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1. 发明专利

TW201918315A 雷射加工裝置审中-公开
简体标题：激光加工设备
公开(公告)号：TW201918315A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107137929
申请日：2018-10-26
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：能丸圭司 , NOMARU, KEIJI , 波多野雄二 , HADANO, YUJI , 名雪正寿 , NAYUKI, MASATOSHI
IPC分类号： B23K26/36 , B23K26/50
CPC分类号： B23K26/142 , B23K26/046 , B23K26/0665 , B23K26/0821 , B23K26/0823 , B23K26/083 , B23K26/1224 , B23K26/146 , B23K26/359 , B23K26/364 , B23K26/38 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01L21/67051 , H01L21/67092 , H01L21/6715 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , H01L21/82
摘要： [課題]本發明的課題係提供一種雷射加工裝置，係在對板狀的工件照射雷射光線並加工時，不會妨礙對工件之雷射光線的照射。[解決手段]在雷射加工裝置的保持單元的上部配設有液體供給機構（40）。液體供給機構（40）包含：液體室（41），與保持在保持台（32）的工件（10）的上表面之間形成縫隙（S）而定位的透明板（42）；直動機構（50），係使透明板（42）在液體室（41）上直線移動；液體供給噴嘴（43），係從液體室（41）的一側供給液體（W）至縫隙（S）；及液體排出噴嘴（44），係從液體室（41）的另一側排出液體（W）。雷射光線照射單元（6）包含：雷射震盪器（82），係射出雷射光線（LB）；及聚光器（86），係將從雷射震盪器（82）射出的雷射光線（LB）進行聚光，且使雷射光線穿透透明板（42）與供給至縫隙（S）的液體（W），並照射至保持在保持台（32）的工件（10）。
简体摘要： [课题]本发明的课题系提供一种激光加工设备，系在对板状的工件照射激光光线并加工时，不会妨碍对工件之激光光线的照射。[解决手段]在激光加工设备的保持单元的上部配设有液体供给机构（40）。液体供给机构（40）包含：液体室（41），与保持在保持台（32）的工件（10）的上表面之间形成缝隙（S）而定位的透明板（42）；直动机构（50），系使透明板（42）在液体室（41）上直线移动；液体供给喷嘴（43），系从液体室（41）的一侧供给液体（W）至缝隙（S）；及液体排出喷嘴（44），系从液体室（41）的另一侧排出液体（W）。激光光线照射单元（6）包含：激光震荡器（82），系射出激光光线（LB）；及聚光器（86），系将从激光震荡器（82）射出的激光光线（LB）进行聚光，且使激光光线穿透透明板（42）与供给至缝隙（S）的液体（W），并照射至保持在保持台（32）的工件（10）。

2. 发明专利

TWI607526B 切割包含複數個積體電路之基板的方法有权
简体标题：切割包含复数个集成电路之基板的方法
公开(公告)号：TWI607526B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW104102580
申请日：2015-01-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：類維生 , LEI, WEI-SHENG , 帕帕那詹姆士S , PAPANU, JAMES S. , 庫瑪普拉罕 , KUMAR, PRABHAT , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/78
CPC分类号： H01L21/82 , H01L21/30604 , H01L21/561 , H01L21/67207 , H01L21/6836 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L2224/16145 , H01L2224/27001 , H01L2224/27436 , H01L2224/32145 , H01L2224/73104 , H01L2224/83191 , H01L2924/12042 , H01L2924/00

3. 发明专利

TW201727519A 製備用於多用途產品的半導體晶圓之方法审中-公开
简体标题：制备用于多用途产品的半导体晶圆之方法
公开(公告)号：TW201727519A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105136152
申请日：2016-11-07
申请人：馬維爾以色列股份有限公司 , MARVELL ISRAEL (M. I. S. L) LTD.
发明人：洛特伊蘭 , ROTEM, ERAN , 澤瑪奇拉米 , ZEMACH, RAMI , 佩爾艾泰 , PELED, ITAY
IPC分类号： G06F17/50 , H01L21/82 , H01L23/58
CPC分类号： H01L21/82 , G06F17/5072 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L28/00
摘要：本發明之態樣提出一種用於半導體晶圓製造之方法。該方法包含在遮罩組中使用子集低階遮罩，以在半導體晶圓上形成多個模組化單元之低階電路結構。遮罩組包含子集低階遮罩、以及至少一第一子集高階遮罩及一第二子集高階遮罩。第一子集高階遮罩定義單元內互連。第二子集高階遮罩定義了單元內互連及單元間互連。此方法進一步包含基於最終積體電路(IC)產品的組成要求來選擇至少一第一子集高階遮罩與第二子集高階遮罩其中之一，且利用所選擇的子集高階遮罩以在半導體晶圓上形成高階結構。
简体摘要：本发明之态样提出一种用于半导体晶圆制造之方法。该方法包含在遮罩组中使用子集低级遮罩，以在半导体晶圆上形成多个模块化单元之低级电路结构。遮罩组包含子集低级遮罩、以及至少一第一子集高级遮罩及一第二子集高级遮罩。第一子集高级遮罩定义单元内互连。第二子集高级遮罩定义了单元内互连及单元间互连。此方法进一步包含基于最终集成电路(IC)产品的组成要求来选择至少一第一子集高级遮罩与第二子集高级遮罩其中之一，且利用所选择的子集高级遮罩以在半导体晶圆上形成高级结构。

