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1. 发明专利

TW200907496A 用於具有垂直內部反射器之背光單元之裝置及方法 APPARATUS AND METHODS FOR BACKLIGHT UNIT WITH VERTICAL INTERIOR REFLECTORS 审中-公开
简体标题：用于具有垂直内部反射器之背光单元之设备及方法 APPARATUS AND METHODS FOR BACKLIGHT UNIT WITH VERTICAL INTERIOR REFLECTORS
公开(公告)号：TW200907496A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097108900
申请日：2008-03-13
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：約翰K 羅勃茲 ROBERTS, JOHN K. , 謙華游 YOU, CHENHUA
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/133603 , G02F1/133605 , G02F1/133611
摘要：本發明提供固態背光器件及用於形成該器件之方法。一根據本發明之一些實施例之固態背光單元包含一殼體,其具有一主表面及在該主表面之第一表面上之多個LED。該固態背光單元亦包含一鏡面反射器,其接近該主表面之該第一表面且基本上係以垂直於該主表面之第一表面定向。
简体摘要：本发明提供固态背光器件及用于形成该器件之方法。一根据本发明之一些实施例之固态背光单元包含一壳体,其具有一主表面及在该主表面之第一表面上之多个LED。该固态背光单元亦包含一镜面反射器,其接近该主表面之该第一表面且基本上系以垂直于该主表面之第一表面定向。

2. 外观设计

TWD122777S 發光二極體照明燈管 LED LIGHTING TILES 有权
简体标题：发光二极管照明灯管 LED LIGHTING TILES
公开(公告)号：TWD122777S
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW096301294
申请日：2007-03-07
申请人：克立公司 CREE, INC.
设计人：約翰K 羅勃茲 ROBERTS, JOHN K. , 保羅E 席姆斯 SIMS, PAUL E. , 謙華游 YOU, CHENHUA
摘要：【物品用途】本創作係關於一種發光二極體照明燈管，其可選擇性地與其他的發光二極體照明燈管互連。該(等)發光二極體照明燈管一般係使用在照明應用中，例如包括諸如LCD顯示器之顯示器背光照明，以及一般的照明用途。【創作特點】本創作係關於一種發光二極體照明燈管，其具有複數個緊密相隔之跡線之電路跡線圖案，該等跡線係共同延伸在一大致呈長方形薄狀本體之主要表面上。在該發光二極體燈管之主要表面的每一長邊上，該等緊密相隔的跡線具有大致平行延伸一段距離的部分，然後併入至聚歛在一起而靠近複數個隔開之發光二極體接點區域之每一側邊的部分中。在該發光二極體燈管之主要表面之一長邊上的接點區域係相對於在該發光二極體燈管之另一長邊上之發光二極體接點區域而錯開。該等發光二極體接點區域可大致呈圓形。如某些圖式所示，該發光二極體燈管可包括設置在各別發光二極體接點區域上之一大致呈球狀的透射構件。
简体摘要：【物品用途】本创作系关于一种发光二极管照明灯管，其可选择性地与其他的发光二极管照明灯管互连。该(等)发光二极管照明灯管一般系使用在照明应用中，例如包括诸如LCD显示器之显示器背光照明，以及一般的照明用途。【创作特点】本创作系关于一种发光二极管照明灯管，其具有复数个紧密相隔之迹线之电路迹线图案，该等迹线系共同延伸在一大致呈长方形薄状本体之主要表面上。在该发光二极管灯管之主要表面的每一长边上，该等紧密相隔的迹线具有大致平行延伸一段距离的部分，然后并入至聚敛在一起而靠近复数个隔开之发光二极管接点区域之每一侧边的部分中。在该发光二极管灯管之主要表面之一长边上的接点区域系相对于在该发光二极管灯管之另一长边上之发光二极管接点区域而错开。该等发光二极管接点区域可大致呈圆形。如某些图式所示，该发光二极管灯管可包括设置在各别发光二极管接点区域上之一大致呈球状的透射构件。

