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1. 发明专利

TWI541976B 三維積體電路封裝有权
简体标题：三维集成电路封装
公开(公告)号：TWI541976B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW102147441
申请日：2013-12-20
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：柯明道 , KER, MING DOU , 莊哲豪 , CHUANG, CHE HAO
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/60 , H01L23/66 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/16 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227

2. 发明专利

TWI362103B 非對稱式雙向矽控整流器有权
简体标题：非对称式双向硅控整流器
公开(公告)号：TWI362103B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：TW096127913
申请日：2007-07-31
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：曾當貴 , 莊哲豪 , 姜信欽 , 柯明道
IPC分类号： H01L , H02H
CPC分类号： H01L29/747 , H01L27/0262 , H01L29/87
摘要：本發明提供一種非對稱式雙向矽控整流器，其包含有一具第二導電型之基板；一位於基板上之未摻雜磊晶層，其為第一導電型；皆位於磊晶層內且以部分未摻雜磊晶層作為間隔的第一井與第二井，第一井與第二井係皆為第二導電型；位於第一井與基板接面上的第一埋入層；位於第二井與基板接面上的第二埋入層；在第一井內的第一半導體區域及第二半導體區域，第一半導體區域與第二半導體區域為相反的導電型；在第二井內的第三半導體區域及第四半導體區域，第三半導體區域與第四半導體區域為相反的導電型；此第一、二半導體區域接於矽控整流器之陽極端，第三、四半導體區域接於矽控整流器之陰極端。本發明之非對稱式矽控整流器具有單位面積可承受最大的能量外，更可調定增設觸發點與增設的閘極結構，來調整觸發電壓與留持電壓。
简体摘要：本发明提供一种非对称式双向硅控整流器，其包含有一具第二导电型之基板；一位于基板上之未掺杂磊晶层，其为第一导电型；皆位于磊晶层内且以部分未掺杂磊晶层作为间隔的第一井与第二井，第一井与第二井系皆为第二导电型；位于第一井与基板接面上的第一埋入层；位于第二井与基板接面上的第二埋入层；在第一井内的第一半导体区域及第二半导体区域，第一半导体区域与第二半导体区域为相反的导电型；在第二井内的第三半导体区域及第四半导体区域，第三半导体区域与第四半导体区域为相反的导电型；此第一、二半导体区域接于硅控整流器之阳极端，第三、四半导体区域接于硅控整流器之阴极端。本发明之非对称式硅控整流器具有单位面积可承受最大的能量外，更可调定增设触发点与增设的闸极结构，来调整触发电压与留持电压。

3. 发明专利

TW200950330A 用以保護差動輸入／輸出對的靜電放電保護電路 ESD PROTECTION CIRCUIT FOR DIFFERENTIAL I/O PAIR 审中-公开
简体标题：用以保护差动输入／输出对的静电放电保护电路 ESD PROTECTION CIRCUIT FOR DIFFERENTIAL I/O PAIR
公开(公告)号：TW200950330A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW097139404
申请日：2008-10-14
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：柯明道 , 蕭淵文 , 姜信欽
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H01L27/0251 , H03F1/523 , H03F3/45183
摘要：本發明提供一種用以保護差動輸入/輸出對的靜電放電保護電路。此靜電放電保護電路包含一靜電放電偵測電路、一放電裝置以及四個二極體。第一二極體係耦合在第一輸入/輸出接腳和放電裝置之間並順向朝向放電裝置；第二二極體係耦合在第二輸入/輸出接腳和放電裝置之間並順向朝向第二輸入/輸出接腳。第三二極體耦合在放電裝置和正向電源線之間並順向朝向正向電源線。第四二極體耦合在放電裝置和負向電源線之間並順向朝向放電裝置。透過一輸出端，靜電放電偵測電路在一靜電放電發生時觸發放電裝置。
简体摘要：本发明提供一种用以保护差动输入/输出对的静电放电保护电路。此静电放电保护电路包含一静电放电侦测电路、一放电设备以及四个二极管。第一二极管系耦合在第一输入/输出接脚和放电设备之间并顺向朝向放电设备；第二二极管系耦合在第二输入/输出接脚和放电设备之间并顺向朝向第二输入/输出接脚。第三二极管耦合在放电设备和正向电源线之间并顺向朝向正向电源线。第四二极管耦合在放电设备和负向电源线之间并顺向朝向放电设备。透过一输出端，静电放电侦测电路在一静电放电发生时触发放电设备。

