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1. 发明专利

TW201248826A 靜電放電分流電路 ELECTROSTATIC DISCHARGE SHUNTING CIRCUIT 审中-公开
简体标题：静电放电分流电路 ELECTROSTATIC DISCHARGE SHUNTING CIRCUIT
公开(公告)号：TW201248826A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101112673
申请日：2012-04-10
申请人：美國佛羅里達中央大學研究基金會
发明人：崔強 , 劉俊傑
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/812 , H01L27/0248 , H01L29/7787 , H01L29/8128 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種積體靜電放電(ESD)分流電路,其包含:一III-V族半導體層;及具有一第一閘極之一第一無汲極高電子遷移率電晶體(HEMT)或金屬-半導體FET(MESFET)與具有一第二閘極之至少一第二無汲極HEMT或MESFET,其等形成於基板中。該等HEMT或MESFET包含該半導體層上之一施體層、無汲極及包含該施體層上之一歐姆接觸層之源極。
简体摘要：本发明揭示一种积体静电放电(ESD)分流电路,其包含:一III-V族半导体层;及具有一第一闸极之一第一无汲极高电子迁移率晶体管(HEMT)或金属-半导体FET(MESFET)与具有一第二闸极之至少一第二无汲极HEMT或MESFET,其等形成于基板中。该等HEMT或MESFET包含该半导体层上之一施体层、无汲极及包含该施体层上之一欧姆接触层之源极。

2. 发明专利

TW492198B 碳化矽金屬半導體場效電晶體及製作碳化矽金屬半導體場效電晶體之方法有权
简体标题：碳化硅金属半导体场效应管及制作碳化硅金属半导体场效应管之方法
公开(公告)号：TW492198B
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：TW090102637
申请日：2001-02-07
申请人：克立公司
发明人：史考特T 亞倫 , 約翰W 帕摩爾 , 泰倫斯S 艾柯恩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/8128 , H01L21/7605 , H01L29/1608 , H01L29/47 , H01L29/66068 , H01L29/66856 , H01L29/812
摘要：揭示碳化矽金屬半導體場效電晶體，其使用一半絕緣碳化矽基材，基材大致上無深位準的摻雜物。半絕緣基材的使用可減少金屬半導體場效電晶體的反閘控效應。亦提供碳化矽金屬半導體場效電晶體，其具有二凹部閘極結構。亦提供金屬半導體場效電晶體，其具有選擇性摻雜的p型緩衝層。比起具有傳統p型緩衝層的碳化矽金屬半導體場效電晶體，此緩衝層的使用可減少因子為3的輸出電導，及增加3分貝的功率增益。一接地接觸件也可提供至p型緩衝層，且p型緩衝層可由二P型替製成，p型層具有形成於基材上而摻雜濃度較高的層。依據本發明之實施例的碳化矽金屬半導體場效電晶體也可使用鉻做為蕭特基閘極材料。此外，氧化物-氮化物-氧化物(ONO)鈍化層可用於減少碳化矽金屬半導體場效電晶體的表面效應。而且，源極與汲極歐姆接觸件可直接形成於n型通道層上，於是，不需製作n+區域，且可自製作過程除去與此製作有關的步驟。亦揭示此碳化矽金屬半導體場效電晶體與用於碳化矽場效電晶體之閘極結構以及鈍化層之製作方法。
简体摘要：揭示碳化硅金属半导体场效应管，其使用一半绝缘碳化硅基材，基材大致上无深位准的掺杂物。半绝缘基材的使用可减少金属半导体场效应管的反闸控效应。亦提供碳化硅金属半导体场效应管，其具有二凹部闸极结构。亦提供金属半导体场效应管，其具有选择性掺杂的p型缓冲层。比起具有传统p型缓冲层的碳化硅金属半导体场效应管，此缓冲层的使用可减少因子为3的输出电导，及增加3分贝的功率增益。一接地接触件也可提供至p型缓冲层，且p型缓冲层可由二P型替制成，p型层具有形成于基材上而掺杂浓度较高的层。依据本发明之实施例的碳化硅金属半导体场效应管也可使用铬做为萧特基闸极材料。此外，氧化物-氮化物-氧化物(ONO)钝化层可用于减少碳化硅金属半导体场效应管的表面效应。而且，源极与汲极欧姆接触件可直接形成于n型信道层上，于是，不需制作n+区域，且可自制作过程除去与此制作有关的步骤。亦揭示此碳化硅金属半导体场效应管与用于碳化硅场效应管之闸极结构以及钝化层之制作方法。

