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4. 发明专利

TWI440132B ＳＯＩ基板以及用於製造ＳＯＩ基板的方法有权
简体标题：ＳＯＩ基板以及用于制造ＳＯＩ基板的方法
公开(公告)号：TWI440132B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW097110381
申请日：2008-03-24
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 大沼英人 , OHNUMA, HIDETO
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , G06K19/07749 , G06K19/0775 , G06K19/07786 , H01L21/84 , H01L24/83 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/83851 , H01L2924/00011 , H01L2924/01019 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2224/29075 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

7. 发明专利

TWI404186B 半導體組件用之電連接導體、半導體組件以及電連接導體之製造方法有权
简体标题：半导体组件用之电连接导体、半导体组件以及电连接导体之制造方法
公开(公告)号：TWI404186B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW098134743
申请日：2009-10-14
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：席斯朋格麥可 , ZITZLSPERGER, MICHAEL
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L24/48 , H01L33/486 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2924/00014 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

8. 发明专利

TWI377878B 用於高頻應用之包括貫穿連接結構（Ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）之多層印刷電路板 MULTI-LAYER PRINTED CIRCUIT BOARD COMPRISING A THROUGH CONNECTION FOR HIGH FREQUENCY APPLICATIONS 有权
简体标题：用于高频应用之包括贯穿连接结构（Ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）之多层印刷电路板 MULTI-LAYER PRINTED CIRCUIT BOARD COMPRISING A THROUGH CONNECTION FOR HIGH FREQUENCY APPLICATIONS
公开(公告)号：TWI377878B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：TW094141844
申请日：2005-11-29
申请人：高級微裝置公司
发明人：卡拉茲尼海格 , 荷茲卡安卓思
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K1/0251 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/66 , H01L24/10 , H01L2223/6616 , H01L2223/6622 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2924/00014 , H01L2924/01021 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , H05K1/0222 , H05K1/0298 , H05K1/113 , H05K2201/09536 , H05K2201/09618 , H05K2201/09627 , H05K2201/09809 , H05K2201/10674 , Y10T29/49126 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要：本發明提供一種包括貫穿連接結構(through connection)之高頻多層印刷電路板，該貫穿連接結構具有圍繞著該貫穿連接結構且能夠調整該貫穿連接結構之特性阻抗至所希望之值之阻抗調適結構。因此，可使高頻訊號經過印刷電路板而減少訊號變形。該高頻多層印刷電路板可應用於達GHz範圍之高頻訊號。
简体摘要：本发明提供一种包括贯穿连接结构(through connection)之高频多层印刷电路板，该贯穿连接结构具有围绕着该贯穿连接结构且能够调整该贯穿连接结构之特性阻抗至所希望之值之阻抗调适结构。因此，可使高频信号经过印刷电路板而减少信号变形。该高频多层印刷电路板可应用于达GHz范围之高频信号。

9. 发明专利

TWI376073B 超音波結合器（一） ULTRASCHALLBONDER 失效
简体标题：超音波结合器（一） ULTRASCHALLBONDER
公开(公告)号：TWI376073B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW096138093
申请日：2007-10-12
申请人：黑瑟&克尼普斯股份有限公司
发明人：漢斯庾根黑瑟 , 法蘭克瓦爾特
IPC分类号： H01R , B23K
CPC分类号： B23K20/004 , B23K20/10 , B23K20/26 , H01L21/67138 , H01L24/45 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/45124 , H01L2224/78 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01052 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/19042 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
摘要：一種超音波結合器，具有一結合工具、一金屬絲供應裝置、及一切割裝置；其中該結合工具、金屬絲供應裝置及切割裝置支承在一個可沿Z軸方向運動的主保持裝置上，且該結合工具、金屬絲供應裝置及切割裝置可利用該主保持裝置的一個Z軸驅動器向一基質的方向下降，且其中該超音波結合器有一特別的驅動裝置(動作器)以驅動該切割裝置，其特徵在：該切割裝置(1)受到該主保持裝置(1)利用Z軸驅動器下降的作用只會下降到一中間位置(23)，在此中間位置該切割裝置(22)設在距所要結合的金屬絲一段距離處，且該中間位置係為一個端位置，切割裝置(22)從主保持裝置(1)下降到此端位置，該驅動裝置不受主保持裝置(1)的運動影響地將該切割裝置(22)從該中間位置(23)進一步下降到一切斷位置(24)，以將該金屬絲至少部分地切斷。
简体摘要：一种超音波结合器，具有一结合工具、一金属丝供应设备、及一切割设备；其中该结合工具、金属丝供应设备及切割设备支承在一个可沿Z轴方向运动的主保持设备上，且该结合工具、金属丝供应设备及切割设备可利用该主保持设备的一个Z轴驱动器向一基质的方向下降，且其中该超音波结合器有一特别的驱动设备(动作器)以驱动该切割设备，其特征在：该切割设备(1)受到该主保持设备(1)利用Z轴驱动器下降的作用只会下降到一中间位置(23)，在此中间位置该切割设备(22)设在距所要结合的金属丝一段距离处，且该中间位置系为一个端位置，切割设备(22)从主保持设备(1)下降到此端位置，该驱动设备不受主保持设备(1)的运动影响地将该切割设备(22)从该中间位置(23)进一步下降到一切断位置(24)，以将该金属丝至少部分地切断。

10. 发明专利

TW201227878A 具備有貫穿電極之堆疊結構的半導體裝置、半導體記憶裝置、半導體記憶系統以及其操作方法 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STACKED STRUCTURE HAVING THROUGH ELECTRODE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM, AND OPERATING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：具备有贯穿电极之堆栈结构的半导体设备、半导体记忆设备、半导体记忆系统以及其操作方法 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STACKED STRUCTURE HAVING THROUGH ELECTRODE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM, AND OPERATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201227878A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100135886
申请日：2011-10-04
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：金中植 , 李東奕 , 李鎬哲 , 柳長佑
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5258 , G01K7/01 , G01K13/10 , H01L23/34 , H01L23/481 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/01019 , H01L2924/01055 , H01L2924/01068
摘要：揭露一種用於在多個半導體層間穩定地傳輸信號時使用堆疊結構的半導體裝置、記憶裝置、系統以及方法。所述裝置包含至少一第一半導體晶片及至少一基板穿孔,所述至少一第一半導體晶片包含經組態以輸出與所述第一半導體晶片相關之第一溫度資訊的第一溫度感測器電路。
简体摘要：揭露一种用于在多个半导体层间稳定地传输信号时使用堆栈结构的半导体设备、记忆设备、系统以及方法。所述设备包含至少一第一半导体芯片及至少一基板穿孔,所述至少一第一半导体芯片包含经组态以输出与所述第一半导体芯片相关之第一温度信息的第一温度传感器电路。

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