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1. 发明专利

TWI431452B 低壓降穩壓器、直流對直流轉換器以及低壓降穩壓方法有权
简体标题：低压降稳压器、直流对直流转换器以及低压降稳压方法
公开(公告)号：TWI431452B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW099135704
申请日：2010-10-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：索南艾瑞克 , SOENEN, ERIC , 羅許艾倫 , ROTH, ALAN , 石碩 , SHI, JUSTIN , 徐英智 , HSU, YING CHIH , 王光丞 , WANG, GUANG CHENG , 周文昇 , CHOU, WEN SHEN
IPC分类号： G05F1/10 , H02M3/07
CPC分类号： G05F1/575 , H02M3/07 , H02M2001/0045

2. 发明专利

TW201417228A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201417228A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102133444
申请日：2013-09-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：溫清華 , WEN, CHIN HUA , 周文昇 , CHOU, WEN SHEN
IPC分类号： H01L23/482 , H01L29/423
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L23/5286 , H01L27/088 , H01L29/0692 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體裝置。上述半導體裝置包括，第一金氧半導體元件層疊第二金氧半導體元件以形成第一指狀物，第一金氧半導體元件的汲極連接第二金氧半導體元件的源極以形成第一共用源/汲極區；第三金氧半導體元件層疊第四金氧半導體元件以形成第二指狀物，第三金氧半導體元件的汲極係連接第四金氧半導體元件的源極以形成第二共用源/汲極區，第一和第二共用源/汲極區不電性連接，第一和第三金氧半導體元件的源極互連；第二和第四金氧半導體元件的汲極互連；第一和第三金氧半導體元件的閘極互連；第二和第四金氧半導體元件的閘極互連。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备。上述半导体设备包括，第一金属氧化物半导体组件层叠第二金属氧化物半导体组件以形成第一指状物，第一金属氧化物半导体组件的汲极连接第二金属氧化物半导体组件的源极以形成第一共享源/汲极区；第三金属氧化物半导体组件层叠第四金属氧化物半导体组件以形成第二指状物，第三金属氧化物半导体组件的汲极系连接第四金属氧化物半导体组件的源极以形成第二共享源/汲极区，第一和第二共享源/汲极区不电性连接，第一和第三金属氧化物半导体组件的源极互连；第二和第四金属氧化物半导体组件的汲极互连；第一和第三金属氧化物半导体组件的闸极互连；第二和第四金属氧化物半导体组件的闸极互连。

3. 发明专利

TWI502702B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI502702B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW102133444
申请日：2013-09-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：溫清華 , WEN, CHIN HUA , 周文昇 , CHOU, WEN SHEN
IPC分类号： H01L23/482 , H01L29/423
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L23/5286 , H01L27/088 , H01L29/0692 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201349453A 多層密度梯度平滑方法、半導體裝置以及半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：多层密度梯度平滑方法、半导体设备以及半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201349453A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102115371
申请日：2013-04-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：彭永州 , PENG, YUNG CHOW , 周文昇 , CHOU, WEN SHEN , 黃睿政 , HUANG, JUI CHENG
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/105
CPC分类号： G06F17/5072 , H01L27/0207 , H01L27/04
摘要：多層密度梯度平滑佈局中，複數的單胞配置於具有一特徵密度的陣列中。陣列的一或多個邊界上形成第一邊緣次陣列，具有比陣列的特徵密度小的特徵密度。第一邊緣次陣列的一或多個邊界上形成第二邊緣次陣列，具有比第一邊緣次陣列的特徵密度小但接近背景電路的特徵密度的特徵密度。
简体摘要：多层密度梯度平滑布局中，复数的单胞配置于具有一特征密度的数组中。数组的一或多个边界上形成第一边缘次数组，具有比数组的特征密度小的特征密度。第一边缘次数组的一或多个边界上形成第二边缘次数组，具有比第一边缘次数组的特征密度小但接近背景电路的特征密度的特征密度。

5. 发明专利

TWI484619B 多層密度梯度平滑方法、半導體裝置以及半導體記憶裝置有权
简体标题：多层密度梯度平滑方法、半导体设备以及半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI484619B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW102115371
申请日：2013-04-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：彭永州 , PENG, YUNG CHOW , 周文昇 , CHOU, WEN SHEN , 黃睿政 , HUANG, JUI CHENG
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/105
CPC分类号： G06F17/5072 , H01L27/0207 , H01L27/04

6. 发明专利

TW201834398A 高速位準位移器审中-公开
简体标题：高速位准位移器
公开(公告)号：TW201834398A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106140369
申请日：2017-11-21
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：楊宇滔 , YANG, YU-TAO , 周文昇 , CHOU, WEN-SHEN , 彭永州 , PENG, YUNG-CHOW
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K5/003
摘要：本發明實施例揭示一種位準位移器電路，其包含：鎖存器模組，其具有第一複數個PMOS電晶體及第二複數個NMOS電晶體；MOS模組，其具有可操作地連接至該鎖存器模組之第三複數個MOS電晶體；第四複數個電晶體，其可操作地連接於該MOS模組與接地之間；及第五複數個電容器，其可操作地連接於該鎖存器模組與該第四複數個電晶體之閘極之間。
简体摘要：本发明实施例揭示一种位准位移器电路，其包含：锁存器模块，其具有第一复数个PMOS晶体管及第二复数个NMOS晶体管；MOS模块，其具有可操作地连接至该锁存器模块之第三复数个MOS晶体管；第四复数个晶体管，其可操作地连接于该MOS模块与接地之间；及第五复数个电容器，其可操作地连接于该锁存器模块与该第四复数个晶体管之闸极之间。

7. 发明专利

TW201115295A 低壓降穩壓器、直流對直流轉換器以及低壓降穩壓方法 LOW DROPOUT REGULATORS, DC TO DC INVERTERS AND METHOD FOR LOW DROPOUT REGULATION 审中-公开
简体标题：低压降稳压器、直流对直流转换器以及低压降稳压方法 LOW DROPOUT REGULATORS, DC TO DC INVERTERS AND METHOD FOR LOW DROPOUT REGULATION
公开(公告)号：TW201115295A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099135704
申请日：2010-10-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：索南艾瑞克 , 羅許艾倫 , 石碩 , 徐英智 , 王光丞 , 周文昇
IPC分类号： G05F , H02M
CPC分类号： G05F1/575 , H02M3/07 , H02M2001/0045
摘要：一種低壓降穩壓器，包括：一放大器，具有一正端，用以接收一參考電壓；一主要源極隨耦器，具有一源極，耦接至放大器之一負端，其中放大器之一輸出端用以驅動主要源極隨耦器之一閘極；以及至少一從屬源極隨耦器，具有一閘極，與主要源極隨耦器之閘極為共閘極，以及一源極，用以作為低壓降穩壓器之一輸出端。
简体摘要：一种低压降稳压器，包括：一放大器，具有一正端，用以接收一参考电压；一主要源极随耦器，具有一源极，耦接至放大器之一负端，其中放大器之一输出端用以驱动主要源极随耦器之一闸极；以及至少一从属源极随耦器，具有一闸极，与主要源极随耦器之闸极为共闸极，以及一源极，用以作为低压降稳压器之一输出端。

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