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1. 发明专利

TWI559528B 三極體有权
简体标题：三极管
公开(公告)号：TWI559528B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW102135238
申请日：2013-09-30
申请人：天鈺科技股份有限公司 , FITIPOWER INTEGRATED TECHNOLOGY, INC.
发明人：鄭志男 , CHENG, CHIH NAN
IPC分类号： H01L29/70 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/0607 , H01L29/7302 , H01L29/747

2. 发明专利

TW201234564A 用於瞬間電性過壓保護之設備及方法 APPARATUS AND METHOD FOR TRANSIENT ELECTRICAL OVERSTRESS PROTECTION 审中-公开
简体标题：用于瞬间电性过压保护之设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR TRANSIENT ELECTRICAL OVERSTRESS PROTECTION
公开(公告)号：TW201234564A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100106172
申请日：2011-02-24
申请人：美國亞德諾半導體公司
发明人：薩爾賽多賈維爾A , 史威蘭卡爾
IPC分类号： H01L , H02H
CPC分类号： H01L29/747 , H01L27/0262 , H01L29/66386
摘要：本發明揭示一種設備與方法,用於高電壓瞬間電性過壓保護。在一實施例中,該設備包括:一內部電路,電性連接於一第一節點與一第二節點之間;以及一保護電路,電性連接於該第一節點與該第二節點之間。將該保護電路組態以便在當啓動時,保護該內部電路以防止瞬間電性過壓事件,同時維持相對高之維持電壓。此電洞或電子加强導電保護電路包括:一雙向雙極裝置,其具有一射極/集極、一基極以及一集極/射極;一第一雙極電晶體,其具有一射極電性耦接至該第一節點、一基極電性耦接至該雙極裝置之該射極/集極,以及一集極電性耦接至該雙極電晶體之該基極;以及一第二雙極電晶體,其具有一射極電性耦接至該第二節點、一基極電性耦接至該雙極裝置之該集極/射極,以及一集極電性耦接至該雙極電晶體之該基極。
简体摘要：本发明揭示一种设备与方法,用于高电压瞬间电性过压保护。在一实施例中,该设备包括:一内部电路,电性连接于一第一节点与一第二节点之间;以及一保护电路,电性连接于该第一节点与该第二节点之间。将该保护电路组态以便在当启动时,保护该内部电路以防止瞬间电性过压事件,同时维持相对高之维持电压。此电洞或电子加强导电保护电路包括:一双向双极设备,其具有一射极/集极、一基极以及一集极/射极;一第一双极晶体管,其具有一射极电性耦接至该第一节点、一基极电性耦接至该双极设备之该射极/集极,以及一集极电性耦接至该双极晶体管之该基极;以及一第二双极晶体管,其具有一射极电性耦接至该第二节点、一基极电性耦接至该双极设备之该集极/射极,以及一集极电性耦接至该双极晶体管之该基极。

3. 发明专利

TWI594424B 半導體裝置及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI594424B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105129638
申请日：2016-09-12
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：柴田行裕 , SHIBATA, YUKIHIRO , 井上征 , INOUE, TADASHI
IPC分类号： H01L29/747 , H01L29/74 , H01L21/332
CPC分类号： H01L29/7428 , H01L29/66386 , H01L29/74 , H01L29/747

4. 发明专利

TWI559450B 記憶體結構及其操作方法有权
简体标题：内存结构及其操作方法
公开(公告)号：TWI559450B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW103114245
申请日：2014-04-18
申请人：力晶科技股份有限公司 , POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃振浩 , HUANG, CHEN HAO , 林展慶 , LIN, CHAN CHING , 黃漢屏 , HWANG, HANN PING , 陳俊丞 , CHEN, CHUN CHENG , 黃宗彬 , HUANG, TZUNG BIN
IPC分类号： H01L21/8239 , G11C11/56
CPC分类号： H01L29/7404 , G11C11/39 , H01L27/226 , H01L29/747 , H01L43/08

5. 发明专利

TW201513338A 三極體审中-公开
简体标题：三极管
公开(公告)号：TW201513338A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW102135238
申请日：2013-09-30
申请人：天鈺科技股份有限公司 , FITIPOWER INTEGRATED TECHNOLOGY, INC.
发明人：鄭志男 , CHENG, CHIH NAN
IPC分类号： H01L29/70 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/0607 , H01L29/7302 , H01L29/747
摘要：一種三極體。該三極體包括第一類型基底、一第二類型阱區、一第一類型輕摻雜區域、一第二類型高摻雜區域以及一第一類型高摻雜區域。該第一類型高摻雜區域、第二類型高摻雜區域、第一類型輕摻雜區域、第二類型阱區及第一類型基底依次層疊設置。該第一類型輕摻區域為該三極體之集極區域。該第二類型高摻雜區域為該三極體之基極區域。該第一類型高摻雜區域為該三極體之射極區域。該第二類型阱區與該第二類型高摻雜區域之間形成一導電通道。
简体摘要：一种三极管。该三极管包括第一类型基底、一第二类型阱区、一第一类型轻掺杂区域、一第二类型高掺杂区域以及一第一类型高掺杂区域。该第一类型高掺杂区域、第二类型高掺杂区域、第一类型轻掺杂区域、第二类型阱区及第一类型基底依次层叠设置。该第一类型轻掺区域为该三极管之集极区域。该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域。该第一类型高掺杂区域为该三极管之射极区域。该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域之间形成一导电信道。