4. 发明专利

TW201633775A 類比數位轉換器、固體攝像裝置及電子機器审中-公开
简体标题：模拟数码转换器、固体摄像设备及电子机器
公开(公告)号：TW201633775A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104141584
申请日：2015-12-10
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：場色正昭 , BAIRO, MASAAKI
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/378
CPC分类号： H04N5/378 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03M1/08 , H03M1/123 , H03M1/56 , H04N9/045
摘要：本發明之類比數位轉換器包含具有一對差動輸入端之比較器、及設置於各差動輸入端之第1及第2之電容元件；第1電容元件包含相互並聯連接之複數個第1子電容元件，第2電容元件包含相互串聯連接之複數個第2子電容元件。複數個第1及第2子電容元件係遍及複數行且混存配置於各行內。
简体摘要：本发明之模拟数码转换器包含具有一对差动输入端之比较器、及设置于各差动输入端之第1及第2之电容组件；第1电容组件包含相互并联连接之复数个第1子电容组件，第2电容组件包含相互串联连接之复数个第2子电容组件。复数个第1及第2子电容组件系遍及复数行且混存配置于各行内。

5. 发明专利

TWI536506B 利用簡化的一次頂部接觸溝槽刻蝕製備MOSFET與肖特基二極體集成的方法有权
简体标题：利用简化的一次顶部接触沟槽刻蚀制备MOSFET与肖特基二极管集成的方法
公开(公告)号：TWI536506B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW102147567
申请日：2013-12-20
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：潘繼 , PAN, JI , 伍時謙 , NG, DANIEL , 戴嵩山 , TAI, SUNG-SHAN , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP
IPC分类号： H01L21/8249 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L21/2652 , H01L21/26586 , H01L21/82 , H01L21/823412 , H01L27/0629 , H01L29/0638 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/41766 , H01L29/47 , H01L29/4916 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/872

7. 发明专利

TW201603196A 在電漿切割期間藉由晶圓框架支撐環冷卻之切割膠帶熱管理审中-公开
简体标题：在等离子切割期间借由晶圆框架支撑环冷却之切割胶带热管理
公开(公告)号：TW201603196A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104115065
申请日：2015-05-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：類維生 , LEI, WEI-SHENG , 庫瑪普拉罕 , KUMAR, PRABHAT , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/82 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/67069 , H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/67207 , H01L21/78
摘要：本發明描述切割半導體晶圓之方法及設備，每一晶圓具有複數個積體電路。在一實例中，切割具有複數個積體電路的半導體晶圓之方法涉及將基板載體所支撐之基板引入電漿蝕刻腔室中。基板上具有經圖案化遮罩，該經圖案化遮罩覆蓋積體電路並曝露基板之劃道。基板載體具有背側。該方法亦涉及在電漿蝕刻腔室之夾盤上支撐基板載體之背側的至少一部分。該方法亦涉及冷卻基板載體之實質上整個背側，該冷卻涉及藉由夾盤冷卻基板載體之背側的至少第一部分。該方法亦涉及在執行冷卻基板載體之實質上整個背側的同時經由劃道電漿蝕刻基板以切單積體電路。
简体摘要：本发明描述切割半导体晶圆之方法及设备，每一晶圆具有复数个集成电路。在一实例中，切割具有复数个集成电路的半导体晶圆之方法涉及将基板载体所支撑之基板引入等离子蚀刻腔室中。基板上具有经图案化遮罩，该经图案化遮罩覆盖集成电路并曝露基板之划道。基板载体具有背侧。该方法亦涉及在等离子蚀刻腔室之夹盘上支撑基板载体之背侧的至少一部分。该方法亦涉及冷却基板载体之实质上整个背侧，该冷却涉及借由夹盘冷却基板载体之背侧的至少第一部分。该方法亦涉及在运行冷却基板载体之实质上整个背侧的同时经由划道等离子蚀刻基板以切单集成电路。

