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1. 发明专利

TWI360229B 整合電磁干擾濾波器的暫態電壓抑制電路及在對稱與非對稱EMI濾波器與暫態電壓抑制器完成線性電容的方法 METHODS OF ACHIEVING LINEAR CAPACITANCE IN SYMMETRICAL AND ASYMMETRICAL EMI FILTERS WITH TVS 有权
简体标题：集成电磁干扰滤波器的暂态电压抑制电路及在对称与非对称EMI滤波器与暂态电压抑制器完成线性电容的方法 METHODS OF ACHIEVING LINEAR CAPACITANCE IN SYMMETRICAL AND ASYMMETRICAL EMI FILTERS WITH TVS
公开(公告)号：TWI360229B
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW097115270
申请日：2008-04-25
申请人：萬國半導體股份有限公司
发明人：馬督兒博德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0676 , H01L23/552 , H01L23/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種暫態電壓壓抑電路，具單向閉鎖與對稱雙向閉鎖能力，整合一電磁干擾濾波器於一第一導電類型之一半導體基板上。整合EMI濾波器對於對稱雙向閉鎖結構，係包括一接地端位在表面上，對於單向閉鎖結構則係位在半導體基底底部，且濾波器包括一輸入端與一輸出端位在上表面，至少一齊納二極體與複數電容位在半導體基底中，以直接電容耦接方式耦接接地端至輸入端與輸出端，不需用中間浮動本體區。
简体摘要：一种暂态电压压抑电路，具单向闭锁与对称双向闭锁能力，集成一电磁干扰滤波器于一第一导电类型之一半导体基板上。集成EMI滤波器对于对称双向闭锁结构，系包括一接地端位在表面上，对於单向闭锁结构则系位在半导体基底底部，且滤波器包括一输入端与一输出端位在上表面，至少一齐纳二极管与复数电容位在半导体基底中，以直接电容耦接方式耦接接地端至输入端与输出端，不需用中间浮动本体区。

2. 发明专利

TW200727416A 半導體裝置之形成方法及其結構 METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE THEREFOR 审中-公开
简体标题：半导体设备之形成方法及其结构 METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE THEREFOR
公开(公告)号：TW200727416A
公开(公告)日：2007-07-16
申请号：TW095111826
申请日：2006-04-03
申请人：半導體組件工業公司 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.
发明人：哥登M 葛里納 GRIVNA, GORDON M. , 彼得J 德貝爾 ZDEBEL, PETER J. , 迪安道 DOW, DIANN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0635 , H01L27/0676
摘要：本發明揭示一種形成一半導體裝置之方法,其包括形成若干隔離渠溝,該等隔離渠溝係用於將一半導體晶粒上之一些諸如電晶體、二極體、電容器或電阻器之電元件與該半導體晶粒上之其他元件隔離。
简体摘要：本发明揭示一种形成一半导体设备之方法,其包括形成若干隔离渠沟,该等隔离渠沟系用于将一半导体晶粒上之一些诸如晶体管、二极管、电容器或电阻器之电组件与该半导体晶粒上之其他组件隔离。

3. 发明专利

TW535251B 形成於半導體基板上之精密高頻電容器有权
简体标题：形成于半导体基板上之精密高频电容器
公开(公告)号：TW535251B
公开(公告)日：2003-06-01
申请号：TW090122394
申请日：2001-09-10
申请人：畢斯海內科技股份有限公司
发明人：漢姆高德貝爾格 , 席克勞 , 傑西克柯瑞克 , 摩漢梅德凱森 , 哈里安透翁 , 傑克方登郝費爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/40 , H01L27/0255 , H01L27/0676 , H01L27/0805 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要：一種精密的高頻電容器，具有一介電層，形成於一半導體基板的正面表面；以及一第一電極，形成於介電層的上方。這個半導體基板係重度摻雜且因此具有一個低電阻值。另外，一第二電極，與第一電極隔絕，亦形成在正面表面的上方。在一個實施例中，該第二電極係利用金屬填滿的透孔連接至基板背面之一導電材料層。在其他的實施例中，這個透孔係省略，且第二電極係電性接觸於基板，或者是形成在介電層的上方，藉以產生一對串連電容器。電容器的靜電放電(ESD)防護可以利用一對彼此面對的二極體提供，其形成於基板中且並聯於該電容器。為增加電容器的電容值、同時維持一個低等效串連電阻，每個電極可以具有複數個指狀物，其係叉合於其他電極的指狀物。這個電容器最好是以晶圓尺度的製程與晶圓上的許多其他電容器一起製造，然後，這些電容器可以利用傳統晶片切塊技術(dicing technique)以彼此分開。
简体摘要：一种精密的高频电容器，具有一介电层，形成于一半导体基板的正面表面；以及一第一电极，形成于介电层的上方。这个半导体基板系重度掺杂且因此具有一个低电阻值。另外，一第二电极，与第一电极隔绝，亦形成在正面表面的上方。在一个实施例中，该第二电极系利用金属填满的透孔连接至基板背面之一导电材料层。在其他的实施例中，这个透孔系省略，且第二电极系电性接触于基板，或者是形成在介电层的上方，借以产生一对串连电容器。电容器的静电放电(ESD)防护可以利用一对彼此面对的二极管提供，其形成于基板中且并联于该电容器。为增加电容器的电容值、同时维持一个低等效串连电阻，每个电极可以具有复数个指状物，其系叉合于其他电极的指状物。这个电容器最好是以晶圆尺度的制程与晶圆上的许多其他电容器一起制造，然后，这些电容器可以利用传统芯片切块技术(dicing technique)以彼此分开。

