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1. 发明专利

TW201635386A 半導體磊晶晶圓的製造方法及固體攝像元件的製造方法审中-公开
简体标题：半导体磊晶晶圆的制造方法及固体摄像组件的制造方法
公开(公告)号：TW201635386A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104142895
申请日：2015-12-21
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：廣瀬諒 , HIROSE, RYO , 奥山亮輔 , OKUYAMA, RYOSUKE , 栗田一成 , KURITA, KAZUNARI
IPC分类号： H01L21/332 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L27/146
CPC分类号： H01L21/26566 , H01L21/02005 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02447 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/26513 , H01L21/3221 , H01L21/324 , H01L27/1464 , H01L27/14687
摘要：本發明提供一種具有更高的吸除能力的半導體磊晶晶圓的製造方法。本發明的半導體磊晶晶圓100的製造方法包含：第1步驟，對半導體晶圓10的表面10A照射簇離子12，於該半導體晶圓的表面部形成固溶有所述簇離子的構成元素的改質層14；第2步驟，於所述半導體晶圓的改質層14上形成磊晶層18；所述半導體磊晶晶圓的製造方法的特徵在於：所述第1步驟是在將所述半導體晶圓10的溫度保持為低於25℃的狀態下進行。
简体摘要：本发明提供一种具有更高的吸除能力的半导体磊晶晶圆的制造方法。本发明的半导体磊晶晶圆100的制造方法包含：第1步骤，对半导体晶圆10的表面10A照射簇离子12，于该半导体晶圆的表面部形成固溶有所述簇离子的构成元素的改质层14；第2步骤，于所述半导体晶圆的改质层14上形成磊晶层18；所述半导体磊晶晶圆的制造方法的特征在于：所述第1步骤是在将所述半导体晶圆10的温度保持为低于25℃的状态下进行。

2. 发明专利

TW201721864A 半導體裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201721864A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105129638
申请日：2016-09-12
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：柴田行裕 , SHIBATA, YUKIHIRO , 井上征 , INOUE, TADASHI
IPC分类号： H01L29/747 , H01L29/74 , H01L21/332
CPC分类号： H01L29/7428 , H01L29/66386 , H01L29/74 , H01L29/747
摘要：一種半導體裝置，係具備：第一閘流體，其從半導體基板的第一面側對第二面依順序地接合有第一導電型的第一區域、第二導電型的第二區域、第一導電型的第三區域及第二導電型的第四區域，且使電流從第一電極流動至第二電極；第二閘流體，其從第二面側對第一面依順序地接合有第三區域、第二區域、第一區域及第二導電型的第五區域，且使電流從第二電極流動至第一電極；第二導電型的第六區域，其內含於第一區域中並與第一面相接，且與第五區域分離所形成；閘極電極，其形成於第一區域及第六區域；第一導電型的第七區域，其內含於第一區域中並與第一面相接，且與第六區域分離所形成，並且雜質濃度比第一區域還高；以及第一導電型的第八區域，其與第三區域的第二面側及第四區域相接，且與第二面相接所形成，而雜質濃度比第三區域還高。
简体摘要：一种半导体设备，系具备：第一晶闸管，其从半导体基板的第一面侧对第二面依顺序地接合有第一导电型的第一区域、第二导电型的第二区域、第一导电型的第三区域及第二导电型的第四区域，且使电流从第一电极流动至第二电极；第二晶闸管，其从第二面侧对第一面依顺序地接合有第三区域、第二区域、第一区域及第二导电型的第五区域，且使电流从第二电极流动至第一电极；第二导电型的第六区域，其内含于第一区域中并与第一面相接，且与第五区域分离所形成；闸极电极，其形成于第一区域及第六区域；第一导电型的第七区域，其内含于第一区域中并与第一面相接，且与第六区域分离所形成，并且杂质浓度比第一区域还高；以及第一导电型的第八区域，其与第三区域的第二面侧及第四区域相接，且与第二面相接所形成，而杂质浓度比第三区域还高。

3. 发明专利

TWI447906B 半導體結構及其製作方法有权
简体标题：半导体结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI447906B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW101113705
申请日：2012-04-18
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：洪誌臨 , HUNG, CHIH LING , 朱建文 , CHU, CHIEN WEN , 陳信良 , CHEN, HSIN LIANG , 陳永初 , CHAN, WING CHOR
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/332

4. 发明专利

TWI390725B 半導體裝置及製造半導體裝置的方法失效
简体标题：半导体设备及制造半导体设备的方法
公开(公告)号：TWI390725B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW097149489
申请日：2008-12-18
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：生田哲也 , IKUTA, TETSUYA
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/332
CPC分类号： H01L29/7455 , H01L29/66363