8. 发明专利

TW201530722A 垂直集成系統审中-公开
简体标题：垂直集成系统
公开(公告)号：TW201530722A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW104113577
申请日：2011-12-15
申请人：美國亞德諾半導體公司 , ANALOG DEVICES, INC.
发明人：歐唐尼爾亞倫 , O'DONNELL, ALAN , 艾瑞特聖地牙哥 , IRIARTE, SANTIAGO , 莫菲馬克J , MURPHY, MARK J. , 萊登柯林 , LYDEN, COLIN , 凱西蓋瑞 , CASEY, GARY , 英格利許佑恩艾德華 , ENGLISH, EOIN EDWARD
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/50 , H01L23/528 , H01L23/045
CPC分类号： G01N27/226 , B81B7/00 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , G01N27/26 , G01N27/4148 , H01F17/00 , H01F17/04 , H01L21/82 , H01L23/3677 , H01L23/38 , H01L23/473 , H01L23/481 , H01L23/58 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/94 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L27/0694 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L28/00 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/60 , H01L28/82 , H01L28/86 , H01L28/90 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/06 , H01L35/00 , H01L35/28 , H01L35/30 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0556 , H01L2224/0557 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48265 , H01L2225/06531 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H02S10/10 , H02S40/38 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05552 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要：本發明之實施例提供一種積體電路系統，其包括：一第一作用層，其製造於一半導體晶粒之一前側上；及一第二預先製造層，其在該半導體晶粒之一背側上且具有體現於其中之電組件，其中該等電組件包括至少一離散被動組件。該積體電路系統亦包括將該第一作用層與該第二預先製造層耦接之至少一電路徑。
简体摘要：本发明之实施例提供一种集成电路系统，其包括：一第一作用层，其制造于一半导体晶粒之一前侧上；及一第二预先制造层，其在该半导体晶粒之一背侧上且具有体现于其中之电组件，其中该等电组件包括至少一离散被动组件。该集成电路系统亦包括将该第一作用层与该第二预先制造层耦接之至少一电路径。

9. 发明专利

TW201448125A 垂直集成系統审中-公开
简体标题：垂直集成系统
公开(公告)号：TW201448125A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103131989
申请日：2011-12-15
申请人：美國亞德諾半導體公司 , ANALOG DEVICES, INC.
发明人：歐唐尼爾亞倫 , O'DONNELL, ALAN , 艾瑞特聖地牙哥 , IRIARTE, SANTIAGO , 莫菲馬克J , MURPHY, MARK J. , 萊登柯林 , LYDEN, COLIN , 凱西蓋瑞 , CASEY, GARY , 英格利許佑恩艾德華 , ENGLISH, EOIN EDWARD
IPC分类号： H01L23/045 , H01L23/488 , H01L23/50 , H01L23/528 , H01L25/16
CPC分类号： G01N27/226 , B81B7/00 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , G01N27/26 , G01N27/4148 , H01F17/00 , H01F17/04 , H01L21/82 , H01L23/3677 , H01L23/38 , H01L23/473 , H01L23/481 , H01L23/58 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/94 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L27/0694 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L28/00 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/60 , H01L28/82 , H01L28/86 , H01L28/90 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/06 , H01L35/00 , H01L35/28 , H01L35/30 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0556 , H01L2224/0557 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48265 , H01L2225/06531 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H02S10/10 , H02S40/38 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05552 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要：本發明之實施例提供一種積體電路系統，其包括：一第一作用層，其製造於一半導體晶粒之一前側上；及一第二預先製造層，其在該半導體晶粒之一背側上且具有體現於其中之電組件，其中該等電組件包括至少一離散被動組件。該積體電路系統亦包括將該第一作用層與該第二預先製造層耦接之至少一電路徑。
简体摘要：本发明之实施例提供一种集成电路系统，其包括：一第一作用层，其制造于一半导体晶粒之一前侧上；及一第二预先制造层，其在该半导体晶粒之一背侧上且具有体现于其中之电组件，其中该等电组件包括至少一离散被动组件。该集成电路系统亦包括将该第一作用层与该第二预先制造层耦接之至少一电路径。

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