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1. 发明专利

TWI330845B 用於磁阻隨機存取記憶體裝置防止干預之方法及裝置 METHOD AND DEVICE FOR PROTECTION OF AN MRAM DEVICE AGAINST TAMPERING 有权
简体标题：用于磁阻随机存取内存设备防止干预之方法及设备 METHOD AND DEVICE FOR PROTECTION OF AN MRAM DEVICE AGAINST TAMPERING
公开(公告)号：TWI330845B
公开(公告)日：2010-09-21
申请号：TW092135380
申请日：2003-12-15
申请人：恩智浦股份有限公司
发明人：卡爾斯麥可郝柏特蘭森 , 喬臣森羅柏
IPC分类号： G11C
CPC分类号： H01L23/57 , G06F21/79 , G06K19/07372 , G11C8/20 , G11C11/1695 , H01L2924/0002 , Y10S257/922 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種防止由未經授權人士誤用或讀出儲存於磁阻隨機存取記憶體單元(12)中的資料之方法及裝置。
本發明提供磁阻隨機存取記憶體單元(12)之一陣列(10)，該陣列具有一安全裝置(14)，用以當該等磁阻隨機存取記憶體單元(12)受到干預時銷毀儲存於該等單元中的資料。達到此點係藉由放置一永久磁鐵(16)在近於與一軟磁通量封閉層(18)結合的該磁阻隨機存取記憶體陣列(10)處。只要該軟磁性層(18)出現，則來自永久磁鐵(16)的磁場線(20)受到偏離並且流經此軟磁性層(18)。當某人(例如藉由反向工程)干預該磁阻隨機存取記憶體單元(10)，而且該磁通量封閉層(18)得以移除時，則該磁通量不再受到偏離並且影響該附近的磁阻隨機存取記憶體陣列(10)，從而銷毀儲存於該等磁阻隨機存取記憶體單元(12)中的該等資料。
简体摘要：本发明揭示一种防止由未经授权人士误用或读出存储于磁阻随机存取内存单元(12)中的数据之方法及设备。本发明提供磁阻随机存取内存单元(12)之一数组(10)，该数组具有一安全设备(14)，用以当该等磁阻随机存取内存单元(12)受到干预时销毁存储于该等单元中的数据。达到此点系借由放置一永久磁铁(16)在近于与一软磁通量封闭层(18)结合的该磁阻随机存取内存数组(10)处。只要该软磁性层(18)出现，则来自永久磁铁(16)的磁场线(20)受到偏离并且流经此软磁性层(18)。当某人(例如借由反向工程)干预该磁阻随机存取内存单元(10)，而且该磁通量封闭层(18)得以移除时，则该磁通量不再受到偏离并且影响该附近的磁阻随机存取内存数组(10)，从而销毁存储于该等磁阻随机存取内存单元(12)中的该等数据。

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