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1. 发明专利

TW201426955A 化合物半導體靜電保護元件审中-公开
简体标题：化合物半导体静电保护组件
公开(公告)号：TW201426955A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102124793
申请日：2013-07-10
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：高谷信一郎 , TAKATANI, SHINICHIRO , 鍾榮濤 , CHUNG, JUNG TAO , 王志偉 , WANG, CHI WEI , 苑承剛 , YUAN, CHENG GUAN , 劉世明 , LIU, SHIH-MING JOSEPH
IPC分类号： H01L23/60
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L27/0266 , H01L27/04 , H01L29/778
摘要：一種化合物半導體靜電保護元件，包含三種類型，其中每一種類型包含一多閘極增強型場效電晶體。第一型中，源極電極係透過至少一第一電阻與至少一閘極電極連接，而汲極電極係透過至少一第二電阻與至少一閘極電極連接；第二型中，複數個閘極電極中至少一個係透過至少一第四電阻連接於兩相鄰閘極間區域；第三型中，複數個閘極電極係透過至少一個第七電阻連接於源極或汲極電極；上述三型化合物半導體靜電保護元件中之任兩個閘極電極可以一個電阻連接。
简体摘要：一种化合物半导体静电保护组件，包含三种类型，其中每一种类型包含一多闸极增强型场效应管。第一型中，源极电极系透过至少一第一电阻与至少一闸极电极连接，而汲极电极系透过至少一第二电阻与至少一闸极电极连接；第二型中，复数个闸极电极中至少一个系透过至少一第四电阻连接于两相邻闸极间区域；第三型中，复数个闸极电极系透过至少一个第七电阻连接于源极或汲极电极；上述三型化合物半导体静电保护组件中之任两个闸极电极可以一个电阻连接。

2. 发明专利

TWI481025B 高電子遷移率電晶體改良結構及其製程方法有权
简体标题：高电子迁移率晶体管改良结构及其制程方法
公开(公告)号：TWI481025B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW100135477
申请日：2011-09-30
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：苑承剛 , YUAN, CHENG GUAN , 劉世明 , LIU, SHIH-MING JOSEPH
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/306
CPC分类号： H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/7783

3. 发明专利

TWI528526B 化合物半導體靜電保護元件有权
简体标题：化合物半导体静电保护组件
公开(公告)号：TWI528526B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW102124787
申请日：2013-07-10
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：高谷信一郎 , TAKATANI, SHINICHIRO , 鍾榮濤 , CHUNG, JUNG TAO , 王志偉 , WANG, CHI WEI , 苑承剛 , YUAN, CHENG GUAN , 劉世明 , LIU, SHIH-MING JOSEPH
IPC分类号： H01L23/60
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/0266 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/778

4. 发明专利

TWI524496B 化合物半導體靜電保護元件有权
简体标题：化合物半导体静电保护组件
公开(公告)号：TWI524496B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW102124793
申请日：2013-07-10
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：高谷信一郎 , TAKATANI, SHINICHIRO , 鍾榮濤 , CHUNG, JUNG TAO , 王志偉 , WANG, CHI WEI , 苑承剛 , YUAN, CHENG GUAN , 劉世明 , LIU, SHIH-MING JOSEPH
IPC分类号： H01L23/60
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L27/0266 , H01L27/04 , H01L29/778

5. 发明专利

TWI495216B 具有靜電保護元件之積體電路有权
简体标题：具有静电保护组件之集成电路
公开(公告)号：TWI495216B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW102130904
申请日：2013-08-28
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：高谷信一郎 , TAKATANI, SHINICHIRO , 鍾榮濤 , CHUNG, JUNG TAO , 王志偉 , WANG, CHIH WEI , 苑承剛 , YUAN, CHENG GUAN , 劉世明 , LIU, SHIH-MING JOSEPH
IPC分类号： H02H9/02
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L23/60 , H01L23/642 , H01L23/647 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201314887A 高電子遷移率電晶體改良結構及其製程方法审中-公开
简体标题：高电子迁移率晶体管改良结构及其制程方法
公开(公告)号：TW201314887A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW100135477
申请日：2011-09-30
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：苑承剛 , YUAN, CHENG GUAN , 劉世明 , LIU, SHIH-MING JOSEPH
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/306
CPC分类号： H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/7783
摘要：一種高電子遷移率電晶體改良結構及其製程方法，其中前述改良結構包括有一基板、一通道層、一間格層、一載子供層、一蕭基層、一第一蝕刻終止層、一第一n型摻雜覆蓋層，係為一砷化鋁鎵(AlxGa1-xAs)之合金化合物半導體材料以及一第二n型摻雜覆蓋層。前述製程方法則包括以下步驟：使用複數道具多重選擇性之蝕刻製程，蝕刻出一閘極凹槽、一汲極凹槽及一源極凹槽。該閘極凹槽、該汲極凹槽及該源極凹槽之底部為該蕭基層。於該閘極凹槽內鍍上一閘極電極形成蕭基接觸。於該汲極凹槽內以及該第二n型摻雜覆蓋層上靠近該汲極凹槽周遭處，鍍上一汲極電極形成歐姆接觸。最後再於該源極凹槽內以及該第二n型摻雜覆蓋層上靠近該源極凹槽周遭處，鍍上一源極電極形成歐姆接觸。
简体摘要：一种高电子迁移率晶体管改良结构及其制程方法，其中前述改良结构包括有一基板、一信道层、一间格层、一载子供层、一萧基层、一第一蚀刻终止层、一第一n型掺杂覆盖层，系为一砷化铝镓(AlxGa1-xAs)之合金化合物半导体材料以及一第二n型掺杂覆盖层。前述制程方法则包括以下步骤：使用复数道具多重选择性之蚀刻制程，蚀刻出一闸极凹槽、一汲极凹槽及一源极凹槽。该闸极凹槽、该汲极凹槽及该源极凹槽之底部为该萧基层。于该闸极凹槽内镀上一闸极电极形成萧基接触。于该汲极凹槽内以及该第二n型掺杂覆盖层上靠近该汲极凹槽周遭处，镀上一汲极电极形成欧姆接触。最后再于该源极凹槽内以及该第二n型掺杂覆盖层上靠近该源极凹槽周遭处，镀上一源极电极形成欧姆接触。

