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1. 发明专利

TWI574591B 安全保護裝置有权
简体标题：安全保护设备
公开(公告)号：TWI574591B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW102127137
申请日：2013-07-29
申请人：德昌電機(深圳)有限公司 , JOHNSON ELECTRIC (SHENZHEN) LTD.
发明人：沙利文森特丹尼爾吉恩 , SALLE, VINCENT. DANIEL. JEAN , 沃德多米尼克約翰 , WARD, DOMINIC. JOHN , 埃特蒙德馬丁華萊士 , EDMONDS, MARTIN. WALLACE , 章立冰 , ZHANG, LIBING
IPC分类号： H05K10/00
CPC分类号： H01L23/57 , G06F21/87 , G08B13/242 , G08B13/2437 , H01L23/573 , H01L23/576 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW228042B 用以保密微處理器之時鐘頻率調變失效
简体标题：用以保密微处理器之时钟频率调制
公开(公告)号：TW228042B
公开(公告)日：1994-08-11
申请号：TW083100318
申请日：1994-01-17
申请人：德來懷通用儀器公司
发明人：艾瑞克.史波克
IPC分类号： H04K
CPC分类号： H01L23/57 , G06F1/06 , H01L2924/0002 , H04L9/0618 , H04L9/0668 , H04L2209/043 , H01L2924/00
摘要：提供一減低受侵襲時易受損之保密微處理器。以往，此類處理器之保密操作以觀察處理器所用之時鐘活動而達成。此等觀察及後續時鐘脈衝的預測可用一實質隨機函數之調變時鐘以產生不可預測之時鐘脈衝流而防止。此保密處理器根據一保密演算法以響應處理資料之不可預測之時鐘脈衝流。
简体摘要：提供一减低受侵袭时易受损之保密微处理器。以往，此类处理器之保密操作以观察处理器所用之时钟活动而达成。此等观察及后续时钟脉冲的预测可用一实质随机函数之调制时钟以产生不可预测之时钟脉冲流而防止。此保密处理器根据一保密算法以响应处理数据之不可预测之时钟脉冲流。

3. 发明专利

TWI327729B 防篡改式封裝及方法 TAMPER-RESISTANT PACKAGING AND APPROACH 失效
简体标题：防篡改式封装及方法 TAMPER-RESISTANT PACKAGING AND APPROACH
公开(公告)号：TWI327729B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：TW092135764
申请日：2003-12-17
申请人：恩智浦股份有限公司
发明人：卡爾奴得森
IPC分类号： G11C
CPC分类号： H01L23/57 , G11C8/20 , G11C11/16 , H01L2924/0002 , Y10S257/922 , H01L2924/00
摘要：本發明為一種保護非易失記憶體之防篡改式封裝及方法。按照本發明之一舉例之具體實施例，在一積體電路(100)中磁性記憶體元件(130-132)之一陣列藉包括有一磁鐵(120)之一封裝(106)來保護。來自磁鐵之磁力線(122)藉封裝將該磁力線自磁記憶體處被引導離開。當篡改時，例如藉移去用於接達磁性記憶體元件之封裝之一部分，封裝允許磁力線達到某些或全部之磁記憶體元件，且導致在其一邏輯狀態中之一改變。具有此一方法，磁性記憶體元件被保護而不致被篡改。
简体摘要：本发明为一种保护非易失内存之防篡改式封装及方法。按照本发明之一举例之具体实施例，在一集成电路(100)中磁性内存组件(130-132)之一数组藉包括有一磁铁(120)之一封装(106)来保护。来自磁铁之磁力线(122)藉封装将该磁力线自磁内存处被引导离开。当篡改时，例如藉移去用于接达磁性内存组件之封装之一部分，封装允许磁力线达到某些或全部之磁内存组件，且导致在其一逻辑状态中之一改变。具有此一方法，磁性内存组件被保护而不致被篡改。

