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1. 发明专利

TWI529969B 發光二極體封裝結構有权
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TWI529969B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW102132858
申请日：2013-09-11
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：吳宗澤 , WU, TSUNG TSE , 吳協展 , WU, SIE JHAN , 蘇柏仁 , SU, PO JEN , 廖冠詠 , LIAO, KUAN YUNG , 許國君 , SHEU, GWO JIUN
IPC分类号： H01L33/48

2. 发明专利

TWI528579B 發光二極體元件有权
简体标题：发光二极管组件
公开(公告)号：TWI528579B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW101113822
申请日：2012-04-18
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：賴彥霖 , LAI, YEN LIN , 王信介 , WANG, SHEN JIE , 李玉柱 , LEE, YU CHU , 吳俊德 , WU, CHUN TE , 林京亮 , LIN, CHING LIANG , 廖冠詠 , LIAO, KUAN YUNG
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/20 , H01L2933/0091

3. 发明专利

TW201345003A 發光角度收斂之圖案化基材及發光二極體元件审中-公开
简体标题：发光角度收敛之图案化基材及发光二极管组件
公开(公告)号：TW201345003A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101114574
申请日：2012-04-24
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：廖冠詠 , LIAO, KUAN YUNG , 楊玉蓮 , YANG, YU LIEN , 賴彥霖 , LAI, YEN LIN
IPC分类号： H01L33/60
CPC分类号： F21K9/50 , H01L33/02 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01L33/32 , H01L33/58 , H01L2933/0091
摘要：本發明係有關於一種發光角度收斂之圖案化基材及發光二極體元件，其中的圖案化基材係於基板之表面設有複數個封閉之幾何形狀區域，而幾何形狀區域係由至少三個條狀體所圍設形成；藉此，透過基板表面之非平整性來提供反射光線的效果，使光線以１００～１１０度射出發光二極體元件，具有較佳之指向性，並有效提升以此圖案化基材製作之發光二極體元件其出光效率。　　
简体摘要：本发明系有关于一种发光角度收敛之图案化基材及发光二极管组件，其中的图案化基材系于基板之表面设有复数个封闭之几何形状区域，而几何形状区域系由至少三个条状体所围设形成；借此，透过基板表面之非平整性来提供反射光线的效果，使光线以１００～１１０度射出发光二极管组件，具有较佳之指向性，并有效提升以此图案化基材制作之发光二极管组件其出光效率。

4. 发明专利

TW201344948A 發光二極體元件审中-公开
简体标题：发光二极管组件
公开(公告)号：TW201344948A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101113822
申请日：2012-04-18
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：賴彥霖 , LAI, YEN LIN , 王信介 , WANG, SHEN JIE , 李玉柱 , LEE, YU CHU , 吳俊德 , WU, CHUN TE , 林京亮 , LIN, CHING LIANG , 廖冠詠 , LIAO, KUAN YUNG
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/20 , H01L2933/0091
摘要：一種發光二極體元件，包括一磊晶基板、至少一鈍化結構、至少一空洞、一半導體層、一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層。鈍化結構配置於磊晶基板上且具有一外表面。空洞位於鈍化結構上，且至少覆蓋50%之鈍化結構的外表面。半導體層配置於磊晶基板上，且將鈍化結構與空洞包覆於其內。第一型摻雜半導體層配置於半導體層上。發光層配置於第一型摻雜半導體層上。第二型摻雜半導體層配置於發光層上。
简体摘要：一种发光二极管组件，包括一磊晶基板、至少一钝化结构、至少一空洞、一半导体层、一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层。钝化结构配置于磊晶基板上且具有一外表面。空洞位于钝化结构上，且至少覆盖50%之钝化结构的外表面。半导体层配置于磊晶基板上，且将钝化结构与空洞包覆于其内。第一型掺杂半导体层配置于半导体层上。发光层配置于第一型掺杂半导体层上。第二型掺杂半导体层配置于发光层上。