4. 发明专利

TW200941721A 雙向ＰＮＰＮ矽控整流器审中-公开
简体标题：双向ＰＮＰＮ硅控整流器
公开(公告)号：TW200941721A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097117513
申请日：2008-05-13
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：陳穩義 , 姜信欽 , 柯明道
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/747 , H01L29/87
摘要：本發明提供一種雙向PNPN矽控整流器，其包含有一P型基底；一N型磊晶層，其內包含有一P型井與分設於P型井側邊的兩N型井；一第一半導體區、各位於第一半導體區側邊的一第二半導體區與一第三半導體區，其皆係位於該P型井內，並連接至一陽極，其中第一半導體區為第一導電型，第二半導體區與第三半導體區皆為第二導電型；以及二P型摻雜區，其係各位於N型井內，每一P型摻雜區內包含有一鄰近於P型井且皆連接至一陰極的第四半導體區與一第五半導體區，而第四半導體區為第二導電型，第五半導體區為第一導電型。
简体摘要：本发明提供一种双向PNPN硅控整流器，其包含有一P型基底；一N型磊晶层，其内包含有一P型井与分设于P型井侧边的两N型井；一第一半导体区、各位于第一半导体区侧边的一第二半导体区与一第三半导体区，其皆系位于该P型井内，并连接至一阳极，其中第一半导体区为第一导电型，第二半导体区与第三半导体区皆为第二导电型；以及二P型掺杂区，其系各位于N型井内，每一P型掺杂区内包含有一邻近于P型井且皆连接至一阴极的第四半导体区与一第五半导体区，而第四半导体区为第二导电型，第五半导体区为第一导电型。

5. 发明专利

TW200905859A 非對稱式雙向矽控整流器审中-公开
简体标题：非对称式双向硅控整流器
公开(公告)号：TW200905859A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW096127913
申请日：2007-07-31
申请人：晶焱科技股份有限公司 AMAZING MICROELECTROING CORP
发明人：曾當貴 , 莊哲豪 , 姜信欽 , 柯明道
IPC分类号： H01L , H02H
CPC分类号： H01L29/747 , H01L27/0262 , H01L29/87
摘要：本發明提供一種非對稱式雙向矽控整流器,其包含有一具第二導電型之基板;一位於基板上之未摻雜磊晶層,其為第一導電型;皆位於磊晶層內且以部分未摻雜磊晶層作為間隔的第一井與第二井,第一井與第二井係皆為第二導電型;位於第一井與基板接面上的第一埋入層;位於第二井與基板接面上的第二埋入層;在第一井內的第一半導體區域及第二半導體區域,第一半導體區域與第二半導體區域為相反的導電型;在第二井內的第三半導體區域及第四半導體區域,第三半導體區域與第四半導體區域為相反的導電型;此第一、二半導體區域接於矽控整流器之陽極端,第三、四半導體區域接於矽控整流器之陰極端。本發明之非對稱式矽控整流器具有單位面積可承受最大的能量外,更可調定增設觸發點與增設的閘極結構,來調整觸發電壓與留持電壓。
简体摘要：本发明提供一种非对称式双向硅控整流器,其包含有一具第二导电型之基板;一位于基板上之未掺杂磊晶层,其为第一导电型;皆位于磊晶层内且以部分未掺杂磊晶层作为间隔的第一井与第二井,第一井与第二井系皆为第二导电型;位于第一井与基板接面上的第一埋入层;位于第二井与基板接面上的第二埋入层;在第一井内的第一半导体区域及第二半导体区域,第一半导体区域与第二半导体区域为相反的导电型;在第二井内的第三半导体区域及第四半导体区域,第三半导体区域与第四半导体区域为相反的导电型;此第一、二半导体区域接于硅控整流器之阳极端,第三、四半导体区域接于硅控整流器之阴极端。本发明之非对称式硅控整流器具有单位面积可承受最大的能量外,更可调定增设触发点与增设的闸极结构,来调整触发电压与留持电压。