3. 发明专利

TWI518866B 靜電放電分流電路有权
简体标题：静电放电分流电路
公开(公告)号：TWI518866B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW101112673
申请日：2012-04-10
申请人：美國佛羅里達中央大學研究基金會 , UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.
发明人：崔強 , CUI, QIANG , 劉俊傑 , LIOU, JUIN JEI
IPC分类号： H01L23/60
CPC分类号： H01L29/812 , H01L27/0248 , H01L29/7787 , H01L29/8128 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TWI329927B 金屬半導體場效電晶體之單位單元及其製造方法 UNIT CELL OF A METAL-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME 有权
简体标题：金属半导体场效应管之单位单元及其制造方法 UNIT CELL OF A METAL-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TWI329927B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：TW092126490
申请日：2003-09-25
申请人：克立公司
发明人：賽普薩席史瑞雷姆
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66856 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/66068 , H01L29/812 , H01L29/8128
摘要：本發明提供一種金屬半導體場效電晶體(MESFET)之單位單元，MESFET之單位單元包括一源極、一汲極及一閘極，閘極設置於源極與汲極之間且在一n型導電率通道層上。一p型導電率區提供於源極下方且具有一端延伸趨近於汲極，p型導電率區係間隔於n型導電率通道層且電耦合於源極。
简体摘要：本发明提供一种金属半导体场效应管(MESFET)之单位单元，MESFET之单位单元包括一源极、一汲极及一闸极，闸极设置于源极与汲极之间且在一n型导电率信道层上。一p型导电率区提供于源极下方且具有一端延伸趋近于汲极，p型导电率区系间隔于n型导电率信道层且电耦合于源极。

5. 发明专利

TW201801312A 場效電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TW201801312A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105132514
申请日：2016-10-07
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：中本隆博 , NAKAMOTO, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/338 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/28264 , H01L21/28587 , H01L21/30612 , H01L21/3247 , H01L29/205 , H01L29/401 , H01L29/42316 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/475 , H01L29/495 , H01L29/66462 , H01L29/66871 , H01L29/812 , H01L29/8128
摘要：本發明係關於場效電晶體及其製造方法，關於適於高頻帶中使用的場效電晶體及其製造方法，以得到可以提高脈衝特性的場效電晶體為目的。根據本發明的場效電晶體，包括半導體層，具有溝；絕緣膜，配置在上述半導體層的上面，在上述溝的上面具有開口；以及閘極電極，連接上述溝的側面及底面，埋入上述開口中，在上述開口的兩側具有與上述絕緣膜的上面相接的部分；上述閘極電極，具有比起在上述絕緣膜的上面的寬度，在另一方端部的寬度較寬的T字型的剖面形狀。
简体摘要：本发明系关于场效应管及其制造方法，关于适于高频带中使用的场效应管及其制造方法，以得到可以提高脉冲特性的场效应管为目的。根据本发明的场效应管，包括半导体层，具有沟；绝缘膜，配置在上述半导体层的上面，在上述沟的上面具有开口；以及闸极电极，连接上述沟的侧面及底面，埋入上述开口中，在上述开口的两侧具有与上述绝缘膜的上面相接的部分；上述闸极电极，具有比起在上述绝缘膜的上面的宽度，在另一方端部的宽度较宽的T字体的剖面形状。