3. 发明专利

TW200805717A 有效發光之發光二極體封裝及有效發光方法 EFFICIENT EMITTING LED PACKAGE AND METHOD FOR EFFICIENTLY EMITTING LIGHT 审中-公开
简体标题：有效发光之发光二极管封装及有效发光方法 EFFICIENT EMITTING LED PACKAGE AND METHOD FOR EFFICIENTLY EMITTING LIGHT
公开(公告)号：TW200805717A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096119146
申请日：2007-05-29
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：艾瑞克塔莎 TARSA, ERIC , 柏恩凱勒 KELLER, BERND , 麥可梁 LEUNG, MICHAEL , 詹姆斯艾柏森 IBBETSON, JAMES
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/507 , F21K9/60 , F21K9/64 , F21V7/0008 , F21V7/0033 , F21V7/22 , F21V13/04 , F21V29/773 , F21Y2115/10 , H01L33/60
摘要：本發明提供一種發光二極體(LED)封裝,其包含一用於發射LED光之LED及一遠離於該LED之用於降頻變換LED光之波長之變換材料。該封裝進一步包含一朝向該變換材料導引該LED光中之至少一些的反射器,該變換材料降頻變換該經反射之LED光中之至少一些的波長。本發明提供一種用於自一LED封裝發光之方法,其包含提供一LED、反射器及變換材料,及自該LED發光,該LED光中之至少一些經朝向該反射器發射。該方法進一步包含朝向該變換材料反射該LED光中之至少一些,及在該變換材料處變換該經反射之LED光中之至少一些。該經變換的經反射之LED光中之至少一些由該LED封裝發射。
简体摘要：本发明提供一种发光二极管(LED)封装,其包含一用于发射LED光之LED及一远离于该LED之用于降频变换LED光之波长之变换材料。该封装进一步包含一朝向该变换材料导引该LED光中之至少一些的反射器,该变换材料降频变换该经反射之LED光中之至少一些的波长。本发明提供一种用于自一LED封装发光之方法,其包含提供一LED、反射器及变换材料,及自该LED发光,该LED光中之至少一些经朝向该反射器发射。该方法进一步包含朝向该变换材料反射该LED光中之至少一些,及在该变换材料处变换该经反射之LED光中之至少一些。该经变换的经反射之LED光中之至少一些由该LED封装发射。

4. 发明专利

TW200735414A 電源燈之封裝 POWER LAMP PACKAGE 审中-公开
简体标题：电源灯之封装 POWER LAMP PACKAGE
公开(公告)号：TW200735414A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095120386
申请日：2006-06-08
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：麥可梁 LEUNG, MICHAEL , 詹姆斯艾柏森 IBBETSON, JAMES
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：藉由射出成形一反射器至一基板之一表面上或藉由獨立於該基板模製該反射器且藉由變形該反射器之一部分而緊固該反射器於該基板之適當位置來達成在並無黏著劑的情況下組裝一半導體晶粒封裝之該基板與反射器組件。可藉由使用一光散射材料模製該反射器或藉由添加一緊固至該反射器之諸如一箔材料塊之反射元件而將該反射器製成反射性的。可製造具有不同表面形狀之多種可互換反射元件,且因此獲得不同光反射特性。
简体摘要：借由射出成形一反射器至一基板之一表面上或借由独立于该基板模制该反射器且借由变形该反射器之一部分而紧固该反射器于该基板之适当位置来达成在并无黏着剂的情况下组装一半导体晶粒封装之该基板与反射器组件。可借由使用一光散射材料模制该反射器或借由添加一紧固至该反射器之诸如一箔材料块之反射组件而将该反射器制成反射性的。可制造具有不同表面形状之多种可互换反射组件,且因此获得不同光反射特性。

