专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW535251B 形成於半導體基板上之精密高頻電容器有权
简体标题：形成于半导体基板上之精密高频电容器
公开(公告)号：TW535251B
公开(公告)日：2003-06-01
申请号：TW090122394
申请日：2001-09-10
申请人：畢斯海內科技股份有限公司
发明人：漢姆高德貝爾格 , 席克勞 , 傑西克柯瑞克 , 摩漢梅德凱森 , 哈里安透翁 , 傑克方登郝費爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/40 , H01L27/0255 , H01L27/0676 , H01L27/0805 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要：一種精密的高頻電容器，具有一介電層，形成於一半導體基板的正面表面；以及一第一電極，形成於介電層的上方。這個半導體基板係重度摻雜且因此具有一個低電阻值。另外，一第二電極，與第一電極隔絕，亦形成在正面表面的上方。在一個實施例中，該第二電極係利用金屬填滿的透孔連接至基板背面之一導電材料層。在其他的實施例中，這個透孔係省略，且第二電極係電性接觸於基板，或者是形成在介電層的上方，藉以產生一對串連電容器。電容器的靜電放電(ESD)防護可以利用一對彼此面對的二極體提供，其形成於基板中且並聯於該電容器。為增加電容器的電容值、同時維持一個低等效串連電阻，每個電極可以具有複數個指狀物，其係叉合於其他電極的指狀物。這個電容器最好是以晶圓尺度的製程與晶圓上的許多其他電容器一起製造，然後，這些電容器可以利用傳統晶片切塊技術(dicing technique)以彼此分開。
简体摘要：一种精密的高频电容器，具有一介电层，形成于一半导体基板的正面表面；以及一第一电极，形成于介电层的上方。这个半导体基板系重度掺杂且因此具有一个低电阻值。另外，一第二电极，与第一电极隔绝，亦形成在正面表面的上方。在一个实施例中，该第二电极系利用金属填满的透孔连接至基板背面之一导电材料层。在其他的实施例中，这个透孔系省略，且第二电极系电性接触于基板，或者是形成在介电层的上方，借以产生一对串连电容器。电容器的静电放电(ESD)防护可以利用一对彼此面对的二极管提供，其形成于基板中且并联于该电容器。为增加电容器的电容值、同时维持一个低等效串连电阻，每个电极可以具有复数个指状物，其系叉合于其他电极的指状物。这个电容器最好是以晶圆尺度的制程与晶圆上的许多其他电容器一起制造，然后，这些电容器可以利用传统芯片切块技术(dicing technique)以彼此分开。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式