5. 发明专利

TW201338207A 半導體發光元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201338207A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101108663
申请日：2012-03-14
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：杜昇翰 , TU, SHENG HAN , 許國君 , SHEU, GWO JIUN , 蔡勝傑 , TSAI, SHENG CHIEH , 廖冠詠 , LIAO, KUAN YUNG , 李允立 , LI, YUN LI
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/10
摘要：一種半導體發光元件及其製作方法，其中半導體發光元件包括一基板、一第一態摻雜半導體層、一發光層、一第二態摻雜半導體層以及一光學微結構層。第一態摻雜半導體層配置於基板上，包括一基底部與一平台部，該基底部具有一上表面，且平台部配置於基底部之上表面上。發光層配置於第一態摻雜半導體層上。第二態摻雜半導體層配置於發光層上。光學微結構層嵌埋於第一態摻雜半導體層中。
简体摘要：一种半导体发光组件及其制作方法，其中半导体发光组件包括一基板、一第一态掺杂半导体层、一发光层、一第二态掺杂半导体层以及一光学微结构层。第一态掺杂半导体层配置于基板上，包括一基底部与一平台部，该基底部具有一上表面，且平台部配置于基底部之上表面上。发光层配置于第一态掺杂半导体层上。第二态掺杂半导体层配置于发光层上。光学微结构层嵌埋于第一态掺杂半导体层中。

6. 发明专利

TWI533478B 覆晶式發光二極體封裝結構有权
简体标题：覆晶式发光二极管封装结构
公开(公告)号：TWI533478B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW102136992
申请日：2013-10-14
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：黃靖恩 , HUANG, JING EN , 丁紹瀅 , TING, SHAO YING , 吳志凌 , WU, CHIH LING , 廖冠詠 , LIAO, KUAN YUNG , 黃逸儒 , HUANG, YI RU , 羅玉雲 , LO, YU YUN
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/505 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L33/58

7. 发明专利

TW201522860A 照明裝置审中-公开
简体标题：照明设备
公开(公告)号：TW201522860A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW102145907
申请日：2013-12-12
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：吳宗澤 , WU, TSUNG TSE , 許國君 , SHEU, GWO JIUN , 廖冠詠 , LIAO, KUAN YUNG , 呂文傑 , LU, WEN JIE
IPC分类号： F21V5/04 , F21Y101/02
摘要：一種照明裝置，包括一基座、一發光元件、一聚光透鏡以及一出光透鏡。發光元件配置於基座上且適於發出一光束。聚光透鏡配置於光束的傳遞路徑上，且具有一第一入光面、一第一出光面以及一連接第一入光面與第一出光面的反射面。光束的一第一部分光束會通過第一入光面傳遞至反射面且經由反射面反射而穿透第一出光面。光束的一第二部分光束會經由第一入光面折射至第一出光面且穿透第一出光面。穿透第一出光面的第一部分光束與第二部分光束聚焦至一焦點。出光透鏡配置於聚光透鏡相對遠離發光元件的一側。
简体摘要：一种照明设备，包括一基座、一发光组件、一聚光透镜以及一出光透镜。发光组件配置于基座上且适于发出一光束。聚光透镜配置于光束的传递路径上，且具有一第一入光面、一第一出光面以及一连接第一入光面与第一出光面的反射面。光束的一第一部分光束会通过第一入光面传递至反射面且经由反射面反射而穿透第一出光面。光束的一第二部分光束会经由第一入光面折射至第一出光面且穿透第一出光面。穿透第一出光面的第一部分光束与第二部分光束聚焦至一焦点。出光透镜配置于聚光透镜相对远离发光组件的一侧。

8. 发明专利

TWI570967B 圖案化基材以及半導體元件有权
简体标题：图案化基材以及半导体组件
公开(公告)号：TWI570967B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104133476
申请日：2012-04-24
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：廖冠詠 , LIAO, KUAN YUNG , 楊玉蓮 , YANG, YU LIEN , 賴彥霖 , LAI, YEN LIN
IPC分类号： H01L33/60

9. 发明专利

TWI520383B 發光二極體封裝結構有权
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TWI520383B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW102136989
申请日：2013-10-14
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：黃靖恩 , HUANG, JING EN , 丁紹瀅 , TING, SHAO YING , 廖冠詠 , LIAO, KUAN YUNG , 吳志凌 , WU, CHIH LING , 黃逸儒 , HUANG, YI RU , 羅玉雲 , LO, YU YUN
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/60

10. 发明专利

TWI484663B 半導體發光元件及其製作方法有权
简体标题：半导体发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI484663B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW101108663
申请日：2012-03-14
申请人：新世紀光電股份有限公司 , GENESIS PHOTONICS INC.
发明人：杜昇翰 , TU, SHENG HAN , 許國君 , SHEU, GWO JIUN , 蔡勝傑 , TSAI, SHENG CHIEH , 廖冠詠 , LIAO, KUAN YUNG , 李允立 , LI, YUN LI
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/10

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