6. 发明专利

TWI343119B 對稱式雙向矽控整流器有权
简体标题：对称式双向硅控整流器
公开(公告)号：TWI343119B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW096127914
申请日：2007-07-31
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：曾當貴 , 莊哲豪 , 姜信欽 , 柯明道
IPC分类号： H01L , H05F
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/747 , H01L29/87
摘要：本發明提供一種對稱式雙向矽控整流器，其包含有一基板；一位於基板上的第一埋入層，其為第一導電型，其上依序併排有一為第二導電型之第一井、第一導電型之一中間區域與一第二導電型之第二井；位於第一井內具有第一導電型之一第一半導體區與一第二導電型之第二半導體區；位於第一井與中間區域接合面上有第二導電型之第三半導體區，其與第二半導體區間之上設有一第一閘極結構；第二井內具有第一導電型之第四半導體區與第二導電型之第五半導體區；位於第二井與中間區域接合面上的第六半導體區，其與第五半導體區間之上設有一第二閘極結構。第一半導體區、第二半導體區與第一閘極結構接於此矽控整流器之陽極，第四半導體區、第五半導體區與第二閘極結構接於此矽控整流器之陰極。本發明之對稱式雙向矽控整流器除具有面積小與高靜電防護力之優勢外，更利用增設嵌入式電晶體結構，來調整觸發電壓與留持電壓。
简体摘要：本发明提供一种对称式双向硅控整流器，其包含有一基板；一位于基板上的第一埋入层，其为第一导电型，其上依序并排有一为第二导电型之第一井、第一导电型之一中间区域与一第二导电型之第二井；位于第一井内具有第一导电型之一第一半导体区与一第二导电型之第二半导体区；位于第一井与中间区域接合面上有第二导电型之第三半导体区，其与第二半导体区间之上设有一第一闸极结构；第二井内具有第一导电型之第四半导体区与第二导电型之第五半导体区；位于第二井与中间区域接合面上的第六半导体区，其与第五半导体区间之上设有一第二闸极结构。第一半导体区、第二半导体区与第一闸极结构接于此硅控整流器之阳极，第四半导体区、第五半导体区与第二闸极结构接于此硅控整流器之阴极。本发明之对称式双向硅控整流器除具有面积小与高静电防护力之优势外，更利用增设嵌入式晶体管结构，来调整触发电压与留持电压。

7. 发明专利

TW200643884A 二端保護電路 TWO-TERMINAL PROTECTING CIRCUIT 审中-公开
简体标题：二端保护电路 TWO-TERMINAL PROTECTING CIRCUIT
公开(公告)号：TW200643884A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW094131145
申请日：2005-09-09
申请人：富微科技股份有限公司 ADD MICROTECH CORP.
发明人：江永欣 CHIANG, YUNG-HSIN , 羅來華 LUO, LAI-HUA
IPC分类号： G09G
CPC分类号： H05B33/089 , H01L27/0248 , H01L29/747 , H05B33/083 , H05B37/036 , Y02B20/341
摘要：一種提供逆向電流路徑和開路保護的積體電路，其中包含一負載，一觸發電路，以及一分流電路。該積體電路提供具串聯結構之大尺寸發光二極體顯示器逆向電流路徑和開路保護。當靜電放電或負載極性逆接發生時，該積體電路的分流電路會將發光二極體顯示器的逆向電流分流，並且在一發光二極體毀壞時提供另一電流路徑，使其它仍可運作的發光二極體可以繼續發光。
简体摘要：一种提供逆向电流路径和开路保护的集成电路，其中包含一负载，一触发电路，以及一分流电路。该集成电路提供具串联结构之大尺寸发光二极管显示器逆向电流路径和开路保护。当静电放电或负载极性逆接发生时，该集成电路的分流电路会将发光二极管显示器的逆向电流分流，并且在一发光二极管毁坏时提供另一电流路径，使其它仍可运作的发光二极管可以继续发光。

8. 发明专利

TWI381526B 雙向ＰＮＰＮ矽控整流器有权
简体标题：双向ＰＮＰＮ硅控整流器
公开(公告)号：TWI381526B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW097117513
申请日：2008-05-13
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：陳穩義 , CHEN, WEN YI , 姜信欽 , RYAN HSIN-CHIN JIANG , 柯明道 , KER, MING DOU
IPC分类号： H01L29/747
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/747 , H01L29/87

