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1. 发明专利

TW201707145A 電子電路裝置以及電子電路裝置的製造方法审中-公开
简体标题：电子电路设备以及电子电路设备的制造方法
公开(公告)号：TW201707145A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105105200
申请日：2016-02-23
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：宇佐美由久 , USAMI, YOSHIHISA
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8238 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/092 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/823475 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8238 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/092 , H01L27/0928 , H01L29/786
摘要：電子電路裝置包括多個對輸入信號進行預先設定的運算並將輸出信號予以輸出的邏輯電路元件。構成邏輯電路元件的電晶體包括設置於基板上的閘極電極、將閘極電極電性絕緣的絕緣層、源極電極、汲極電極以及半導體層。被施加輸入信號的輸入信號配線連接於閘極電極，設置於基板上且閘極絕緣層內。被提取輸出信號的輸出信號配線連接於源極電極或汲極電極，設置於基板上且閘極絕緣層內。由多個邏輯電路元件構成進行預先設定的處理的電子電路。
简体摘要：电子电路设备包括多个对输入信号进行预先设置的运算并将输出信号予以输出的逻辑电路组件。构成逻辑电路组件的晶体管包括设置于基板上的闸极电极、将闸极电极电性绝缘的绝缘层、源极电极、汲极电极以及半导体层。被施加输入信号的输入信号配线连接于闸极电极，设置于基板上且闸极绝缘层内。被提取输出信号的输出信号配线连接于源极电极或汲极电极，设置于基板上且闸极绝缘层内。由多个逻辑电路组件构成进行预先设置的处理的电子电路。

2. 发明专利

TW201703226A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201703226A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105118972
申请日：2016-06-16
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：前田敏 , MAEDA, SATOSHI , 森下泰之 , MORISHITA, YASUYUKI , 田中正德 , TANAKA, MASANORI
IPC分类号： H01L23/60 , H02H9/04
CPC分类号： H01L27/0296 , H01L21/822 , H01L23/50 , H01L23/5286 , H01L27/0266 , H01L27/0288 , H01L27/04
摘要：本發明提供一種半導體裝置。本發明之半導體裝置具備：第1輸入/輸出電路，其連接於第1墊；第2輸入/輸出電路，其相對於第1輸入/輸出電路而在沿晶片端部所構成之1個邊之方向上配置，且連接於第2墊；及ESD保護電路，其配置於第1及第2輸入/輸出電路之外側之晶片端部的附近。ESD保護電路具備電阻、電容、反相器、及N通道型電晶體。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备。本发明之半导体设备具备：第1输入/输出电路，其连接于第1垫；第2输入/输出电路，其相对于第1输入/输出电路而在沿芯片端部所构成之1个边之方向上配置，且连接于第2垫；及ESD保护电路，其配置于第1及第2输入/输出电路之外侧之芯片端部的附近。ESD保护电路具备电阻、电容、反相器、及N信道型晶体管。

3. 发明专利

TW201643109A 含有氮化硼之組成物、以及具有由該組成物所構成的層之三維積體電路审中-公开
简体标题：含有氮化硼之组成物、以及具有由该组成物所构成的层之三维集成电路
公开(公告)号：TW201643109A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105122039
申请日：2012-11-29
申请人：三菱化學股份有限公司 , MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
发明人：山崎正典 , YAMAZAKI, MASANORI , 阿部麻理 , ABE, MARI , 村瀨友英 , MURASE, TOMOHIDE , 河瀨康弘 , KAWASE, YASUHIRO , 池本慎 , IKEMOTO, MAKOTO , 桐谷秀紀 , KIRITANI, HIDEKI , 松下泰典 , MATSUSHITA, YASUNORI
IPC分类号： C01B21/064 , C30B29/40 , C30B29/60 , C08K3/38 , H01L23/42
CPC分类号： C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08G59/4042 , C08K3/38 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
摘要：本發明係提供一種三維積體電路用之組成物，其使用熱傳導之等向性、耐崩壞性、與樹脂間之混練性優越的氮化硼凝集粒子，可形成厚度方向之熱傳導性亦優越的層間填充層。本發明為一種三維積體電路用之組成物，其含有：氮化硼凝集粒子，係比表面積為10m2/g以上之氮化硼凝集粒子，該氮化硼凝集粒子之表面係由平均粒徑0.05μm以上且1μm以下之氮化硼一次粒子所構成，且為球狀之氮化硼凝集粒子；與120℃下之熔融黏度為100Pa‧s以下之樹脂(A)。
简体摘要：本发明系提供一种三维集成电路用之组成物，其使用热传导之等向性、耐崩坏性、与树脂间之混练性优越的氮化硼凝集粒子，可形成厚度方向之热传导性亦优越的层间填充层。本发明为一种三维集成电路用之组成物，其含有：氮化硼凝集粒子，系比表面积为10m2/g以上之氮化硼凝集粒子，该氮化硼凝集粒子之表面系由平均粒径0.05μm以上且1μm以下之氮化硼一次粒子所构成，且为球状之氮化硼凝集粒子；与120℃下之熔融黏度为100Pa‧s以下之树脂(A)。

