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1. 发明专利

TWI364795B 雙極互補式金氧半導體技術之集極形成方法 METHOD OF COLLECTOR FORMATION IN BiCMOS TECHNOLOGY 失效
简体标题：双极互补式金属氧化物半导体技术之集极形成方法 METHOD OF COLLECTOR FORMATION IN BiCMOS TECHNOLOGY
公开(公告)号：TWI364795B
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：TW094131487
申请日：2005-09-13
申请人：萬國商業機器公司
发明人：彼得J 傑斯 , 彼得B 格瑞 , 艾文J 喬瑟夫 , 劉奇紀
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0821 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/66242 , H01L29/66318
摘要：提供一種異質雙極電晶體(heterobipolar trsnsistor(HBT))，供高速雙極互補式金氧半導體(BiCMOS)應用，其中，藉由提供一埋設耐熱金屬矽化物層(buried refractory metal silicide layer)於元件之次集極(subcollector)的淺溝槽隔離區域(shallow trench isolation region)之下，而降低集極電阻(Rc)。特別是，本發明之HBT包含：具有至少一次集極的一基板；位於次集極上的一埋設耐熱金屬矽化物層；以及位於埋設耐熱金屬矽化物層之一表面上的一淺溝槽隔離區域。本發明亦提供製造此HBT的方法。此方法包含：形成一埋設耐熱金屬矽化物層於元件之次集極的淺溝槽隔離區域之下。
简体摘要：提供一种异质双极晶体管(heterobipolar trsnsistor(HBT))，供高速双极互补式金属氧化物半导体(BiCMOS)应用，其中，借由提供一埋设耐热金属硅化物层(buried refractory metal silicide layer)于组件之次集极(subcollector)的浅沟槽隔离区域(shallow trench isolation region)之下，而降低集极电阻(Rc)。特别是，本发明之HBT包含：具有至少一次集极的一基板；位于次集极上的一埋设耐热金属硅化物层；以及位于埋设耐热金属硅化物层之一表面上的一浅沟槽隔离区域。本发明亦提供制造此HBT的方法。此方法包含：形成一埋设耐热金属硅化物层于组件之次集极的浅沟槽隔离区域之下。

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