5. 发明专利

TW200735347A 具有抑制少數載體射入之碳化矽接合障礙蕭特基二極體 SILICON CARBIDE JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODES WITH SUPPRESSED MINORITY CARRIER INJECTION 审中-公开
简体标题：具有抑制少数载体射入之碳化硅接合障碍萧特基二极管 SILICON CARBIDE JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODES WITH SUPPRESSED MINORITY CARRIER INJECTION
公开(公告)号：TW200735347A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095116669
申请日：2006-05-10
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：柳世衡 RYU, SEI-HYUNG , 安那K 阿加娃 AGARWAL, ANANT K.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/6606 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/872
摘要：本發明提供阻斷一接合障礙蕭特基(JBS)結構中之內建PiN二極體之電流傳導的整體結構。一蕭特基二極體可串聯併入PiN二極體,其中該蕭特基二極體與PiN二極體方向相反。一串聯電阻或絕緣層可提供於PiN二極體與一蕭特基接觸之間。本發明亦提供碳化矽蕭特基二極體及製造碳化矽蕭特基二極體之方法,該等碳化矽蕭特基二極體包括一安置於該二極體之一漂移區域中之碳化矽接合障礙區域。該接合障礙區域包括:一第一碳化矽區域,其在該二極體之該漂移區域中具有一第一摻雜濃度;及一第二碳化矽區域,其位於該漂移區域中且安置於該第一碳化矽區域與蕭特基二極體之蕭特基接觸之間。該第二區域與該第一碳化矽區域及該蕭特基接觸接觸。該第二碳化矽區域具有一小於該第一摻雜濃度之第二摻雜濃度。
简体摘要：本发明提供阻断一接合障碍萧特基(JBS)结构中之内置PiN二极管之电流传导的整体结构。一萧特基二极管可串联并入PiN二极管,其中该萧特基二极管与PiN二极管方向相反。一串联电阻或绝缘层可提供于PiN二极管与一萧特基接触之间。本发明亦提供碳化硅萧特基二极管及制造碳化硅萧特基二极管之方法,该等碳化硅萧特基二极管包括一安置于该二极管之一漂移区域中之碳化硅接合障碍区域。该接合障碍区域包括:一第一碳化硅区域,其在该二极管之该漂移区域中具有一第一掺杂浓度;及一第二碳化硅区域,其位于该漂移区域中且安置于该第一碳化硅区域与萧特基二极管之萧特基接触之间。该第二区域与该第一碳化硅区域及该萧特基接触接触。该第二碳化硅区域具有一小于该第一掺杂浓度之第二掺杂浓度。

6. 发明专利

TW200731575A 固態發光單元及其形成方法 SOLID STATE LIGHTING UNITS AND METHODS OF FORMING SOLID STATE LIGHTING UNITS 审中-公开
简体标题：固态发光单元及其形成方法 SOLID STATE LIGHTING UNITS AND METHODS OF FORMING SOLID STATE LIGHTING UNITS
公开(公告)号：TW200731575A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095142942
申请日：2006-11-20
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：約翰K 羅勃茲 ROBERTS, JOHN K, , 保羅E 席姆斯 SIMS, PAUL E. , 謙華游 YOU, CHENHUA
IPC分类号： G09F , H01L
CPC分类号： H05B33/0803 , F21K9/00 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , G02F1/133603 , G02F2001/133613 , G09F9/35 , H01L2224/49175 , H01L2224/8592 , H05B33/0821 , H05K1/142 , H05K1/181 , H05K3/0058 , Y10S362/80
摘要：本發明提供一種固態發光單元,其包括複數個固態發光方塊,該等方塊包括一平坦表面及該平坦表面上之複數個固態光源。該發光單元包括複數個桿體支撐構件。該等桿體支撐構件之各別者包括附加於其上之該複數個方塊之至少兩者以形成各別桿體總成,且一桿體總成之該等固態發光方塊上之該等固態光源之各別者經電串聯連接以使得在對其施加一電壓便被同時激發。本發明亦揭示形成一固態發光單元之方法。
简体摘要：本发明提供一种固态发光单元,其包括复数个固态发光方块,该等方块包括一平坦表面及该平坦表面上之复数个固态光源。该发光单元包括复数个杆体支撑构件。该等杆体支撑构件之各别者包括附加于其上之该复数个方块之至少两者以形成各别杆体总成,且一杆体总成之该等固态发光方块上之该等固态光源之各别者经电串联连接以使得在对其施加一电压便被同时激发。本发明亦揭示形成一固态发光单元之方法。