4. 发明专利

TW201624704A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201624704A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104126875
申请日：2015-08-18
申请人：豐田自動車股份有限公司 , TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
发明人：秦裕史 , HATA, HIROSHI , 亀山悟 , KAMEYAMA, SATORU , 岩崎真也 , IWASAKI, SHINYA
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/861 , H01L27/07
CPC分类号： H01L27/0664 , H01L21/322 , H01L27/04 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/8613
摘要：本發明係一種半導體裝置，其中，半導體裝置(1)係於同一半導體基板(10)，加以形成IGBT與二極體。具備：半導體基板(10)，和加以形成於半導體基板(10)之表面的表面電極(11)，和加以形成於半導體基板(10)之背面的背面電極(12)。對於半導體基板(10)係加以形成有主動範圍(1a)，和周邊範圍(4)，和結晶缺陷範圍(100)。在主動範圍(1a)中，平面視半導體基板(10)表面時，加以並列配置IGBT範圍(2)與二極體範圍(3)。在二極體範圍(3)中，加以形成有導通於表面電極(11)之陽極範圍(31)，和導通於背面電極(12)之陰極範圍(32)，和位置於陽極範圍(31)與陰極範圍(32)之間的二極體漂移範圍(50)。周邊範圍(4)係平面視半導體基板(10)表面時，位置於主動範圍(1a)的周邊。周邊範圍(4)係具備：從半導體基板(10)表面到達至較陽極範圍(31)為深的位置之同時，導通於表面電極(11)之p型之阱型範圍(41)，和位置於阱型範圍(41)之背面側之同時，與二極體範圍(3)內之漂移範圍(50)連結之漂移範圍(50)。在結晶缺陷範圍(100)中，加以導入再結合中心而成為較周圍的再結合中心的濃度為高。結晶缺陷範圍(100)係沿著二極體範圍(3)之長度方向，從二極體範圍(3)連續延伸至周邊範圍(4)為止。
简体摘要：本发明系一种半导体设备，其中，半导体设备(1)系于同一半导体基板(10)，加以形成IGBT与二极管。具备：半导体基板(10)，和加以形成于半导体基板(10)之表面的表面电极(11)，和加以形成于半导体基板(10)之背面的背面电极(12)。对于半导体基板(10)系加以形成有主动范围(1a)，和周边范围(4)，和结晶缺陷范围(100)。在主动范围(1a)中，平面视半导体基板(10)表面时，加以并列配置IGBT范围(2)与二极管范围(3)。在二极管范围(3)中，加以形成有导通于表面电极(11)之阳极范围(31)，和导通于背面电极(12)之阴极范围(32)，和位置于阳极范围(31)与阴极范围(32)之间的二极管漂移范围(50)。周边范围(4)系平面视半导体基板(10)表面时，位置于主动范围(1a)的周边。周边范围(4)系具备：从半导体基板(10)表面到达至较阳极范围(31)为深的位置之同时，导通于表面电极(11)之p型之阱型范围(41)，和位置于阱型范围(41)之背面侧之同时，与二极管范围(3)内之漂移范围(50)链接之漂移范围(50)。在结晶缺陷范围(100)中，加以导入再结合中心而成为较周围的再结合中心的浓度为高。结晶缺陷范围(100)系沿着二极管范围(3)之长度方向，从二极管范围(3)连续延伸至周边范围(4)为止。

