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1. 发明专利

TWI520330B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI520330B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103113982
申请日：2014-04-17
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：山下潤一 , YAMASHITA, JUNICHI , 寺島知秀 , TERASHIMA, TOMOHIDE
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/31
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L21/761 , H01L21/76264 , H01L21/76283 , H01L21/76289 , H01L27/1203

2. 发明专利

TW201403820A 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201403820A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102109422
申请日：2013-03-18
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：山下潤一 , YAMASHITA, JUNICHI , 寺島知秀 , TERASHIMA, TOMOHIDE
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L28/40 , H01L27/0629 , H01L27/0652 , H01L27/0676 , H01L27/1203 , H01L28/60 , H01L29/94
摘要：集極電極(18)與半導體基板(1)所夾的區域中，存在空乏區域(4)所在位置的部分及不置放空乏區域的部分。未形成空乏區域的半導體基板(1)的部分與集極電極(18)之間，形成以絕緣膜(2)、絕緣膜(20)及絕緣膜(17)電性分離的浮動矽層(21)。
简体摘要：集极电极(18)与半导体基板(1)所夹的区域中，存在空乏区域(4)所在位置的部分及不置放空乏区域的部分。未形成空乏区域的半导体基板(1)的部分与集极电极(18)之间，形成以绝缘膜(2)、绝缘膜(20)及绝缘膜(17)电性分离的浮动硅层(21)。

3. 发明专利

TWI485855B 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI485855B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW102109422
申请日：2013-03-18
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：山下潤一 , YAMASHITA, JUNICHI , 寺島知秀 , TERASHIMA, TOMOHIDE
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L28/40 , H01L27/0629 , H01L27/0652 , H01L27/0676 , H01L27/1203 , H01L28/60 , H01L29/94

4. 发明专利

TWI427764B 內建絕緣柵雙極電晶體之半導體裝置有权
简体标题：内置绝缘栅双极晶体管之半导体设备
公开(公告)号：TWI427764B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW098118669
申请日：2009-06-05
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：寺島知秀 , TERASHIMA, TOMOHIDE
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/092
CPC分类号： H01L27/0716 , H01L27/0623

5. 发明专利

TWI479544B 半導體裝置的製造方法及半導體製造裝置有权
简体标题：半导体设备的制造方法及半导体制造设备
公开(公告)号：TWI479544B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW101144105
申请日：2012-11-26
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：寺島知秀 , TERASHIMA, TOMOHIDE , 吉浦康博 , YOSHIURA, YASUHIRO , 大月詠子 , OTSUKI, EIKO
IPC分类号： H01L21/263 , H01L21/673
CPC分类号： H01L21/263 , H01J37/30 , H01J37/3002 , H01J2237/201 , H01J2237/202 , H01J2237/20221 , H01J2237/30455 , H01J2237/317 , H01L21/67115 , H01L21/67718 , H01L21/67745 , H01L21/6776 , H01L21/68

6. 发明专利

TW201511259A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201511259A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103113982
申请日：2014-04-17
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：山下潤一 , YAMASHITA, JUNICHI , 寺島知秀 , TERASHIMA, TOMOHIDE
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/31
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L21/761 , H01L21/76264 , H01L21/76283 , H01L21/76289 , H01L27/1203
摘要：本發明以提供半導體裝置為目的，在埋入絕緣膜與基板之間形成空洞區域提高耐壓的同時，具有充分的機械強度。包括基板12；埋入絕緣膜14，在上述基板上形成；SOI層20，在上述埋入絕緣膜上形成；絕緣膜22，區分上述SOI層為第1 SOI層20a以及與上述第1 SOI層絕緣的第2 SOI層20b；元件30，在上述第1 SOI層中形成；以及電極70，一端具有位於上述第2 SOI層的正上方之焊墊70a，另一端連接至上述第1 SOI層；其中，上述第1 SOI層的正下方在上述埋入絕緣膜與上述基板之間具有空洞區域18，且上述第2 SOI層的正下方上述埋入絕緣膜的至少一部分直接接觸上述基板。
简体摘要：本发明以提供半导体设备为目的，在埋入绝缘膜与基板之间形成空洞区域提高耐压的同时，具有充分的机械强度。包括基板12；埋入绝缘膜14，在上述基板上形成；SOI层20，在上述埋入绝缘膜上形成；绝缘膜22，区分上述SOI层为第1 SOI层20a以及与上述第1 SOI层绝缘的第2 SOI层20b；组件30，在上述第1 SOI层中形成；以及电极70，一端具有位于上述第2 SOI层的正上方之焊垫70a，另一端连接至上述第1 SOI层；其中，上述第1 SOI层的正下方在上述埋入绝缘膜与上述基板之间具有空洞区域18，且上述第2 SOI层的正下方上述埋入绝缘膜的至少一部分直接接触上述基板。

7. 发明专利

TWI442548B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI442548B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW100124555
申请日：2011-07-12
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：寺島知秀 , TERASHIMA, TOMOHIDE
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/861 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/404

8. 发明专利

TW201413793A 半導體裝置的製造方法及半導體製造裝置审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法及半导体制造设备
公开(公告)号：TW201413793A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW101144105
申请日：2012-11-26
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：寺島知秀 , TERASHIMA, TOMOHIDE , 吉浦康博 , YOSHIURA, YASUHIRO , 大月詠子 , OTSUKI, EIKO
IPC分类号： H01L21/263 , H01L21/673
CPC分类号： H01L21/263 , H01J37/30 , H01J37/3002 , H01J2237/201 , H01J2237/202 , H01J2237/20221 , H01J2237/30455 , H01J2237/317 , H01L21/67115 , H01L21/67718 , H01L21/67745 , H01L21/6776 , H01L21/68
摘要：本發明之半導體裝置的製造方法包括將複數個被處理物排列於第一托盤之上和與上述第一托盤相接之第二托盤之上的製程及複數個照射製程，該複數個照射製程從上述第一托盤與第二托盤相接之接觸位置之正上方所形成的照射裝置釋放照射物，並且使上述照射裝置沿著橫跨上述接觸位置之方向亦即第一方向擺盪，進而使上述第一托盤和第二托盤沿著與上述第一方向垂直之第二方向移動，藉此，對上述複數個被處理物反覆照射上述照射物複數次，本發明還包括更換製程，其在上述複數個照射製程之間其中至少有1次在不變更朝向上述第一托盤和上述第二托盤之上述第二方向之情況下，更換上述第一托盤和第二托盤的位置。
简体摘要：本发明之半导体设备的制造方法包括将复数个被处理物排列于第一托盘之上和与上述第一托盘相接之第二托盘之上的制程及复数个照射制程，该复数个照射制程从上述第一托盘与第二托盘相接之接触位置之正上方所形成的照射设备释放照射物，并且使上述照射设备沿着横跨上述接触位置之方向亦即第一方向摆荡，进而使上述第一托盘和第二托盘沿着与上述第一方向垂直之第二方向移动，借此，对上述复数个被处理物反复照射上述照射物复数次，本发明还包括更换制程，其在上述复数个照射制程之间其中至少有1次在不变更朝向上述第一托盘和上述第二托盘之上述第二方向之情况下，更换上述第一托盘和第二托盘的位置。

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