4. 发明专利

TW201711210A ＭＯＳ變容器以及包括ＭＯＳ變容器的半導體積體裝置审中-公开
简体标题：ＭＯＳ变容器以及包括ＭＯＳ变容器的半导体积体设备
公开(公告)号：TW201711210A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105113076
申请日：2016-04-27
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：朴淳烈 , PARK, SOON YEOL , 李相賢 , LEE, SANG HYUN
IPC分类号： H01L29/93 , H01L29/94
CPC分类号： H01L27/0676 , H01L27/0629 , H01L29/66174 , H01L29/66181 , H01L29/94
摘要：一種MOS變容器，包括：通過通道區相互間隔開的第一N型接面區和第二N型接面區；閘極絕緣層，其設置在通道區上；閘極電極，其設置在閘極絕緣層上；以及N型井區，其包括通道區並圍繞第一和第二N型接面區。N型井區在通道區內具有最大雜質濃度。
简体摘要：一种MOS变容器，包括：通过信道区相互间隔开的第一N型接面区和第二N型接面区；闸极绝缘层，其设置在信道区上；闸极电极，其设置在闸极绝缘层上；以及N型井区，其包括信道区并围绕第一和第二N型接面区。N型井区在信道区内具有最大杂质浓度。

6. 发明专利

TWI485855B 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI485855B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW102109422
申请日：2013-03-18
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：山下潤一 , YAMASHITA, JUNICHI , 寺島知秀 , TERASHIMA, TOMOHIDE
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L28/40 , H01L27/0629 , H01L27/0652 , H01L27/0676 , H01L27/1203 , H01L28/60 , H01L29/94

7. 发明专利

TW552686B 電子電路零件失效
简体标题：电子电路零件
公开(公告)号：TW552686B
公开(公告)日：2003-09-11
申请号：TW091115589
申请日：2002-07-12
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：佐藤俊也 , 荻野雅彥 , 三輪崇夫 , 內藤孝 , 滑川孝 , 生田目俊秀 , 元成久
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/13 , H01F17/0006 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L27/016 , H01L27/0676 , H01L27/08 , H01L2224/16 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01057 , H01L2924/01063 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/19011 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/16 , H05K1/162 , H05K1/165 , H05K1/167 , H05K3/28 , H05K3/3457 , H05K3/4602 , H05K3/4644 , H05K2201/09536 , H05K2201/09827 , H01L2924/00
摘要：本發明係用來改善因為將單體被動元件安裝在基板時所造成之模組的大型化的情形以及安裝成本上昇的情形，而能夠以低成本來提供一種信賴性高、製品良率良好，且能夠以高密度將電容器、電感器、電阻等的多樣的電子零件加以集成、小型且高性能的電子電路零件。
本發明之電子電路零件，其特徵在於：具有：絕緣性基板，選自由設在上述絕緣性基板上而面積不同的個電極與被挾於其間的介電體材料所構成的電容器元件、電感器元件、電阻元件的1個或多個的元件，用來連接上述元件的金屬配線，作為上述金屬配線之一部分的金屬端子部，以及用來覆蓋除了上述元件及上述金屬端子部之外之金屬配線部分之周圍的有機絕緣材。
简体摘要：本发明系用来改善因为将单体被动组件安装在基板时所造成之模块的大型化的情形以及安装成本上升的情形，而能够以低成本来提供一种信赖性高、制品良率良好，且能够以高密度将电容器、电感器、电阻等的多样的电子零件加以集成、小型且高性能的电子电路零件。本发明之电子电路零件，其特征在于：具有：绝缘性基板，选自由设在上述绝缘性基板上而面积不同的个电极与被挟于其间的介电体材料所构成的电容器组件、电感器组件、电阻组件的1个或多个的组件，用来连接上述组件的金属配线，作为上述金属配线之一部分的金属端子部，以及用来覆盖除了上述组件及上述金属端子部之外之金属配线部分之周围的有机绝缘材。

8. 发明专利

TWI589007B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI589007B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102111875
申请日：2013-04-02
申请人：精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：理崎智光 , RISAKI, TOMOMITSU
IPC分类号： H01L29/861
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L27/0676 , H01L29/0692 , H01L29/8611