5. 发明专利

TW201842584A 基底處理方法及通過所述基底處理方法製造的半導體器件审中-公开
简体标题：基底处理方法及通过所述基底处理方法制造的半导体器件
公开(公告)号：TW201842584A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107112773
申请日：2018-04-13
申请人：荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：柳太熙 , YOO, TAE HEE , 閔允基 , MIN, YOON KI , 劉龍珉 , YOO, YONG MIN
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/20 , H01L21/332 , H01L21/768 , H01L27/105
摘要：本發明提供一種基底處理方法及通過所述基底處理方法製造的半導體器件，所述基底處理方法可防止在具有臺階式結構的垂直與非器件中選擇性地沉積接地焊盤的製程中沉積在每一臺階上的接地焊盤的厚度不均勻，其包括：將包括絕緣層與犧牲層的堆疊結構堆疊多次；及對所述堆疊結構進行蝕刻以形成臺階式結構，所述臺階式結構具有上表面、下表面及連接所述上表面與下表面的側表面。所述方法亦包括在所述臺階式結構上形成阻擋層；在所述阻擋層上形成罩幕層；通過利用第一蝕刻溶液對所述罩幕層的至少一部分進行蝕刻來暴露出所述阻擋層的至少一部分；及利用第二蝕刻溶液對被暴露出的所述阻擋層進行蝕刻；所述方法還包括利用第三蝕刻溶液對所述罩幕層進行蝕刻。
简体摘要：本发明提供一种基底处理方法及通过所述基底处理方法制造的半导体器件，所述基底处理方法可防止在具有台阶式结构的垂直与非器件中选择性地沉积接地焊盘的制程中沉积在每一台阶上的接地焊盘的厚度不均匀，其包括：将包括绝缘层与牺牲层的堆栈结构堆栈多次；及对所述堆栈结构进行蚀刻以形成台阶式结构，所述台阶式结构具有上表面、下表面及连接所述上表面与下表面的侧表面。所述方法亦包括在所述台阶式结构上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成罩幕层；通过利用第一蚀刻溶液对所述罩幕层的至少一部分进行蚀刻来暴露出所述阻挡层的至少一部分；及利用第二蚀刻溶液对被暴露出的所述阻挡层进行蚀刻；所述方法还包括利用第三蚀刻溶液对所述罩幕层进行蚀刻。

6. 发明专利

TWI475689B 閘流體元件及其製造方法有权
简体标题：晶闸管组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI475689B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW101116019
申请日：2012-05-04
申请人：敦南科技股份有限公司 , LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：張潘德 , CHANG, PAN TE , 劉文忠 , LIU, WEN CHUNG
IPC分类号： H01L29/747 , H01L21/332

7. 发明专利

TWI471941B 閘流體、程式化閘流體之方法及形成閘流體之方法有权
简体标题：晶闸管、进程化晶闸管之方法及形成晶闸管之方法
公开(公告)号：TWI471941B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW101107759
申请日：2012-03-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：奈馬帝菲力德 , NEMATI, FARID , 羅賓斯史考特T , ROBINS, SCOTT T. , 吉普塔雷賈席N , GUPTA, RAJESH N.
IPC分类号： H01L21/332 , H01L29/74
CPC分类号： G11C11/39 , H01L21/28008 , H01L21/30604 , H01L21/76224 , H01L27/0817 , H01L27/1027 , H01L29/7455 , H01L29/749

8. 发明专利

TW201347175A 閘流體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：晶闸管组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201347175A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW101116019
申请日：2012-05-04
申请人：敦南科技股份有限公司 , LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：張潘德 , CHANG, PAN TE , 劉文忠 , LIU, WEN CHUNG
IPC分类号： H01L29/747 , H01L21/332
摘要：一種閘流體元件，包括一基底區、一對第一摻雜區、至少一第二摻雜區、至少一第三摻雜區以及一對金屬層。這對第一摻雜區分別形成於基底區的二側，並接觸基底區。第二摻雜區形成在其中一個第一摻雜區與基底區之間，並接觸基底區與第一摻雜區。第三摻雜區形成於其中一個第一摻雜區中，並接觸第一摻雜區。第一摻雜區的摻雜類型不同於第二摻雜區、第三摻雜區以及基底區三者的摻雜類型。這對金屬層分別接觸這些第一摻雜區，而這些第一摻雜區與第三摻雜區皆位在這些金屬層之間。
简体摘要：一种晶闸管组件，包括一基底区、一对第一掺杂区、至少一第二掺杂区、至少一第三掺杂区以及一对金属层。这对第一掺杂区分别形成于基底区的二侧，并接触基底区。第二掺杂区形成在其中一个第一掺杂区与基底区之间，并接触基底区与第一掺杂区。第三掺杂区形成于其中一个第一掺杂区中，并接触第一掺杂区。第一掺杂区的掺杂类型不同于第二掺杂区、第三掺杂区以及基底区三者的掺杂类型。这对金属层分别接触这些第一掺杂区，而这些第一掺杂区与第三掺杂区皆位在这些金属层之间。

9. 发明专利

TWI675404B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI675404B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW103143311
申请日：2014-12-11
申请人：豐田自動車股份有限公司 , TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
发明人：岩崎真也 , IWASAKI, SHINYA , 亀山悟 , KAMEYAMA, SATORU
IPC分类号： H01L21/26 , H01L21/28 , H01L21/332 , H01L29/739 , H01L29/78

10. 发明专利

TWI611482B 半導體磊晶晶圓的製造方法及固體攝像元件的製造方法有权
简体标题：半导体磊晶晶圆的制造方法及固体摄像组件的制造方法
公开(公告)号：TWI611482B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW104142895
申请日：2015-12-21
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：廣瀬諒 , HIROSE, RYO , 奥山亮輔 , OKUYAMA, RYOSUKE , 栗田一成 , KURITA, KAZUNARI
IPC分类号： H01L21/332 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L27/146
CPC分类号： H01L21/26566 , H01L21/02005 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02447 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/26513 , H01L21/3221 , H01L21/324 , H01L27/1464 , H01L27/14687

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