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1. 发明专利

TW552686B 電子電路零件失效
简体标题：电子电路零件
公开(公告)号：TW552686B
公开(公告)日：2003-09-11
申请号：TW091115589
申请日：2002-07-12
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：佐藤俊也 , 荻野雅彥 , 三輪崇夫 , 內藤孝 , 滑川孝 , 生田目俊秀 , 元成久
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/13 , H01F17/0006 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L27/016 , H01L27/0676 , H01L27/08 , H01L2224/16 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01057 , H01L2924/01063 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/19011 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/16 , H05K1/162 , H05K1/165 , H05K1/167 , H05K3/28 , H05K3/3457 , H05K3/4602 , H05K3/4644 , H05K2201/09536 , H05K2201/09827 , H01L2924/00
摘要：本發明係用來改善因為將單體被動元件安裝在基板時所造成之模組的大型化的情形以及安裝成本上昇的情形，而能夠以低成本來提供一種信賴性高、製品良率良好，且能夠以高密度將電容器、電感器、電阻等的多樣的電子零件加以集成、小型且高性能的電子電路零件。
本發明之電子電路零件，其特徵在於：具有：絕緣性基板，選自由設在上述絕緣性基板上而面積不同的個電極與被挾於其間的介電體材料所構成的電容器元件、電感器元件、電阻元件的1個或多個的元件，用來連接上述元件的金屬配線，作為上述金屬配線之一部分的金屬端子部，以及用來覆蓋除了上述元件及上述金屬端子部之外之金屬配線部分之周圍的有機絕緣材。
简体摘要：本发明系用来改善因为将单体被动组件安装在基板时所造成之模块的大型化的情形以及安装成本上升的情形，而能够以低成本来提供一种信赖性高、制品良率良好，且能够以高密度将电容器、电感器、电阻等的多样的电子零件加以集成、小型且高性能的电子电路零件。本发明之电子电路零件，其特征在于：具有：绝缘性基板，选自由设在上述绝缘性基板上而面积不同的个电极与被挟于其间的介电体材料所构成的电容器组件、电感器组件、电阻组件的1个或多个的组件，用来连接上述组件的金属配线，作为上述金属配线之一部分的金属端子部，以及用来覆盖除了上述组件及上述金属端子部之外之金属配线部分之周围的有机绝缘材。

2. 发明专利

TW463334B 半導體模組以及接合該模組之方法失效
简体标题：半导体模块以及接合该模块之方法
公开(公告)号：TW463334B
公开(公告)日：2001-11-11
申请号：TW089105171
申请日：2000-03-21
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：江口州志 , 永井晃 , 赤星晴夫 , 上野巧 , 佐藤俊也 , 荻野雅彥 , 西村朝雄 , 安生一郎 , 田中英樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/4334 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/97 , H01L2225/1005 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/07802 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要：一種多重晶片模組，包含一結構，該結構包含以下方式，將多數個裸晶片或封裝半導體晶片接合於一電路基底上，以及多數個半導體晶片係以一熱照射板覆蓋，其中所有位在夾置於該電路基底與該熱照射板之間的多數個半導體晶片之周圍的空間，係填入樹脂。
根據該樹脂之填入，假如一壓力加入至一晶片，該壓力可被分散，因為該半導體晶片係藉由樹脂而相互連接，而可減少由於壓力集中所造成在晶片與熱照射板中裂痕之產生。因為半導體晶片係藉由樹脂而黏著於該熱照射板，晶片等與熱照射板之黏著可立即執行，甚至當晶片之大小被改變。進一步，根據本發明，黏著所有晶片與熱照射板可在單一個步驟而同步執行。
简体摘要：一种多重芯片模块，包含一结构，该结构包含以下方式，将多数个裸芯片或封装半导体芯片接合于一电路基底上，以及多数个半导体芯片系以一热照射板覆盖，其中所有位在夹置于该电路基底与该热照射板之间的多数个半导体芯片之周围的空间，系填入树脂。根据该树脂之填入，假如一压力加入至一芯片，该压力可被分散，因为该半导体芯片系借由树脂而相互连接，而可减少由于压力集中所造成在芯片与热照射板中裂痕之产生。因为半导体芯片系借由树脂而黏着于该热照射板，芯片等与热照射板之黏着可立即运行，甚至当芯片之大小被改变。进一步，根据本发明，黏着所有芯片与热照射板可在单一个步骤而同步运行。