4. 发明专利

TW506067B 半導體裝置及終端裝置失效
简体标题：半导体设备及终端设备
公开(公告)号：TW506067B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090118581
申请日：2001-07-31
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：前田茂伸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/57 , G06F11/006 , G08B13/1409 , G11C7/24 , G11C16/22 , H01L23/544 , H01L23/576 , H01L2223/5444 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之半導體裝置、終端裝置以及通信方法，其目的在於提高因交換半導體基板而非法使用，半導體裝置之應用機器的技術障礙。作為本發明之解決手段，其碼生成部400係於半導體基板CH1(或CH3)上生成固有之辨識碼Cd。形成於另一半導體基板CH2上的記憶體601係記憶辨識碼Cd以作為記憶碼Co。辨識碼Cd係在將半導體裝置600作為製品出貨時，自碼生成部400寫入記憶體601。比較電路403係用以比較辨識碼 Cd與記憶碼Co，當此等雙方相互為不一致時，停止指定電路405之一部分的動作。
简体摘要：本发明之半导体设备、终端设备以及通信方法，其目的在于提高因交换半导体基板而非法使用，半导体设备之应用机器的技术障碍。作为本发明之解决手段，其码生成部400系于半导体基板CH1(或CH3)上生成固有之辨识码Cd。形成于另一半导体基板CH2上的内存601系记忆辨识码Cd以作为记忆码Co。辨识码Cd系在将半导体设备600作为制品出货时，自码生成部400写入内存601。比较电路403系用以比较辨识码 Cd与记忆码Co，当此等双方相互为不一致时，停止指定电路405之一部分的动作。

5. 发明专利

TW465026B 半導體裝置、半導體裝置之製造方法及通信方法有权
简体标题：半导体设备、半导体设备之制造方法及通信方法
公开(公告)号：TW465026B
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：TW089109537
申请日：2000-05-18
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：前田茂伸 , 一法師隆志 , 栗山祐忠 , 本田裕己
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/57 , H01L2223/5444 , H01L2924/0002 , H04M1/67 , H04W12/12 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種半導體裝置，半導體裝置之製造方法，及通信方法;以低成本提高用戶終端不正當使用的障壁。
在多結晶半導體l上形成通道區域2、源極區域3和汲極區域4。多結晶TFT101的特性因通道區域2所含晶界6的數量而有差異。通道區域2中包含晶界6越多，漏電流越小。為了將對TFT101的電特性進行編碼而得的編碼用於半導體晶片或系統等的識別，TFT101和編碼電路一起裝在半導體晶片或系統等中。
简体摘要：本发明系关于一种半导体设备，半导体设备之制造方法，及通信方法;以低成本提高用户终端不正当使用的障壁。在多结晶半导体l上形成信道区域2、源极区域3和汲极区域4。多结晶TFT101的特性因信道区域2所含晶界6的数量而有差异。信道区域2中包含晶界6越多，漏电流越小。为了将对TFT101的电特性进行编码而得的编码用于半导体芯片或系统等的识别，TFT101和编码电路一起装在半导体芯片或系统等中。

6. 发明专利

TWI330845B 用於磁阻隨機存取記憶體裝置防止干預之方法及裝置 METHOD AND DEVICE FOR PROTECTION OF AN MRAM DEVICE AGAINST TAMPERING 有权
简体标题：用于磁阻随机存取内存设备防止干预之方法及设备 METHOD AND DEVICE FOR PROTECTION OF AN MRAM DEVICE AGAINST TAMPERING
公开(公告)号：TWI330845B
公开(公告)日：2010-09-21
申请号：TW092135380
申请日：2003-12-15
申请人：恩智浦股份有限公司
发明人：卡爾斯麥可郝柏特蘭森 , 喬臣森羅柏
IPC分类号： G11C
CPC分类号： H01L23/57 , G06F21/79 , G06K19/07372 , G11C8/20 , G11C11/1695 , H01L2924/0002 , Y10S257/922 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種防止由未經授權人士誤用或讀出儲存於磁阻隨機存取記憶體單元(12)中的資料之方法及裝置。
本發明提供磁阻隨機存取記憶體單元(12)之一陣列(10)，該陣列具有一安全裝置(14)，用以當該等磁阻隨機存取記憶體單元(12)受到干預時銷毀儲存於該等單元中的資料。達到此點係藉由放置一永久磁鐵(16)在近於與一軟磁通量封閉層(18)結合的該磁阻隨機存取記憶體陣列(10)處。只要該軟磁性層(18)出現，則來自永久磁鐵(16)的磁場線(20)受到偏離並且流經此軟磁性層(18)。當某人(例如藉由反向工程)干預該磁阻隨機存取記憶體單元(10)，而且該磁通量封閉層(18)得以移除時，則該磁通量不再受到偏離並且影響該附近的磁阻隨機存取記憶體陣列(10)，從而銷毀儲存於該等磁阻隨機存取記憶體單元(12)中的該等資料。
简体摘要：本发明揭示一种防止由未经授权人士误用或读出存储于磁阻随机存取内存单元(12)中的数据之方法及设备。本发明提供磁阻随机存取内存单元(12)之一数组(10)，该数组具有一安全设备(14)，用以当该等磁阻随机存取内存单元(12)受到干预时销毁存储于该等单元中的数据。达到此点系借由放置一永久磁铁(16)在近于与一软磁通量封闭层(18)结合的该磁阻随机存取内存数组(10)处。只要该软磁性层(18)出现，则来自永久磁铁(16)的磁场线(20)受到偏离并且流经此软磁性层(18)。当某人(例如借由反向工程)干预该磁阻随机存取内存单元(10)，而且该磁通量封闭层(18)得以移除时，则该磁通量不再受到偏离并且影响该附近的磁阻随机存取内存数组(10)，从而销毁存储于该等磁阻随机存取内存单元(12)中的该等数据。