6. 发明专利

TWI517227B 平面式放電微通道（ＭｉｃｒｏＴｕｂｅｓ）結構及其製作方法有权
简体标题：平面式放电微信道（ＭｉｃｒｏＴｕｂｅｓ）结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI517227B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW101106427
申请日：2012-02-24
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳東暘 , CHEN, TUNG YANG , 柯明道 , KER, MING DOU , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01J9/02 , H01J17/066

7. 发明专利

TW201335980A 平面式放電微通道（ＭｉｃｒｏＴｕｂｅｓ）結構及其製作方法审中-公开
简体标题：平面式放电微信道（ＭｉｃｒｏＴｕｂｅｓ）结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201335980A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101106427
申请日：2012-02-24
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳東暘 , CHEN, TUNG YANG , 柯明道 , KER, MING DOU , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01J9/02 , H01J17/066
摘要：本發明係揭露一種以半導體製程為基礎的平面式放電微通道(MicroTubes)結構及其製作方法，首先於一基板上形成二電極圖案與至少一分隔區塊，電極圖案相隔一間隙，且分隔區塊位於該間隙中。接著，形成一絕緣層於電極圖案與分隔區塊上，並充填上述間隙，以藉其形成連通電極圖案之至少二放電路徑。由於利用上述技術實可於半導體結構中設計出複數條放電路徑，因此具極高的可靠度及再次使用性。
简体摘要：本发明系揭露一种以半导体制程为基础的平面式放电微信道(MicroTubes)结构及其制作方法，首先于一基板上形成二电极图案与至少一分隔区块，电极图案相隔一间隙，且分隔区块位于该间隙中。接着，形成一绝缘层于电极图案与分隔区块上，并充填上述间隙，以藉其形成连通电极图案之至少二放电路径。由于利用上述技术实可于半导体结构中设计出复数条放电路径，因此具极高的可靠度及再次使用性。

8. 发明专利

TWI379084B 系統層級的靜電放電偵測電路 SYSTEM-LEVEL ESD DETECTION CIRCUIT 有权
简体标题：系统层级的静电放电侦测电路 SYSTEM-LEVEL ESD DETECTION CIRCUIT
公开(公告)号：TWI379084B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW097135222
申请日：2008-09-12
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：柯明道 , 陳穩義 , 姜信欽
IPC分类号： G01R , H05F
摘要：本發明提供一種靜電放電偵測電路，用以偵測在一電源線上的靜電放電電壓之層級。該偵測電路包含一阻抗元件、一二極體單元以及一控制電路。該阻抗元件耦合在一偵測節點和對應於該電源線之一接地節點之間。該二極體單元耦合在該電源線和該偵測節點之間並順向朝向該電源線。該控制電路耦合至該偵測節點，基於該偵測節點的電壓和該二極體單元之崩潰電壓決定該靜電放電電壓之層級。
简体摘要：本发明提供一种静电放电侦测电路，用以侦测在一电源在线的静电放电电压之层级。该侦测电路包含一阻抗组件、一二极管单元以及一控制电路。该阻抗组件耦合在一侦测节点和对应于该电源线之一接地节点之间。该二极管单元耦合在该电源线和该侦测节点之间并顺向朝向该电源线。该控制电路耦合至该侦测节点，基于该侦测节点的电压和该二极管单元之崩溃电压决定该静电放电电压之层级。