3. 发明专利

TW445528B 半導體裝置、半導體晶圓、半導體模組及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：半导体设备、半导体晶圆、半导体模块及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW445528B
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：TW088118155
申请日：1999-10-20
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：萩野雅彥 , 上野巧 , 江口州志 , 永井晃 , 佐藤俊也 , 石井利昭 , 小角博義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3171 , H01L23/3114 , H01L23/3164 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05026 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/1147 , H01L2224/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2924/00012
摘要：〔課題〕本發明在於提供一種半導體裝置的撓曲小,且在落下時，在晶片端部不容易發生缺角或是裂痕，而具有優越之構裝信賴性以及量產性的半導體裝置、半導體晶圓以及半導體模組。
〔解決手段〕針對一具有半導體晶片64、設在該半導體晶片之已形成有電路以及電極之一側之面上的多孔質的應力緩和層3、設在該應力緩和層之上，而被連接到上述電極的配線層2、以及設在該配線層上之外部電極10而構成的半導體裝置17，在上述半導體晶片之與上述應力緩和層3之相反側的面上具有保護膜7，而上述應力緩和層3、上述半導體晶片6以及上述保護膜7的各側面，則在同一面上露出到外部。
简体摘要：〔课题〕本发明在于提供一种半导体设备的挠曲小,且在落下时，在芯片端部不容易发生缺角或是裂痕，而具有优越之构装信赖性以及量产性的半导体设备、半导体晶圆以及半导体模块。〔解决手段〕针对一具有半导体芯片64、设在该半导体芯片之已形成有电路以及电极之一侧之面上的多孔质的应力缓和层3、设在该应力缓和层之上，而被连接到上述电极的配线层2、以及设在该配线层上之外部电极10而构成的半导体设备17，在上述半导体芯片之与上述应力缓和层3之相反侧的面上具有保护膜7，而上述应力缓和层3、上述半导体芯片6以及上述保护膜7的各侧面，则在同一面上露出到外部。

4. 发明专利

TW563142B 薄膜電容及電子電路零件失效
简体标题：薄膜电容及电子电路零件
公开(公告)号：TW563142B
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：TW091115456
申请日：2002-07-11
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：荻野雅彥 , 佐藤俊也 , 三輪崇夫 , 生田目俊秀 , 天羽悟
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01L27/0805 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H05K1/162 , H01L2924/00
摘要：本發明是有關一種薄膜電容及電子電路零件，乃屬於形成在所定面的下部電極、和由形成在前述下部電極上的介電材料所形成的介電質層和形成在前述介電質層上的上部電極的薄膜電容，其特徵為：前述下部電極的端部是用介電質層以外的絕緣體被覆的。
简体摘要：本发明是有关一种薄膜电容及电子电路零件，乃属于形成在所定面的下部电极、和由形成在前述下部电极上的介电材料所形成的介电质层和形成在前述介电质层上的上部电极的薄膜电容，其特征为：前述下部电极的端部是用介电质层以外的绝缘体被覆的。