6. 发明专利

TW201248921A 半導體積層體及其製造方法以及半導體元件（一）审中-公开
简体标题：半导体积层体及其制造方法以及半导体组件（一）
公开(公告)号：TW201248921A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101112271
申请日：2012-04-06
申请人：田村製作所股份有限公司 , 光波股份有限公司
发明人：佐藤慎九郎 , 倉又朗人 , 森島嘉克 , 飯塚和幸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/2003 , C23C16/0218 , C23C16/0227 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L29/267 , H01L29/7371 , H01L29/7788 , H01L29/7789 , H01L29/7827 , H01L29/8122 , H01L29/8128 , H01L29/872 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要：本發明的問題在於提供一種在厚度方向上的電阻較低之半導體積層體及其製造方法,並提供含有該半導體積層體之半導體元件。為了解決上述問題,本發明提供一種半導體積層體1,其含有:以氧被配置成六邊形格子狀之面作為主面的Ga2O3基板2、Ga2O3基板2上的AlN緩衝層3、及AlN緩衝層3上的氮化物半導體層4。
简体摘要：本发明的问题在于提供一种在厚度方向上的电阻较低之半导体积层体及其制造方法,并提供含有该半导体积层体之半导体组件。为了解决上述问题,本发明提供一种半导体积层体1,其含有:以氧被配置成六边形格子状之面作为主面的Ga2O3基板2、Ga2O3基板2上的AlN缓冲层3、及AlN缓冲层3上的氮化物半导体层4。

7. 发明专利

TW201101481A 基板、附薄膜之基板、半導體裝置、及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：基板、附薄膜之基板、半导体设备、及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201101481A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099111299
申请日：2010-04-12
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：原田真 , 佐佐木信 , 增田健良
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7802 , B24B7/17 , B24B7/228 , B24B37/08 , B24B37/10 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02529 , H01L21/0465 , H01L29/02 , H01L29/045 , H01L29/063 , H01L29/0657 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7813 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L29/812 , H01L29/8122 , H01L29/8128 , H01L29/8611 , H01L29/872
摘要：本發明可獲得一種抑制因基板之彎曲所引起之半導體裝置之加工精度劣化的基板、附薄膜之基板及使用上述基板所形成之半導體裝置、以及上述半導體裝置之製造方法。本發明之基板(1)係主表面(1a)之直徑為2英吋以上,主表面(1a)之彎曲之値為-40��m以上-5��m以下,主表面(1a)之捲曲之値為5��m以上40��m以下。較佳為基板(1)之主表面(1a)之表面粗糙度Ra之値為1nm以下,主表面(1b)之表面粗糙度Ra之値為100nm以下。
简体摘要：本发明可获得一种抑制因基板之弯曲所引起之半导体设备之加工精度劣化的基板、附薄膜之基板及使用上述基板所形成之半导体设备、以及上述半导体设备之制造方法。本发明之基板(1)系主表面(1a)之直径为2英吋以上,主表面(1a)之弯曲之値为-40��m以上-5��m以下,主表面(1a)之卷曲之値为5��m以上40��m以下。较佳为基板(1)之主表面(1a)之表面粗糙度Ra之値为1nm以下,主表面(1b)之表面粗糙度Ra之値为100nm以下。