7. 发明专利

TW200717652A 處理上面具有碳化矽粉末裝置之半導體晶圓之方法 METHODS OF PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFERS HAVING SILICON CARBIDE POWER DEVICES THEREON 审中-公开
简体标题：处理上面具有碳化硅粉末设备之半导体晶圆之方法 METHODS OF PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFERS HAVING SILICON CARBIDE POWER DEVICES THEREON
公开(公告)号：TW200717652A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095134392
申请日：2006-09-15
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：艾南特阿加瓦 AGARWAL, ANANT , 柳世衡 RYU, SEI-HYUNG , 麥特當諾斐歐 DONOFRIO, MATT
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L21/268 , H01L29/6606 , Y10S438/931
摘要：本發明揭示一種形成碳化矽半導體裝置的方法。該等方法包括在一具有第一厚度之碳化矽基板的第一表面處形成一半導體裝置,及將一載體基板安裝至該碳化矽基板之該第一表面。該載體基板提供對該碳化矽基板之機械支撐。該等方法進一步包括使得該碳化矽基板之厚度變薄至小於該第一厚度,在與該碳化矽基板之該第一表面相對的該變薄碳化矽基板上形成一金屬層,及局部退火該金屬層而在與該碳化矽基板之該第一表面相對的該變薄碳化矽基板上形成歐姆接觸。單一化該碳化矽基板以提供一單一化半導體裝置。
简体摘要：本发明揭示一种形成碳化硅半导体设备的方法。该等方法包括在一具有第一厚度之碳化硅基板的第一表面处形成一半导体设备,及将一载体基板安装至该碳化硅基板之该第一表面。该载体基板提供对该碳化硅基板之机械支撑。该等方法进一步包括使得该碳化硅基板之厚度变薄至小于该第一厚度,在与该碳化硅基板之该第一表面相对的该变薄碳化硅基板上形成一金属层,及局部退火该金属层而在与该碳化硅基板之该第一表面相对的该变薄碳化硅基板上形成欧姆接触。单一化该碳化硅基板以提供一单一化半导体设备。

8. 发明专利

TW200707545A 以不含氫之經濺鍍氮化物鈍化以寬能帶間隙為主之半導體裝置 PASSIVATION OF WIDE BAND-GAP BASED SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HYDROGEN-FREE SPUTTERED NITRIDES 审中-公开
简体标题：以不含氢之经溅镀氮化物钝化以宽能带间隙为主之半导体设备 PASSIVATION OF WIDE BAND-GAP BASED SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HYDROGEN-FREE SPUTTERED NITRIDES
公开(公告)号：TW200707545A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095123557
申请日：2006-06-29
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：梭坦林 RING, ZOLTAN , 賀蒙哈葛奈 HAGLEITNER, HELMUT , 傑森派崔克哈尼 HENNING, JASON PATRICK , 安德魯麥肯齊 MACKENZIE, ANDREW , 史考特T 亞倫 ALLEN, SCOTT T. , 史考特湯瑪斯雪帕 SHEPPARD, SCOTT THOMAS , 里察彼得史密斯 SMITH, RICHARD PETER , 莎普薩瑞希史瑞姆 SRIRAM, SAPTHARISHI , 艾倫 (NMN) 華德三世 WARD, ALLAN (NMN), III
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/045 , H01L21/3145 , H01L21/318 , H01L21/3185 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/24
摘要：本發明揭示一種經鈍化之半導體結構及相關方法。該結構包括:一碳化矽基板或層;一位於該碳化矽基板上之氧化層,用於降低該碳化矽基板與該熱氧化層之間的界面密度;一位於該熱氧化層上之第一經濺鍍之非化學計量氮化矽層,用於降低寄生電容並使裝置截留最小化;一位於該第一層上之第二經濺鍍之非化學計量氮化矽層,用於自基板進一步安置隨後之鈍化層,但不封裝該結構;一位於該第二經濺鍍層上之經濺鍍之化學計量氮化矽層,用於封裝該結構並增强該等鈍化層之阻氫性;及一位於該封裝物層上之化學計量氮化矽之經化學氣相沈積之環境障壁層,用於階梯覆蓋及防止破裂。
简体摘要：本发明揭示一种经钝化之半导体结构及相关方法。该结构包括:一碳化硅基板或层;一位于该碳化硅基板上之氧化层,用于降低该碳化硅基板与该热氧化层之间的界面密度;一位于该热氧化层上之第一经溅镀之非化学计量氮化硅层,用于降低寄生电容并使设备截留最小化;一位于该第一层上之第二经溅镀之非化学计量氮化硅层,用于自基板进一步安置随后之钝化层,但不封装该结构;一位于该第二经溅镀层上之经溅镀之化学计量氮化硅层,用于封装该结构并增强该等钝化层之阻氢性;及一位于该封装物层上之化学计量氮化硅之经化学气相沉积之环境障壁层,用于阶梯覆盖及防止破裂。