5. 发明专利

TW533437B 含有玻璃基板之電路基板和其加工方法以及加工裝置失效
简体标题：含有玻璃基板之电路基板和其加工方法以及加工设备
公开(公告)号：TW533437B
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：TW090119896
申请日：2001-08-14
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：小康行 , 行武正剛 , 秋山登 , 三輪崇夫 , 內藤孝 , 佐藤俊也
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H05K1/16 , B23K26/351
摘要：將激光雷射之類的強電磁波的焦點朝向形成於玻璃基板內之電容器縮小集中，調整修正限定形成在此部份之結晶化玻璃的變化量。不影響外形以及周邊之其它部份，可以做電容值之修正加工，特性不變化，可以製作偏差少之電路基板，又，如加工專用電容器，可以更精密地調整電容值。
简体摘要：将激光激光之类的强电磁波的焦点朝向形成于玻璃基板内之电容器缩小集中，调整修正限定形成在此部份之结晶化玻璃的变化量。不影响外形以及周边之其它部份，可以做电容值之修正加工，特性不变化，可以制作偏差少之电路基板，又，如加工专用电容器，可以更精密地调整电容值。

6. 发明专利

TW508772B 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW508772B
公开(公告)日：2002-11-01
申请号：TW089119395
申请日：2000-09-20
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：佐藤俊也 , 荻野雅彥 , 瀨川正則 , 三輪崇夫 , 永井晃 , 矢口昭弘 , 安生一郎 , 西村朝雄
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/293 , C08L9/02 , C08L13/00 , C08L63/00 , H01L23/485 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/13022 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , C08L2666/08 , H01L2224/05552
摘要：本發明提供一微型半導體裝置，其於迴焊電阻，溫度循環特性及相當於高密度包裝，高密質度，及處理加速之 PCT電阻係相當優越。本發明為一半導體裝置，具有至少一應力緩衝層於半導體元件上，該元件形成有一電極墊，並於應力緩衝層上有一導體，具有一導體用以導通電極墊及導體經由一貫孔，通過於電極墊及導體間之應力緩衝層，具有一外部電極於該導體上，及具有一應力緩衝層，於外部電極存在之區域外之區域上，及一導體保護層於導體上，其中應力緩衝層包含交聯丙烯睛一丁二烯橡膠，具有一環氧樹脂及一羧基，該環氧樹脂係固化於25℃。
简体摘要：本发明提供一微型半导体设备，其于回焊电阻，温度循环特性及相当于高密度包装，高密质度，及处理加速之 PCT电阻系相当优越。本发明为一半导体设备，具有至少一应力缓冲层于半导体组件上，该组件形成有一电极垫，并于应力缓冲层上有一导体，具有一导体用以导通电极垫及导体经由一贯孔，通过于电极垫及导体间之应力缓冲层，具有一外部电极于该导体上，及具有一应力缓冲层，于外部电极存在之区域外之区域上，及一导体保护层于导体上，其中应力缓冲层包含交联丙烯睛一丁二烯橡胶，具有一环氧树脂及一羧基，该环氧树脂系固化于25℃。

7. 发明专利

TW560017B 半導體連接基板失效
简体标题：半导体连接基板
公开(公告)号：TW560017B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091115440
申请日：2002-07-11
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：佐藤俊也 , 荻野雅彥 , 三輪崇夫 , 滑川孝 , 內藤孝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/19011 , H01L2924/3011 , H05K1/162 , H05K3/4602 , H05K2201/09509 , H05K2201/09763 , H01L2924/00
摘要：提供一種改善依安裝單體受動元件的基板所產生的模組的大型化，安裝成本的上昇，可靠性高，製造良率良好，且以高密度積體電容器，感應器，電阻器等的多種電子零件的小型又高性能的半導體連接基板。
一種半導體連接基板，屬於將半導體元件連接於印刷基板等的安裝基板的半導體連接基板，其特徵為具有：絕緣性基板，及設在上述絕緣性基板上的面積不相同的複數電極及從夾在其中間的介質材料所構成的電容器元件，及感應器元件，電阻元件所選擇的一或複數元件，及連接上述元件的金屬配線，及上述金屬配線的一部分的金屬端子部，及覆蓋除了上述元件及上述金屬端子部之外的金屬配線部分的周圍的有機絕緣材。
简体摘要：提供一种改善依安装单体受动组件的基板所产生的模块的大型化，安装成本的上升，可靠性高，制造良率良好，且以高密度积体电容器，感应器，电阻器等的多种电子零件的小型又高性能的半导体连接基板。一种半导体连接基板，属于将半导体组件连接于印刷基板等的安装基板的半导体连接基板，其特征为具有：绝缘性基板，及设在上述绝缘性基板上的面积不相同的复数电极及从夹在其中间的介质材料所构成的电容器组件，及感应器组件，电阻组件所选择的一或复数组件，及连接上述组件的金属配线，及上述金属配线的一部分的金属端子部，及覆盖除了上述组件及上述金属端子部之外的金属配线部分的周围的有机绝缘材。