9. 发明专利

TWI359564B 用以保護差動輸入／輸出對的靜電放電保護電路 ESD PROTECTION CIRCUIT FOR DIFFERENTIAL I/O PAIR 有权
简体标题：用以保护差动输入／输出对的静电放电保护电路 ESD PROTECTION CIRCUIT FOR DIFFERENTIAL I/O PAIR
公开(公告)号：TWI359564B
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW097139404
申请日：2008-10-14
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：柯明道 , 蕭淵文 , 姜信欽
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H01L27/0251 , H03F1/523 , H03F3/45183
摘要：本發明提供一種用以保護差動輸入/輸出對的靜電放電保護電路。此靜電放電保護電路包含一靜電放電偵測電路、一放電裝置以及四個二極體。第一二極體係耦合在第一輸入/輸出接腳和放電裝置之間並順向朝向放電裝置；第二二極體係耦合在第二輸入/輸出接腳和放電裝置之間並順向朝向第二輸入/輸出接腳。第三二極體耦合在放電裝置和正向電源線之間並順向朝向正向電源線。第四二極體耦合在放電裝置和負向電源線之間並順向朝向放電裝置。透過一輸出端，靜電放電偵測電路在一靜電放電發生時觸發放電裝置。
简体摘要：本发明提供一种用以保护差动输入/输出对的静电放电保护电路。此静电放电保护电路包含一静电放电侦测电路、一放电设备以及四个二极管。第一二极管系耦合在第一输入/输出接脚和放电设备之间并顺向朝向放电设备；第二二极管系耦合在第二输入/输出接脚和放电设备之间并顺向朝向第二输入/输出接脚。第三二极管耦合在放电设备和正向电源线之间并顺向朝向正向电源线。第四二极管耦合在放电设备和负向电源线之间并顺向朝向放电设备。透过一输出端，静电放电侦测电路在一静电放电发生时触发放电设备。

10. 发明专利

TWI343119B 對稱式雙向矽控整流器有权
简体标题：对称式双向硅控整流器
公开(公告)号：TWI343119B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW096127914
申请日：2007-07-31
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：曾當貴 , 莊哲豪 , 姜信欽 , 柯明道
IPC分类号： H01L , H05F
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/747 , H01L29/87
摘要：本發明提供一種對稱式雙向矽控整流器，其包含有一基板；一位於基板上的第一埋入層，其為第一導電型，其上依序併排有一為第二導電型之第一井、第一導電型之一中間區域與一第二導電型之第二井；位於第一井內具有第一導電型之一第一半導體區與一第二導電型之第二半導體區；位於第一井與中間區域接合面上有第二導電型之第三半導體區，其與第二半導體區間之上設有一第一閘極結構；第二井內具有第一導電型之第四半導體區與第二導電型之第五半導體區；位於第二井與中間區域接合面上的第六半導體區，其與第五半導體區間之上設有一第二閘極結構。第一半導體區、第二半導體區與第一閘極結構接於此矽控整流器之陽極，第四半導體區、第五半導體區與第二閘極結構接於此矽控整流器之陰極。本發明之對稱式雙向矽控整流器除具有面積小與高靜電防護力之優勢外，更利用增設嵌入式電晶體結構，來調整觸發電壓與留持電壓。
简体摘要：本发明提供一种对称式双向硅控整流器，其包含有一基板；一位于基板上的第一埋入层，其为第一导电型，其上依序并排有一为第二导电型之第一井、第一导电型之一中间区域与一第二导电型之第二井；位于第一井内具有第一导电型之一第一半导体区与一第二导电型之第二半导体区；位于第一井与中间区域接合面上有第二导电型之第三半导体区，其与第二半导体区间之上设有一第一闸极结构；第二井内具有第一导电型之第四半导体区与第二导电型之第五半导体区；位于第二井与中间区域接合面上的第六半导体区，其与第五半导体区间之上设有一第二闸极结构。第一半导体区、第二半导体区与第一闸极结构接于此硅控整流器之阳极，第四半导体区、第五半导体区与第二闸极结构接于此硅控整流器之阴极。本发明之对称式双向硅控整流器除具有面积小与高静电防护力之优势外，更利用增设嵌入式晶体管结构，来调整触发电压与留持电压。

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