7. 发明专利

TW201433036A 具有靜電保護元件之積體電路审中-公开
简体标题：具有静电保护组件之集成电路
公开(公告)号：TW201433036A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102130904
申请日：2013-08-28
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：高谷信一郎 , TAKATANI, SHINICHIRO , 鍾榮濤 , CHUNG, JUNG TAO , 王志偉 , WANG, CHIH WEI , 苑承剛 , YUAN, CHENG GUAN , 劉世明 , LIU, SHIH-MING JOSEPH
IPC分类号： H02H9/02
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L23/60 , H01L23/642 , H01L23/647 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種具有靜電保護元件之積體電路，包括至少一靜電保護電路模組，其係包括一直流阻斷電容，並聯於一由至少一個化合物半導體增強型場效電晶體所構成之靜電保護元件。本發明並提供一積體電路，包括一高頻電路、一開關元件、以及兩個靜電保護電路模組，其中前述高頻電路係連接於一第一端點與一第二端點之間，供輸入或輸出射頻訊號；前述第一靜電保護電路模組係連接於前述第一端點與前述高頻電路間之一分支點以及前述開關元件之間；而前述第二靜電保護電路模組係連接於前述開關元件及接地端之間。
简体摘要：一种具有静电保护组件之集成电路，包括至少一静电保护电路模块，其系包括一直流阻断电容，并联于一由至少一个化合物半导体增强型场效应管所构成之静电保护组件。本发明并提供一集成电路，包括一高频电路、一开关组件、以及两个静电保护电路模块，其中前述高频电路系连接于一第一端点与一第二端点之间，供输入或输出射频信号；前述第一静电保护电路模块系连接于前述第一端点与前述高频电路间之一分支点以及前述开关组件之间；而前述第二静电保护电路模块系连接于前述开关组件及接地端之间。

8. 发明专利

TW201426954A 化合物半導體靜電保護元件审中-公开
简体标题：化合物半导体静电保护组件
公开(公告)号：TW201426954A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102124787
申请日：2013-07-10
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：高谷信一郎 , TAKATANI, SHINICHIRO , 鍾榮濤 , CHUNG, JUNG TAO , 王志偉 , WANG, CHI WEI , 苑承剛 , YUAN, CHENG GUAN , 劉世明 , LIU, SHIH-MING JOSEPH
IPC分类号： H01L23/60
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/0266 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/778
摘要：一種化合物半導體靜電保護元件，包含一多閘極增強型場效電晶體或複數個單閘極增強型場效電晶體，其中每一個閘極電極係透過至少一第一電阻直流電連於源極電極、汲極電極或多閘極增強型場效電晶體中兩相鄰閘極電極間之閘極間區域，且至少一個閘極電極係透過至少一閘極電容交流電連於前述源極電極、汲極電極或多閘極增強型場效電晶體中兩相鄰閘極電極間之閘極間區域。
简体摘要：一种化合物半导体静电保护组件，包含一多闸极增强型场效应管或复数个单闸极增强型场效应管，其中每一个闸极电极系透过至少一第一电阻直流电连于源极电极、汲极电极或多闸极增强型场效应管中两相邻闸极电极间之闸极间区域，且至少一个闸极电极系透过至少一闸极电容交流电连于前述源极电极、汲极电极或多闸极增强型场效应管中两相邻闸极电极间之闸极间区域。

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