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1. 发明专利

TW200746471A 垂直共振器型發光二極體 VERTICAL RESONATOR LIGHT EMITTING DIODE 审中-公开
简体标题：垂直共振器型发光二极管 VERTICAL RESONATOR LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW200746471A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096111197
申请日：2007-03-30
申请人：同和電子科技有限公司 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：岩田雅年 IWATA, MASATOSHI , 本陵 SAKAMOTO, RYO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/105
摘要：一種使光反射側之反射層構造更簡單、在高溫側其發光輸出也不易低下的新型垂直共振器型發光二極體,該垂直共振器型發光二極體1係具有做為發光層的活性層5、以及挾持活性層5而形成的光反射側之第1反射層3與光射出側之第2反射層9,其中,第1及第2反射層3、9係具有以折射率彼此相異的半導體交互層為1對且將前述配對予以複數積層的構造;且第2反射層9之配對數量為第1反射層3之配對數量的1/10以上、1/3以下。若使第1反射層之配對數量為11對以上、41對以下,則可更提升發光輸出。
简体摘要：一种使光反射侧之反射层构造更简单、在高温侧其发光输出也不易低下的新型垂直共振器型发光二极管,该垂直共振器型发光二极管1系具有做为发光层的活性层5、以及挟持活性层5而形成的光反射侧之第1反射层3与光射出侧之第2反射层9,其中,第1及第2反射层3、9系具有以折射率彼此相异的半导体交互层为1对且将前述配对予以复数积层的构造;且第2反射层9之配对数量为第1反射层3之配对数量的1/10以上、1/3以下。若使第1反射层之配对数量为11对以上、41对以下,则可更提升发光输出。

2. 发明专利

TW200805710A 面發光元件审中-公开
简体标题：面发光组件
公开(公告)号：TW200805710A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096111334
申请日：2007-03-30
申请人：同和電子科技有限公司 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD
发明人： 本陵 SAKAMOTO, RYO , 岩田雅年 IWATA, MASATOSHI
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/105
摘要：本發明之課題在於提供一種,生產性較高,發光輸出及響應特性較佳,且可抑制發光所需隻順向電壓的上昇之面發光元件。本發明之解決手段為一種,具備交互層積有量子井層51及阻障層52之活性層5;及各自配置於活性層5的上方及下方之反射層之垂直共振型的面發光元件,其特徵為:於以多數層量子井層51的中心間距離為L,以面發光元件的發光波長為��,以成為反射層間的距離之共振器的光學長度的平均折射率為n時,係滿足��/(15�n)≦L≦��/(10�n)之關係。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种,生产性较高,发光输出及响应特性较佳,且可抑制发光所需只顺向电压的上升之面发光组件。本发明之解决手段为一种,具备交互层积有量子井层51及阻障层52之活性层5;及各自配置于活性层5的上方及下方之反射层之垂直共振型的面发光组件,其特征为:于以多数层量子井层51的中心间距离为L,以面发光组件的发光波长为��,以成为反射层间的距离之共振器的光学长度的平均折射率为n时,系满足��/(15�n)≦L≦��/(10�n)之关系。

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