5. 发明专利

TW201448009A 藉由雷射劃線及電漿蝕刻混合手段以寬切口進行晶圓分割审中-公开
简体标题：借由激光划线及等离子蚀刻混合手段以宽切口进行晶圆分割
公开(公告)号：TW201448009A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103117620
申请日：2014-05-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：雷偉生 , LEI, WEI-SHENG , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 伊爾亞帕爾納 , IYER, APARNA , 亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 , YALAMANCHILI, MADHAVA RAO , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/82 , H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/78 , H01L27/04
摘要：茲描述分割半導體晶圓的方法，各晶圓具有複數個積體電路。在一實例中，已描述藉由使用雷射劃線及電漿蝕刻混合方式，以寬切口進行晶圓分割的方式。舉例而言，一種分割半導體晶圓的方法，所述半導體晶圓包括由分割道所分隔的複數個積體電路，該方法涉及於半導體晶圓上方形成遮罩，遮罩包括一層覆蓋並保護積體電路。該方法亦涉及以雷射劃線製程圖案化遮罩，以提供具有針對各分割道的一對平行間隙之經圖案化遮罩，暴露介於積體電路之間的半導體晶圓的區域。各對平行間隙的各間隙被一距離分隔。該方法亦涉及透過經圖案化遮罩中之間隙蝕刻半導體晶圓，以單分積體電路。
简体摘要：兹描述分割半导体晶圆的方法，各晶圆具有复数个集成电路。在一实例中，已描述借由使用激光划线及等离子蚀刻混合方式，以宽切口进行晶圆分割的方式。举例而言，一种分割半导体晶圆的方法，所述半导体晶圆包括由分割道所分隔的复数个集成电路，该方法涉及于半导体晶圆上方形成遮罩，遮罩包括一层覆盖并保护集成电路。该方法亦涉及以激光划线制程图案化遮罩，以提供具有针对各分割道的一对平行间隙之经图案化遮罩，暴露介于集成电路之间的半导体晶圆的区域。各对平行间隙的各间隙被一距离分隔。该方法亦涉及透过经图案化遮罩中之间隙蚀刻半导体晶圆，以单分集成电路。

6. 发明专利

TW201426955A 化合物半導體靜電保護元件审中-公开
简体标题：化合物半导体静电保护组件
公开(公告)号：TW201426955A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102124793
申请日：2013-07-10
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：高谷信一郎 , TAKATANI, SHINICHIRO , 鍾榮濤 , CHUNG, JUNG TAO , 王志偉 , WANG, CHI WEI , 苑承剛 , YUAN, CHENG GUAN , 劉世明 , LIU, SHIH-MING JOSEPH
IPC分类号： H01L23/60
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L27/0266 , H01L27/04 , H01L29/778
摘要：一種化合物半導體靜電保護元件，包含三種類型，其中每一種類型包含一多閘極增強型場效電晶體。第一型中，源極電極係透過至少一第一電阻與至少一閘極電極連接，而汲極電極係透過至少一第二電阻與至少一閘極電極連接；第二型中，複數個閘極電極中至少一個係透過至少一第四電阻連接於兩相鄰閘極間區域；第三型中，複數個閘極電極係透過至少一個第七電阻連接於源極或汲極電極；上述三型化合物半導體靜電保護元件中之任兩個閘極電極可以一個電阻連接。
简体摘要：一种化合物半导体静电保护组件，包含三种类型，其中每一种类型包含一多闸极增强型场效应管。第一型中，源极电极系透过至少一第一电阻与至少一闸极电极连接，而汲极电极系透过至少一第二电阻与至少一闸极电极连接；第二型中，复数个闸极电极中至少一个系透过至少一第四电阻连接于两相邻闸极间区域；第三型中，复数个闸极电极系透过至少一个第七电阻连接于源极或汲极电极；上述三型化合物半导体静电保护组件中之任两个闸极电极可以一个电阻连接。

7. 发明专利

TW201413888A 複合式重組晶圓結構审中-公开
简体标题：复合式重组晶圆结构
公开(公告)号：TW201413888A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW101136224
申请日：2012-10-01
申请人：劍橋矽晶片無線電有限公司 , CAMBRIDGE SILICON RADIO LIMITED
发明人：雷奈夫弗拉德 , LENIVE, VLAD , 史黛西塞門 , STACEY, SIMON
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/52
CPC分类号： H01L28/10 , H01L23/13 , H01L23/28 , H01L23/485 , H01L23/492 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5226 , H01L23/5389 , H01L23/642 , H01L23/66 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L27/04 , H01L28/40 , H01L2223/6677 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/24227 , H01L2224/24265 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8114 , H01L2224/81815 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/82 , H01L2224/83 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要：一種重組電子裝置其包含至少一晶粒及至少一被動元件。一功能性材料係併入於該裝置之該基板中以修改該被動元件之電氣性能。該被動元件可構成於該裝置之重新分布層中。複合式功能性材料可於該基板中使用以構成部分之或是所有的被動元件。一金屬載體可構成部分之該基板以及部分之該至少一被動元件。
简体摘要：一种重组电子设备其包含至少一晶粒及至少一被动组件。一功能性材料系并入于该设备之该基板中以修改该被动组件之电气性能。该被动组件可构成于该设备之重新分布层中。复合式功能性材料可于该基板中使用以构成部分之或是所有的被动组件。一金属载体可构成部分之该基板以及部分之该至少一被动组件。