9. 发明专利

TW201707228A 光電耦合器审中-公开
简体标题：光电耦合器
公开(公告)号：TW201707228A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105114780
申请日：2016-05-12
申请人：艾澤太空太陽能公司 , AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH
发明人：古特沃夫岡 , GUTER, WOLFGANG , 福爾曼丹尼爾 , FUHRMANN, DANIEL , 科藍克維特 , KHORENKO, VICTOR
IPC分类号： H01L31/12 , H01L31/0687
CPC分类号： H01L31/173 , H01L23/3171 , H01L27/0676 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/167 , H04B10/40 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：本發明揭示一種光電耦合器，其具有一發送器部件及一接收器部件，其中，該發送器部件及該接收器部件互相電流隔離並且互相光學耦合，並且該兩個部件經整合於一共同殼體中，該接收器部件包括一電壓源，其中，該電壓源包括數量為N之互相串聯連接之部分電壓源，該等部分電壓源經構造為半導體二極體，其中，此等部分電壓源中之每一者具有一個半導體二極體，該半導體二極體具有p-n接面，每一部分電壓源之部分電源電壓互相具有小於20%之偏差，在每兩個彼此相繼之部分電壓源之間構造有一個穿隧二極體，部分電壓源及穿隧二極體單片地經整合在一起，並且共同構成具有上側及下側之一第一堆疊，該等部分電壓源之數量N大於等於3，光在上側處入射到該堆疊上，並且在該堆疊上側處之一照射面之一尺寸大體上是該堆疊在上側處之一面之一尺寸，第一堆疊具有小於12μm之總厚度，在300K之情況下，只要該第一堆疊經具有確定波長之光子流所照射，則該第一堆疊具有大於3伏之一電源電壓，其中，在從該堆疊之上側向該堆疊之下側之光入射方向上，半導體二極體之p吸收層及n吸收層之總厚度從最上面之一二極體朝向最下面之一二極體增加。
简体摘要：本发明揭示一种光电耦合器，其具有一发送器部件及一接收器部件，其中，该发送器部件及该接收器部件互相电流隔离并且互相光学耦合，并且该两个部件经集成于一共同壳体中，该接收器部件包括一电压源，其中，该电压源包括数量为N之互相串联连接之部分电压源，该等部分电压源经构造为半导体二极管，其中，此等部分电压源中之每一者具有一个半导体二极管，该半导体二极管具有p-n接面，每一部分电压源之部分电源电压互相具有小于20%之偏差，在每两个彼此相继之部分电压源之间构造有一个穿隧二极管，部分电压源及穿隧二极管单片地经集成在一起，并且共同构成具有上侧及下侧之一第一堆栈，该等部分电压源之数量N大于等于3，光在上侧处入射到该堆栈上，并且在该堆栈上侧处之一照射面之一尺寸大体上是该堆栈在上侧处之一面之一尺寸，第一堆栈具有小于12μm之总厚度，在300K之情况下，只要该第一堆栈经具有确定波长之光子流所照射，则该第一堆栈具有大于3伏之一电源电压，其中，在从该堆栈之上侧向该堆栈之下侧之光入射方向上，半导体二极管之p吸收层及n吸收层之总厚度从最上面之一二极管朝向最下面之一二极管增加。

10. 发明专利

TW201417242A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201417242A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102132289
申请日：2013-09-06
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：外村文男 , TONOMURA, FUMIO , 石井秀雄 , ISHII, HIDEO , 太田毅 , OTA, TSUYOSHI
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L23/34 , H01L23/4824 , H01L25/16 , H01L27/0211 , H01L27/0251 , H01L27/0296 , H01L27/0629 , H01L27/0676 , H01L29/866 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種能夠以不會對MOSFET的動作造成影響的方式進行溫度檢測的半導體裝置。本發明之實施態樣的半導體裝置，在晶片的第1區域形成第1MOSFET，在第2區域形成第2MOSFET。在第1區域中於晶片的表面上，形成了第1源極端子以及第1閘極端子。在第2區域中於晶片的表面上，形成了以和第1源極端子與第1閘極端子的並排方向大略平行並排的方式配置的第2源極端子、第2閘極端子。在第1源極端子與第2源極端子之間，設置了並未與第1MOSFET以及第2MOSFET電連接的溫度檢測二極體。第1端子與第2端子的並排方向，係和第1源極端子與第1閘極端子的並排方向以及第2源極端子與第2閘極端子的並排方向大略平行的第1方向。
简体摘要：本发明提供一种能够以不会对MOSFET的动作造成影响的方式进行温度检测的半导体设备。本发明之实施态样的半导体设备，在芯片的第1区域形成第1MOSFET，在第2区域形成第2MOSFET。在第1区域中于芯片的表面上，形成了第1源极端子以及第1闸极端子。在第2区域中于芯片的表面上，形成了以和第1源极端子与第1闸极端子的并排方向大略平行并排的方式配置的第2源极端子、第2闸极端子。在第1源极端子与第2源极端子之间，设置了并未与第1MOSFET以及第2MOSFET电连接的温度检测二极管。第1端子与第2端子的并排方向，系和第1源极端子与第1闸极端子的并排方向以及第2源极端子与第2闸极端子的并排方向大略平行的第1方向。

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