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1. 发明专利

TW201822378A 發光二極體晶片审中-公开
简体标题：发光二极管芯片
公开(公告)号：TW201822378A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105140653
申请日：2016-12-08
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：吳俊德 , WU, JYUN-DE , 羅玉雲 , LO, YU-YUN
IPC分类号： H01L33/02
摘要：一種發光二極體晶片包括P型半導體層、發光層及N型半導體層。發光層配置於P型半導體層與N型半導體層之間。發光二極體晶片的所有半導體層的總厚度除以發光二極體晶片的最大寬度所得到的比值是落在0.2至1.5的範圍內。位於發光層之朝向P型半導體層的一側的所有半導體層的總厚度除以發光二極體晶片的所有半導體層的總厚度所得到的比值是落在0.05至0.2的範圍內。
简体摘要：一种发光二极管芯片包括P型半导体层、发光层及N型半导体层。发光层配置于P型半导体层与N型半导体层之间。发光二极管芯片的所有半导体层的总厚度除以发光二极管芯片的最大宽度所得到的比值是落在0.2至1.5的范围内。位于发光层之朝向P型半导体层的一侧的所有半导体层的总厚度除以发光二极管芯片的所有半导体层的总厚度所得到的比值是落在0.05至0.2的范围内。

2. 发明专利

TWI664747B 圖案化基板與發光二極體晶圓有权
简体标题：图案化基板与发光二极管晶圆
公开(公告)号：TWI664747B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW106110087
申请日：2017-03-27
申请人：英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：賴彥霖 , LAI, YEN-LIN , 王信介 , WANG, SHEN-JIE , 吳俊德 , WU, JYUN-DE , 嚴千智 , YEN, CHIEN-CHIH
IPC分类号： H01L33/20

3. 发明专利

TWI626766B 發光元件有权
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWI626766B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW106118151
申请日：2017-06-01
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：吳俊德 , WU, JYUN-DE , 王信介 , WANG, SHEN-JIE , 賴彥霖 , LAI, YEN-LIN
IPC分类号： H01L33/12

4. 发明专利

TW201904088A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201904088A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106118151
申请日：2017-06-01
申请人：英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：吳俊德 , WU, JYUN-DE , 王信介 , WANG, SHEN-JIE , 賴彥霖 , LAI, YEN-LIN
IPC分类号： H01L33/12
摘要：一種發光元件包含一磊晶結構。磊晶結構包含一第一型半導體層、一第二型半導體層與一發光層。第一型半導體層包含一第一子半導體層。發光層設置於第一型半導體層與第二型半導體層之間。第一子半導體層具有摻雜第一型摻雜物的一高摻雜部與一低摻雜部。高摻雜部的摻雜濃度大於1017原子數/立方公分且小於等於1018原子數/立方公分。低摻雜部的摻雜濃度的小於等於1017原子數/立方公分。
简体摘要：一种发光组件包含一磊晶结构。磊晶结构包含一第一型半导体层、一第二型半导体层与一发光层。第一型半导体层包含一第一子半导体层。发光层设置于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一子半导体层具有掺杂第一型掺杂物的一高掺杂部与一低掺杂部。高掺杂部的掺杂浓度大于1017原子数/立方公分且小于等于1018原子数/立方公分。低掺杂部的掺杂浓度的小于等于1017原子数/立方公分。

5. 发明专利

TW201818563A 半導體發光元件审中-公开
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TW201818563A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105136570
申请日：2016-11-10
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：賴彥霖 , LAI, YEN-LIN , 吳俊德 , WU, JYUN-DE
IPC分类号： H01L33/02
摘要：一種半導體發光元件，包括發光層、第一N型波導層以及多個半導體層。發光層具有第一側以及相對於第一側的第二側。第一N型波導層配置於第一側，且這些半導體層配置於第二側。這些半導體層包括至少一P型半導體層以及多個N型半導體層，且這些N型半導體層的數量大於至少一P型半導體層的數量。
简体摘要：一种半导体发光组件，包括发光层、第一N型波导层以及多个半导体层。发光层具有第一侧以及相对于第一侧的第二侧。第一N型波导层配置于第一侧，且这些半导体层配置于第二侧。这些半导体层包括至少一P型半导体层以及多个N型半导体层，且这些N型半导体层的数量大于至少一P型半导体层的数量。

6. 发明专利

TWI607612B 半導體雷射元件有权
简体标题：半导体激光组件
公开(公告)号：TWI607612B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105137637
申请日：2016-11-17
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：賴彥霖 , LAI, YEN-LIN , 吳俊德 , WU, JYUN-DE
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/0224 , H01S5/02276 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/18308 , H01S5/18394 , H01S5/2018 , H01S5/34333

7. 发明专利

TW201820730A 半導體雷射元件审中-公开
简体标题：半导体激光组件
公开(公告)号：TW201820730A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105137637
申请日：2016-11-17
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：賴彥霖 , LAI, YEN-LIN , 吳俊德 , WU, JYUN-DE
IPC分类号： H01S5/22
摘要：一種半導體雷射元件，包括半導體磊晶結構、電極墊層以及透明導電層。半導體磊晶結構包括第一半導體層、第二半導體層以及發光層。發光層配置於第一半導體層與第二半導體層之間，且第一半導體層配置於電極墊層與發光層之間。透明導電層配置於電極墊層與第一半導體層之間。第一半導體層具有位於遠離發光層的一側的脊狀結構。電極墊層具有至少一空區，且至少一空區垂直於發光層的一方向上的垂直投影與脊狀結構在該方向上的垂直投影至少一部分重疊。
简体摘要：一种半导体激光组件，包括半导体磊晶结构、电极垫层以及透明导电层。半导体磊晶结构包括第一半导体层、第二半导体层以及发光层。发光层配置于第一半导体层与第二半导体层之间，且第一半导体层配置于电极垫层与发光层之间。透明导电层配置于电极垫层与第一半导体层之间。第一半导体层具有位于远离发光层的一侧的嵴状结构。电极垫层具有至少一空区，且至少一空区垂直于发光层的一方向上的垂直投影与嵴状结构在该方向上的垂直投影至少一部分重叠。

8. 发明专利

TWI622188B 發光二極體晶片有权
简体标题：发光二极管芯片
公开(公告)号：TWI622188B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW105140655
申请日：2016-12-08
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：吳俊德 , WU, JYUN-DE , 羅玉雲 , LO, YU-YUN
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/305

9. 发明专利

TWI605613B 半導體發光元件有权
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TWI605613B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW105136570
申请日：2016-11-10
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：賴彥霖 , LAI, YEN-LIN , 吳俊德 , WU, JYUN-DE
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01S5/3054 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/1028 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/3216 , H01S5/34333

10. 发明专利

TWI569467B 半導體發光元件有权
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TWI569467B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104136951
申请日：2015-11-10
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：賴彥霖 , LAI, YEN-LIN , 吳俊德 , WU, JYUN-DE
IPC分类号： H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/14
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/58 , H01S5/2009 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/3086 , H01S5/3216 , H01S5/3425 , H01S5/34333

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