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1. 发明专利

TW492198B 碳化矽金屬半導體場效電晶體及製作碳化矽金屬半導體場效電晶體之方法有权
简体标题：碳化硅金属半导体场效应管及制作碳化硅金属半导体场效应管之方法
公开(公告)号：TW492198B
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：TW090102637
申请日：2001-02-07
申请人：克立公司
发明人：史考特T 亞倫 , 約翰W 帕摩爾 , 泰倫斯S 艾柯恩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/8128 , H01L21/7605 , H01L29/1608 , H01L29/47 , H01L29/66068 , H01L29/66856 , H01L29/812
摘要：揭示碳化矽金屬半導體場效電晶體，其使用一半絕緣碳化矽基材，基材大致上無深位準的摻雜物。半絕緣基材的使用可減少金屬半導體場效電晶體的反閘控效應。亦提供碳化矽金屬半導體場效電晶體，其具有二凹部閘極結構。亦提供金屬半導體場效電晶體，其具有選擇性摻雜的p型緩衝層。比起具有傳統p型緩衝層的碳化矽金屬半導體場效電晶體，此緩衝層的使用可減少因子為3的輸出電導，及增加3分貝的功率增益。一接地接觸件也可提供至p型緩衝層，且p型緩衝層可由二P型替製成，p型層具有形成於基材上而摻雜濃度較高的層。依據本發明之實施例的碳化矽金屬半導體場效電晶體也可使用鉻做為蕭特基閘極材料。此外，氧化物-氮化物-氧化物(ONO)鈍化層可用於減少碳化矽金屬半導體場效電晶體的表面效應。而且，源極與汲極歐姆接觸件可直接形成於n型通道層上，於是，不需製作n+區域，且可自製作過程除去與此製作有關的步驟。亦揭示此碳化矽金屬半導體場效電晶體與用於碳化矽場效電晶體之閘極結構以及鈍化層之製作方法。
简体摘要：揭示碳化硅金属半导体场效应管，其使用一半绝缘碳化硅基材，基材大致上无深位准的掺杂物。半绝缘基材的使用可减少金属半导体场效应管的反闸控效应。亦提供碳化硅金属半导体场效应管，其具有二凹部闸极结构。亦提供金属半导体场效应管，其具有选择性掺杂的p型缓冲层。比起具有传统p型缓冲层的碳化硅金属半导体场效应管，此缓冲层的使用可减少因子为3的输出电导，及增加3分贝的功率增益。一接地接触件也可提供至p型缓冲层，且p型缓冲层可由二P型替制成，p型层具有形成于基材上而掺杂浓度较高的层。依据本发明之实施例的碳化硅金属半导体场效应管也可使用铬做为萧特基闸极材料。此外，氧化物-氮化物-氧化物(ONO)钝化层可用于减少碳化硅金属半导体场效应管的表面效应。而且，源极与汲极欧姆接触件可直接形成于n型信道层上，于是，不需制作n+区域，且可自制作过程除去与此制作有关的步骤。亦揭示此碳化硅金属半导体场效应管与用于碳化硅场效应管之闸极结构以及钝化层之制作方法。

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