8. 发明专利

TW201349453A 多層密度梯度平滑方法、半導體裝置以及半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：多层密度梯度平滑方法、半导体设备以及半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201349453A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102115371
申请日：2013-04-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：彭永州 , PENG, YUNG CHOW , 周文昇 , CHOU, WEN SHEN , 黃睿政 , HUANG, JUI CHENG
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/105
CPC分类号： G06F17/5072 , H01L27/0207 , H01L27/04
摘要：多層密度梯度平滑佈局中，複數的單胞配置於具有一特徵密度的陣列中。陣列的一或多個邊界上形成第一邊緣次陣列，具有比陣列的特徵密度小的特徵密度。第一邊緣次陣列的一或多個邊界上形成第二邊緣次陣列，具有比第一邊緣次陣列的特徵密度小但接近背景電路的特徵密度的特徵密度。
简体摘要：多层密度梯度平滑布局中，复数的单胞配置于具有一特征密度的数组中。数组的一或多个边界上形成第一边缘次数组，具有比数组的特征密度小的特征密度。第一边缘次数组的一或多个边界上形成第二边缘次数组，具有比第一边缘次数组的特征密度小但接近背景电路的特征密度的特征密度。

9. 发明专利

TW201739037A 非揮發性半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201739037A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105136791
申请日：2016-11-11
申请人：芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：野田敏史 , NODA, TOSHIFUMI , 谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 加藤貴文 , KATO, TAKAFUMI , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA, YASUHIKO , 大和田福夫 , OWADA, FUKUO
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/11573 , H01L29/788 , H01L29/792
摘要：本發明提出一種能提昇電容元件之耐壓特性且穩定化電容特性、且能實現小型化之非揮發性半導體記憶裝置。本發明之非揮發性半導體記憶裝置1中，係使電容元件C1、C2之電容側壁絕緣膜21，與著眼於耐壓而膜質、膜厚經調整之記憶胞2之側壁分隔件13a、13b為相同層，藉此可提昇電容元件C1、C2之耐壓特性，且穩定化電容特性。又，於該非揮發性半導體記憶裝置1中，亦無需如先前之用於將施加於電容元件之電壓抑制為低電壓之電源，由此亦能簡化構成，實現小型化。
简体摘要：本发明提出一种能提升电容组件之耐压特性且稳定化电容特性、且能实现小型化之非挥发性半导体记忆设备。本发明之非挥发性半导体记忆设备1中，系使电容组件C1、C2之电容侧壁绝缘膜21，与着眼于耐压而膜质、膜厚经调整之记忆胞2之侧壁分隔件13a、13b为相同层，借此可提升电容组件C1、C2之耐压特性，且稳定化电容特性。又，于该非挥发性半导体记忆设备1中，亦无需如先前之用于将施加于电容组件之电压抑制为低电压之电源，由此亦能简化构成，实现小型化。

10. 发明专利

TW201642468A 電晶體、保護電路及電晶體之製造方法审中-公开
简体标题：晶体管、保护电路及晶体管之制造方法
公开(公告)号：TW201642468A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104144299
申请日：2015-12-29
申请人：索尼半導體解決方案公司 , SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
发明人：深作克彦 , FUKASAKU, KATSUHIKO , 巽孝明 , TATSUMI, TAKAAKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L23/58
CPC分类号： H01L21/28 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
摘要：本發明提供一種電晶體、保護電路及電晶體之製造方法。本發明兼顧電晶體之導通電流之提高與洩漏電流之抑制。電晶體具備汲極、源極、閘極、及閘極絕緣膜。在該電晶體中閘極絕緣膜配置於源極與汲極之間。又，在該電晶體中閘極具備設置於閘極絕緣膜之表面的複數個區域。又，在該閘極中，設置於閘極絕緣膜之複數個區域之各自之功函數不同。
简体摘要：本发明提供一种晶体管、保护电路及晶体管之制造方法。本发明兼顾晶体管之导通电流之提高与泄漏电流之抑制。晶体管具备汲极、源极、闸极、及闸极绝缘膜。在该晶体管中闸极绝缘膜配置于源极与汲极之间。又，在该晶体管中闸极具备设置于闸极绝缘膜之表面的复数个区域。又，在该闸极中，设置于闸极绝缘膜之复数个区域之各自之功函数不同。

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