9. 发明专利

TW200701493A 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置 CHIP-SCALE METHODS FOR PACKAGING LIGHT EMITTING DEVICES AND CHIP-SCALE PACKAGED LIGHT EMITTING DEVICES 审中-公开
简体标题：封装发光设备之芯片尺度方法及经芯片尺度封装之发光设备 CHIP-SCALE METHODS FOR PACKAGING LIGHT EMITTING DEVICES AND CHIP-SCALE PACKAGED LIGHT EMITTING DEVICES
公开(公告)号：TW200701493A
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW094122504
申请日：2005-07-01
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：詹姆士艾柏森 IBBETSON, JAMES , 柏德凱勒 KELLER, BERND , 普米特帕雷克 PARIKH, PRIMIT
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L33/483 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：一種封裝發光裝置包括:一載體基板,其具有一頂表面與一底表面;第一及第二傳導性通孔,係從該基板之頂表面延伸至該基板之底表面;及一接合墊塊,其設於該基板之頂表面上且電接觸於該第一傳導性通孔。一具有第一及第二電極之二極體係安裝於該接合墊塊上,且該第一電極係電接觸於該接合墊塊。一鈍化層形成於該二極體上,以將該二極體之第二電極曝露。一傳導性跡線形成於該載體基板之頂表面上,且電接觸於該第二傳導性通孔與該第二電極。該傳導性跡線設於該鈍化層上且延伸通過該鈍化層以接觸該第二電極。一種將發光裝置封裝之方法包括:提供一磊晶圓,其包括一生長基板及一設於該生長基板上之取向附生結構;將一載體基板接合於該磊晶圓之取向附生結構;形成複數個穿過該載體基板之傳導性通孔;將複數個隔離二極體界定於該取向附生結構內;及將至少一該傳導性通孔電連接於該等複數個隔離二極體之各者。
简体摘要：一种封装发光设备包括:一载体基板,其具有一顶表面与一底表面;第一及第二传导性通孔,系从该基板之顶表面延伸至该基板之底表面;及一接合垫块,其设于该基板之顶表面上且电接触于该第一传导性通孔。一具有第一及第二电极之二极管系安装于该接合垫块上,且该第一电极系电接触于该接合垫块。一钝化层形成于该二极管上,以将该二极管之第二电极曝露。一传导性迹线形成于该载体基板之顶表面上,且电接触于该第二传导性通孔与该第二电极。该传导性迹线设于该钝化层上且延伸通过该钝化层以接触该第二电极。一种将发光设备封装之方法包括:提供一磊晶圆,其包括一生长基板及一设于该生长基板上之取向附生结构;将一载体基板接合于该磊晶圆之取向附生结构;形成复数个穿过该载体基板之传导性通孔;将复数个隔离二极管界定于该取向附生结构内;及将至少一该传导性通孔电连接于该等复数个隔离二极管之各者。

10. 发明专利

TW200700596A 低基部面插排整體生長的碳化矽晶圓 LOW BASAL PLANE DISLOCATION BULK GROWN SIC WAFERS 审中-公开
简体标题：低基部面插排整体生长的碳化硅晶圆 LOW BASAL PLANE DISLOCATION BULK GROWN SIC WAFERS
公开(公告)号：TW200700596A
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW095112542
申请日：2006-04-07
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：亞德恩保威 POWELL, ADRIAN , 馬克布蘭迪 BRADY, MARK , 維瑞F 茲維科 TSVETKOV, VALERI F.
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B33/00 , C30B23/00 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L29/66068
摘要：本發明揭示一種高品質碳化矽單晶圓。該晶圓具有至少約3吋(75 mm)之直徑及至少一連續平方吋(6.25 cm^2)之表面積,對於一4度離軸晶圓而言,該表面積具有小於約500 cm^–2之基部面差排體密度。
简体摘要：本发明揭示一种高品质碳化硅单晶圆。该晶圆具有至少约3吋(75 mm)之直径及至少一连续平方吋(6.25 cm^2)之表面积,对于一4度离轴晶圆而言,该表面积具有小于约500 cm^–2之基部面差排体密度。

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