8. 发明专利

TW485512B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW485512B
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：TW090106244
申请日：2001-03-16
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：佐藤俊也 , 荻野雅彥 , 瀨川正則 , 山口欣秀 , 天明浩之 , 風間敦 , 安生一郎 , 西村朝雄
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係一種半導體裝置，其具有一藉由切割一半導體晶圓所獲得之半導體元件1，含有電極墊塊2被形成在沿畫線的其中一側上；一半導體元件保護層7，在半導體元件1上，其具有一缺口7(1)在墊塊2上；一應力緩衝層3，在層7上，其具有一缺口3(1)在墊塊2上；一引線部分4，從電極墊塊2經由缺口7(1)及3(1)而觸及層3；外部電極6，在引線部分4上；以及一導體保護層5，在層3上，並且層7、層3及導體保護層5形成個別之端面於畫線內之半導體元件1的末端表面1(1)上，並且暴露出從末端表面1(1)之端面到畫線之內部的範圍。
简体摘要：本发明系一种半导体设备，其具有一借由切割一半导体晶圆所获得之半导体组件1，含有电极垫块2被形成在沿画线的其中一侧上；一半导体组件保护层7，在半导体组件1上，其具有一缺口7(1)在垫块2上；一应力缓冲层3，在层7上，其具有一缺口3(1)在垫块2上；一引线部分4，从电极垫块2经由缺口7(1)及3(1)而触及层3；外部电极6，在引线部分4上；以及一导体保护层5，在层3上，并且层7、层3及导体保护层5形成个别之端面于画线内之半导体组件1的末端表面1(1)上，并且暴露出从末端表面1(1)之端面到画线之内部的范围。

9. 发明专利

TW459321B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW459321B
公开(公告)日：2001-10-11
申请号：TW089119156
申请日：2000-09-18
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：荻野雅彥 , 三輪崇夫 , 佐藤俊也 , 永井晃 , 瀨川正則 , 矢口昭弘 , 安生一郎 , 西村朝雄 , 上野巧
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3171 , H01L23/293 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05572 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01043 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/15787 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147
摘要：本發明提供一種半導體裝置之製造方法，能以高生產速率產生良好的安裝可靠度。
本發明是一種半導體裝置及其製造方法，在具有電路及電極之半導體晶片的表面上，除了一部份的電極之外，具有:一應力緩衝層;一電線層，連接至應力緩衝層上之電極;一外部保護膜，在電線層及應力緩衝層上;一窗，一部份的電線層暴露在外部保護膜的預定位置;及一外部電極，其經由窗被電氣地連接至電線層，其特徵在於應力緩衝層、電線層、導體、外部保護膜及外部電極被形成在該半導體晶片之尾端的內側。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备之制造方法，能以高生产速率产生良好的安装可靠度。本发明是一种半导体设备及其制造方法，在具有电路及电极之半导体芯片的表面上，除了一部份的电极之外，具有:一应力缓冲层;一电线层，连接至应力缓冲层上之电极;一外部保护膜，在电线层及应力缓冲层上;一窗，一部份的电线层暴露在外部保护膜的预定位置;及一外部电极，其经由窗被电气地连接至电线层，其特征在于应力缓冲层、电线层、导体、外部保护膜及外部电极被形成在该半导体芯片之尾端的内侧。

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