7. 发明专利

TW544897B 電路配置及檢查該電路配置可靠性之方法有权
简体标题：电路配置及检查该电路配置可靠性之方法
公开(公告)号：TW544897B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW090130634
申请日：2001-12-11
申请人：億恒科技公司
发明人：安德烈庫克斯
IPC分类号： H01L , G06F
CPC分类号： H01L23/57 , H01L23/544 , H01L24/31 , H01L29/0657 , H01L2223/54473 , H01L2924/01068 , H01L2924/10158 , H01L2924/14 , H01L2924/19041
摘要：本發明提出一種感測器配置，該感測器配置係對著一第一基底之表面而配置，以形成於一第二基底上。依此方式，有可能確立該含有第一與第二基底之配置是否隔離或已隔離。
简体摘要：本发明提出一种传感器配置，该传感器配置系对着一第一基底之表面而配置，以形成于一第二基底上。依此方式，有可能确立该含有第一与第二基底之配置是否隔离或已隔离。

8. 发明专利

TW533533B 利用積體電路中蝕刻保護層開口防止逆向工程之積體電路及其製造方法有权
简体标题：利用集成电路中蚀刻保护层开口防止逆向工程之集成电路及其制造方法
公开(公告)号：TW533533B
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：TW090133031
申请日：2001-12-28
申请人： HRL實驗室LLC
发明人：周立偉 , 詹姆斯P 包克斯 , 小威廉M 克拉克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/57 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種半導體裝置，包括積體電路，利用保護層開口以防止逆向工程。當逆向工程蝕刻掉保護層以及典型的第一層金屬時，下層金屬或其他本裝置的元件會被破壞造成逆向工程之困難。本發明亦提出前述裝置之製造方法。
简体摘要：一种半导体设备，包括集成电路，利用保护层开口以防止逆向工程。当逆向工程蚀刻掉保护层以及典型的第一层金属时，下层金属或其他本设备的组件会被破坏造成逆向工程之困难。本发明亦提出前述设备之制造方法。

9. 发明专利

TW501247B 積體電路封裝件合併偽瞞可程式化元件有权
简体标题：集成电路封装件合并伪瞒可进程化组件
公开(公告)号：TW501247B
公开(公告)日：2002-09-01
申请号：TW090120994
申请日：2001-08-27
申请人：高級微裝置公司
发明人：奎 D 恩固言 , 查勒斯安德森 , 傑斯 J 賈斯多 , 艾雷克森得 C 坦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/57 , H01L23/5382 , H01L2221/68359 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , Y10S257/922 , H01L2224/0401
摘要：一種積體電路封裝件包括至少一個一次可程式化元件，例如熔絲，具有由可程式化鏈路分開的第一端及第二端。可程式化元件係位於封裝件基板頂面以外的表面，例如側面或底面，因而使可程式化元件對意圖竄改封裝件的不肖廠商而言顯得較不明顯。藉由熔絲而程式化的資訊可與微處理器用的速度或電壓額定值有關。
简体摘要：一种集成电路封装件包括至少一个一次可进程化组件，例如熔丝，具有由可进程化链路分开的第一端及第二端。可进程化组件系位于封装件基板顶面以外的表面，例如侧面或底面，因而使可进程化组件对意图窜改封装件的不肖厂商而言显得较不明显。借由熔丝而进程化的信息可与微处理器用的速度或电压额定值有关。

10. 发明专利

TWI581371B 具有唯讀記憶體（ＲＯＭ）單元之非揮發性記憶體單元陣列有权
简体标题：具有唯读内存（ＲＯＭ）单元之非挥发性内存单元数组
公开(公告)号：TWI581371B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105105437
申请日：2016-02-24
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：金晉浩 , KIM, JINHO , 蒂瓦里維平 , TIWARI, VIPIN , 杜恩漢 , DO, NHAN , 呂祥 , LIU, XIAN , 錢曉州 , QIAN, XIAOZHOU , 白寧 , BAI, NING , 余啓文 , YUE, KAI MAN
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/112
CPC分类号： H01L27/11524 , H01L23/57 , H01L27/11226 , H01L27/11233 , H01L27/11253 , H01L27/11519 , H01L29/42328 , H01L29/788 , H01L29/7881

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