8. 发明专利

TW578305B 三角狀摻雜碳化矽金屬半導體場效電晶體及製造具有一閘極置放於一雙重凹陷結構內之三角狀摻雜碳化矽金屬半導體場效電晶體之方法有权
简体标题：三角状掺杂碳化硅金属半导体场效应管及制造具有一闸极置放于一双重凹陷结构内之三角状掺杂碳化硅金属半导体场效应管之方法
公开(公告)号：TW578305B
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW091124508
申请日：2002-10-23
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：莎普薩瑞希史瑞姆 SAPTHARISHI SRIRAM
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/8128 , H01L29/242 , H01L29/365
摘要：本發明揭示提供一種金屬半導體場效電晶體(MESFET)之單元胞。金屬半導體場效電晶體之單元胞包括具有一源極、一汲極及一閘極之三角形摻雜碳化矽金屬半導體場效電晶體。閘極係位於源極與汲極之間，且延伸入一第一導電係數型之摻雜通道層。碳化矽區鄰近源極與汲極且分別在源極與閘極以及汲極與閘極間延伸。碳化矽區具有之載子濃度大於摻雜通道層之載子濃度且由閘極隔開。
简体摘要：本发明揭示提供一种金属半导体场效应管(MESFET)之单元胞。金属半导体场效应管之单元胞包括具有一源极、一汲极及一闸极之三角形掺杂碳化硅金属半导体场效应管。闸极系位于源极与汲极之间，且延伸入一第一导电系数型之掺杂信道层。碳化硅区邻近源极与汲极且分别在源极与闸极以及汲极与闸极间延伸。碳化硅区具有之载子浓度大于掺杂信道层之载子浓度且由闸极隔开。

9. 发明专利

TWI358829B 具有耦接到基板的汲極之金屬半導體場效電晶體及其製造方法 METAL-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS (MESFETS) HAVING DRAINS COUPLED TO THE SUBSTRATE AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：具有耦接到基板的汲极之金属半导体场效应管及其制造方法 METAL-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS (MESFETS) HAVING DRAINS COUPLED TO THE SUBSTRATE AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI358829B
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：TW094118222
申请日：2005-06-02
申请人：克立公司
发明人：沙塞利西西藍 , 史考特亞倫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66848 , H01L29/1075 , H01L29/1608 , H01L29/4175 , H01L29/8128
摘要：本發明提供一種金屬半導體場效電晶體(MESFET)之單位晶胞。該MESFET之單位晶胞包括一具有一源極區域、一汲極區域及一閘極觸點之MESFET。該閘極觸點係設置於該源極區域與該汲極區域之間。該汲極區域係經由一通至該基板之接觸通孔電耦接至該基板。本文亦揭示製造MESFETs之相關方法。
简体摘要：本发明提供一种金属半导体场效应管(MESFET)之单位晶胞。该MESFET之单位晶胞包括一具有一源极区域、一汲极区域及一闸极触点之MESFET。该闸极触点系设置于该源极区域与该汲极区域之间。该汲极区域系经由一通至该基板之接触通孔电耦接至该基板。本文亦揭示制造MESFETs之相关方法。

10. 发明专利

TW200614509A 具有耦接到基板的汲極之金屬半導體場效電晶體及其製造方法 METAL-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS (MESFETS) HAVING DRAINS COUPLED TO THE SUBSTRATE AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：具有耦接到基板的汲极之金属半导体场效应管及其制造方法 METAL-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS (MESFETS) HAVING DRAINS COUPLED TO THE SUBSTRATE AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200614509A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094118222
申请日：2005-06-02
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：沙塞利西西藍 SRIRAM, SAPTHARISHI , 史考特亞倫 ALLEN, SCOTT
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66848 , H01L29/1075 , H01L29/1608 , H01L29/4175 , H01L29/8128
摘要：本發明提供一種金屬半導體場效電晶體(MESFET)之單位晶胞。該MESFET之單位晶胞包括一具有一源極區域、一汲極區域及一閘極觸點之MESFET。該閘極觸點係設置於該源極區域與該汲極區域之間。該汲極區域係經由一通至該基板之接觸通孔電耦接至該基板。本文亦揭示製造MESFETs之相關方法。
简体摘要：本发明提供一种金属半导体场效应管(MESFET)之单位晶胞。该MESFET之单位晶胞包括一具有一源极区域、一汲极区域及一闸极触点之MESFET。该闸极触点系设置于该源极区域与该汲极区域之间。该汲极区域系经由一通至该基板之接触通孔电耦接至该基板。本文亦揭示制造MESFETs之相关方法。

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