9. 发明专利

TW201242007A 微機電系統裝置及製造微機電系統裝置之方法 MICRO-ELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICES AND METHODS OF MAKING MICRO-ELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICES 审中-公开
简体标题：微机电系统设备及制造微机电系统设备之方法 MICRO-ELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICES AND METHODS OF MAKING MICRO-ELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICES
公开(公告)号：TW201242007A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW101104793
申请日：2012-02-14
申请人：奇奧尼公司
发明人：亞當斯史考特G , 明尼克安德魯J , 布萊克摩爾查理斯W , 布里南肯尼斯D , 迪佛伊莫利K
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B81B3/0008 , B81B2201/0235 , B81B2207/07 , G01P15/0802 , H01H59/0009 , H01L29/747 , H01L29/87
摘要：一種微機電系統(MEMS)裝置包含一基板、一第一樑、一第二樑及一第三樑。該第一樑包含由一隔離接頭而分離之第一部分及第二部分。該第一部分及該第二部分各者包括一半導體及一第一介電層。一導電跡線係機械地耦合至該第一樑且電耦合至該第二部分之半導體但是並不耦合至該第一部分之半導體。該第二樑包含一第二介電層。該第一樑、該第二樑及該第三樑中之各者之輪廓係藉由一乾式蝕刻而形成。一空穴使該基板之一表面與該第一樑、該第二樑及該第三樑分離。該空穴係藉由一乾式蝕刻形成。該第一樑、該第二樑及該第三樑中之各者之一側壁上實質上無介電層配置/形成(disposed),且該介電層已藉由一氣相蝕刻而移除。
简体摘要：一种微机电系统(MEMS)设备包含一基板、一第一梁、一第二梁及一第三梁。该第一梁包含由一隔离接头而分离之第一部分及第二部分。该第一部分及该第二部分各者包括一半导体及一第一介电层。一导电迹线系机械地耦合至该第一梁且电耦合至该第二部分之半导体但是并不耦合至该第一部分之半导体。该第二梁包含一第二介电层。该第一梁、该第二梁及该第三梁中之各者之轮廓系借由一干式蚀刻而形成。一空穴使该基板之一表面与该第一梁、该第二梁及该第三梁分离。该空穴系借由一干式蚀刻形成。该第一梁、该第二梁及该第三梁中之各者之一侧壁上实质上无介电层配置/形成(disposed),且该介电层已借由一气相蚀刻而移除。

10. 发明专利

TW200905860A 對稱式雙向矽控整流器审中-公开
简体标题：对称式双向硅控整流器
公开(公告)号：TW200905860A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW096127914
申请日：2007-07-31
申请人：晶焱科技股份有限公司 AMAZING MICROELECTROING CORP
发明人：曾當貴 , 莊哲豪 , 姜信欽 , 柯明道
IPC分类号： H01L , H05F
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/747 , H01L29/87
摘要：本發明提供一種對稱式雙向矽控整流器,其包含有一基板;一位於基板上的第一埋入層,其為第一導電型,其上依序併排有一為第二導電型之第一井、第一導電型之一中間區域與一第二導電型之第二井;位於第一井內具有第一導電型之一第一半導體區與一第二導電型之第二半導體區;位於第一井與中間區域接合面上有第二導電型之第三半導體區,其與第二半導體區間之上設有一第一閘極結構;第二井內具有第一導電型之第四半導體區與第二導電型之第五半導體區;位於第二井與中間區域接合面上的第六半導體區,其與第五半導體區間之上設有一第二閘極結構。第一半導體區、第二半導體區與第一閘極結構接於此矽控整流器之陽極,第四半導體區、第五半導體區與第二閘極結構接於此矽控整流器之陰極。本發明之對稱式雙向矽控整流器除具有面積小與高靜電防護力之優勢外,更利用增設嵌入式電晶體結構,來調整觸發電壓與留持電壓。
简体摘要：本发明提供一种对称式双向硅控整流器,其包含有一基板;一位于基板上的第一埋入层,其为第一导电型,其上依序并排有一为第二导电型之第一井、第一导电型之一中间区域与一第二导电型之第二井;位于第一井内具有第一导电型之一第一半导体区与一第二导电型之第二半导体区;位于第一井与中间区域接合面上有第二导电型之第三半导体区,其与第二半导体区间之上设有一第一闸极结构;第二井内具有第一导电型之第四半导体区与第二导电型之第五半导体区;位于第二井与中间区域接合面上的第六半导体区,其与第五半导体区间之上设有一第二闸极结构。第一半导体区、第二半导体区与第一闸极结构接于此硅控整流器之阳极,第四半导体区、第五半导体区与第二闸极结构接于此硅控整流器之阴极。本发明之对称式双向硅控整流器除具有面积小与高静电防护力之优势外,更利用增设嵌入式晶体管结构,来调整触发电压与留持电压。

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