 , B65G47/91
摘要：一種晶片吸附頭包括一吸嘴墊及一吸嘴本體。吸嘴墊係設有一晶片吸附面及相對晶片吸附面之一固定面，晶片吸附面係設有複數個穿孔貫穿晶片吸附面及固定面。吸嘴本體係設有一吸嘴墊吸附面及一抽氣通道，吸嘴墊吸附面設有複數個吸附凹槽並連通至抽氣通道；其中，固定面係貼合於吸嘴墊吸附面，吸嘴本體設有一第一凸出固定部，且固定面設有與第一凸出固定部相對應嵌合之一第二凹陷固定部，用以使固定面貼合於吸嘴墊吸附面，並使吸附凹槽完全覆蓋固定面上之穿孔之開口處，使穿孔連接吸附凹槽並連通至吸嘴本體之抽氣通道，藉由晶片吸附面上之穿孔之開口處均勻配置，避免晶片邊緣真空吸附力不足導致晶片破裂及吸嘴墊容易翹曲、脫落或是位移的問題。
简体摘要：一种芯片吸附头包括一吸嘴垫及一吸嘴本体。吸嘴垫系设有一芯片吸附面及相对芯片吸附面之一固定面，芯片吸附面系设有复数个穿孔贯穿芯片吸附面及固定面。吸嘴本体系设有一吸嘴垫吸附面及一抽气信道，吸嘴垫吸附面设有复数个吸附凹槽并连通至抽气信道；其中，固定面系贴合于吸嘴垫吸附面，吸嘴本体设有一第一凸出固定部，且固定面设有与第一凸出固定部相对应嵌合之一第二凹陷固定部，用以使固定面贴合于吸嘴垫吸附面，并使吸附凹槽完全覆盖固定面上之穿孔之开口处，使穿孔连接吸附凹槽并连通至吸嘴本体之抽气信道，借由芯片吸附面上之穿孔之开口处均匀配置，避免芯片边缘真空吸附力不足导致芯片破裂及吸嘴垫容易翘曲、脱落或是位移的问题。

5. 发明专利

TW201332031A 用於一半導體封裝之基板製程、封裝方法、封裝結構及系統級封裝結構失效
简体标题：用于一半导体封装之基板制程、封装方法、封装结构及系统级封装结构
公开(公告)号：TW201332031A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101101871
申请日：2012-01-18
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
摘要：本發明提供一種用於一半導體封裝之基板製程、封裝方法、封裝結構及系統級封裝結構。該封裝方法包含下列步驟：提供一金屬箔，該金屬箔包含一第一表面及一第二表面；分別形成一圖案化抗蝕層於該金屬箔之該第一表面及該第二表面上；形成至少一連接墊於各該圖案化抗蝕層上；壓合該金屬箔之該第二表面至一載板之一釋放層上；蝕刻該金屬箔以形成一圖案化金屬箔；設置至少一半導體元件於該圖案化金屬箔之該第一表面之該圖案化抗蝕層上；電性連接該至少一半導體元件至該第一表面之之該至少一連接墊；封裝該載板上之一空間；以及移除該載板。
简体摘要：本发明提供一种用于一半导体封装之基板制程、封装方法、封装结构及系统级封装结构。该封装方法包含下列步骤：提供一金属箔，该金属箔包含一第一表面及一第二表面；分别形成一图案化抗蚀层于该金属箔之该第一表面及该第二表面上；形成至少一连接垫于各该图案化抗蚀层上；压合该金属箔之该第二表面至一载板之一释放层上；蚀刻该金属箔以形成一图案化金属箔；设置至少一半导体组件于该图案化金属箔之该第一表面之该图案化抗蚀层上；电性连接该至少一半导体组件至该第一表面之之该至少一连接垫；封装该载板上之一空间；以及移除该载板。

6. 实用新型

TWM446430U 具有端子模組之電連接介面有权
简体标题：具有端子模块之电连接界面
公开(公告)号：TWM446430U
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101213622
申请日：2012-07-13
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG , 陳學璁 , CHEN, SYUE CONG
IPC分类号： H01R13/514

7. 发明专利

TWI562297B 半導體封裝結構及其製造方法有权
简体标题：半导体封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI562297B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW105101058
申请日：2016-01-14
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：胡玉山 , HU, YU SHAN
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/0233 , H01L2224/02331 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05609 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105

8. 发明专利

TW201637131A 頂部金屬堆疊封裝結構及其製造方法审中-公开
简体标题：顶部金属堆栈封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201637131A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105106289
申请日：2016-03-02
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN-FANG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/10 , H01L23/34 , H01L23/552
CPC分类号： H01L23/34 , H01L23/04 , H01L23/24 , H01L23/3675 , H01L23/4334 , H01L23/49816 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/48091 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/167 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要：本發明係有關於一種頂部金屬堆疊封裝結構及其製造方法，該頂部金屬堆疊封裝結構包括：一金屬基底，包含一上表面以及一下表面，且一晶片接收腔室形成於該上表面；一第一晶片，藉由一第一結合層以固定於該晶片接收腔室；一基板，具有一上表面；一第二晶片，藉由一第二結合層以固定於該基板之該上表面；以及複數個連接元件，形成於該基板之該上表面；其中，藉由該些連接元件將該金屬基底之該上表面與該基板連接。藉此，該結構及方法可增進堆疊封裝結構之散熱效果及金屬屏蔽。
简体摘要：本发明系有关于一种顶部金属堆栈封装结构及其制造方法，该顶部金属堆栈封装结构包括：一金属基底，包含一上表面以及一下表面，且一芯片接收腔室形成于该上表面；一第一芯片，借由一第一结合层以固定于该芯片接收腔室；一基板，具有一上表面；一第二芯片，借由一第二结合层以固定于该基板之该上表面；以及复数个连接组件，形成于该基板之该上表面；其中，借由该些连接组件将该金属基底之该上表面与该基板连接。借此，该结构及方法可增进堆栈封装结构之散热效果及金属屏蔽。

9. 发明专利

TWI501349B 晶片吸附頭有权
简体标题：芯片吸附头
公开(公告)号：TWI501349B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW101106400
申请日：2012-02-24
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：陳有增
IPC分类号： H01L21/683 , B65G47/91

10. 发明专利

TWI493682B 內嵌封裝體之封裝模組及其製造方法有权
简体标题：内嵌封装体之封装模块及其制造方法
公开(公告)号：TWI493682B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101101463
申请日：2012-01-13
申请人：東琳精密股份有限公司 , DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC.
发明人：林殿方 , LIN, DIANN FANG
IPC分类号： H01L25/10 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/04042 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/18165 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012

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